标签: SI3911DVT1GE3VB

型号：SI3911DV-T1-GE3丝印：VB4290品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个P沟道MOSFET-最大耐压：-20V-最大电流：-4A-导通电阻：75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-门阈电压：-1.2~-2.2Vth-封装：SOT23-6应用简介：SI3911DV-T1-GE3是一款具有两个P沟道MOSFET的器件，适用于需要同时控制多个P沟道MOSFET的应用。其最大耐压为-20V，最大电流为-4A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。2.高压负载开关模块：适用于高压负载开关和电源控制。3.电动工具：可用于电动工具中的负极电源控制和负载开关。总之，SI3911DV-T1-GE3适用于需要同时控制多个P沟道MOSFET的高功率应用领域的模块设计，包括电源管理、高压负载开关模块和电动工具等。