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IRLR7843TRPBF(VBE1303)参数说明:极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：100A；导通电阻：2mΩ@10V,3mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：1.9V；封装：TO252应用简介：IRLR7843TRPBF(VBE1303)是一款N沟道MOSFET，适用于高电流和高功率应用。其高额定电流和低导通电阻适合高功率开关控制。常用于电源开关、电机驱动、工业自动化等。优势：高电流能力：适用于高电流和高功率应用。低导通电阻：降低功耗，提高效率。适用封装：TO252封装适合中等功率应用。适用模块：IRLR7843TRPBF(VBE1303)适用于高功率开关控制模块，如电源管理模块、电机驱动模块、工业自动化控制模块等。