标签: SI2307DST1GE3VB

型号:SI2307DS-T1-GE3丝印:VB2355品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-30V -额定电流(ID):-5.6A -开通电阻(RDS(ON)):47mΩ@10V,56mΩ@4.5V -阈值电压(Vth):-1V -封装类型:SOT23应用简介:这款SI2307DS-T1-GE3MOSFET是一款低压P沟道MOSFET，适用于低压应用场景。它具有较低的额定电压和额定电流，适用于低功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：-电源管理模块：用于低压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等低功率电源模块。-电池管理模块：用于低压电池充放电保护、电池管理系统等低功率电池应用。-小功率开关模块：用于低压开关电路、低功率开关控制等低功率应用。-消费电子模块：用于低压低功率的消费电子产品中的功率管理和开关模块。总之，SI2307DS-T1-GE3MOSFET适用于需要低压低功率P沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和低功率转换功能，特别适用于低压低功率应用的模块。