标签: 霍尔效应测试仪

变温变场霍尔效应测试系统用于快速测试样品的霍尔效应参数，系统各组件功能如下：标准组件此系统可在电磁场、液氮高低温环境对样品进行快速霍尔效应测试，为样品提供一个变温变磁的环境，以获取样品的霍尔参数，包含待测样品的电阻率、霍尔电压、霍尔系数、载流子浓度、霍尔迁移率和载流子类型等。 霍尔效应测试仪主要实现对待测样品提供激励信号并对测试数据进行采集、处理。 电磁铁、电磁铁电源和高斯计是提供测试磁场环境的重要组件，通过PID算法快速实现预设磁场值；通过反向电流控制，快速实现样品附近空间近零磁场环境。 锦正茂 液氮高低温恒温器选件为样品提供高低温测试环境，实现变温霍尔测试。 室温屏蔽盒为样品提供室温测试环境，提供多种室温样品卡，满足各种规格的样品的霍尔测试。通过滑轨可快速切换低温恒温器与室温屏蔽盒，可快速切换样品或更换样品环境。 ​

低温型产品概述： 霍尔效应测试仪由电磁铁、电 磁铁电源 、高精度恒流源、高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦，控温仪，系统软件组成。为本仪器系统专门研制的 JH10效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。JH10可单独做恒流源、微伏表使用。 技术指标： * 10mm间距为2T，30mm间距为1T * 样品电流：0.05uA ～ 50mA(调节0.1nA) * 测量电压：0.1uV ～ 30V * 提供各类测试标准材料，各级别硅与砷化镓（灵敏度与精度不同） * 分辨率极小值：0.1GS * 磁场范围：0-1T * 配合高斯计或数采板可计算机通讯 * I-V 曲线及I-R曲线测量等 * 霍尔系数、载流子浓度等参数随温度的变化曲线 * 电阻率范围： 5*10 -5 ～ 5*10 2 Ω.cm * 电阻范围：10 m Ohms ～ 6MOhms * 载流子浓度：5*10 12 ～ 51*10 20 cm -3 * 霍尔系数：±1*10 -2 ～ ±1*106cm 3 /C * 迁移率：0.1 ～ 10 8 cm 2 /volt*sec * 温度调节：0.1K * 温区：78K-325K,4K-325K（选配） * 测试全自动化，一键处理 * 可实现相同温差间的连续测量

霍尔效应是电磁效应的一种，霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。霍尔效应实验是指为了解霍尔效应测量磁场原理而进行的实验。 实验的目的主要有： 1 ． 通过实验掌握霍尔效应基本原理，了解霍尔元件的基本结构； 2 ． 学会测量半导体材料的霍尔系数、电导率、迁移率等参数的实验方法和技术； 3 ． 学会用“对称测量法”消除副效应所产生的系统误差的实验方法。 4 ． 学习利用霍尔效应测量磁感应强度及磁场分布。 仪器与装置：霍尔效应实验仪 霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料 的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必 * 的工具。该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪 , 在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和 知名 度。仪器轻巧方便，易于携带 。 可测试材料 : 半导体材料： SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料 ， 低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、 TMR 材料 ， 高阻抗材料：半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等 。