标签: NTGS3455T1G

型号：NTGS3455T1G丝印：VB8338品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-4.8A-导通电阻：49mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：-1~-3Vth-封装：SOT23-6应用简介：NTGS3455T1G是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为-30V，最大电流为-4.8A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于负极电源控制和负载开关控制的应用。2.转换器模块：可用于负极电源控制的DC-DC转换器和逆变器。3.汽车电子模块：适用于汽车电子系统中的负极电源控制和负载开关。总之，NTGS3455T1G适用于负极电压控制和负载开关等应用领域的模块设计，主要用于电源管理、转换器模块和汽车电子模块等。