标签: NCE40P40KVB

型号：NCE40P40K-VB丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-额定电压：-40V-额定电流：-65A-开启电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压：-1.6Vth(V)-封装形式：TO252应用简介：NCE40P40K-VB是一种P沟道功率MOSFET，适用于各种高功率应用。其主要特点是低开启电阻和大电流能力，能够承受较高的电压。该器件广泛应用于以下领域模块：1.电源和逆变器模块：NCE40P40K-VB可用于开关电源、逆变器、电源管理和电源控制模块中，提供高效的功率开关功能。2.电动工具：该MOSFET可用于电动工具领域，如电钻、电锯和电动车辆等，用于提供高功率和高效的电能转换。3.电动车辆充电器：NCE40P40K-VB可用于电动车充电器中，提供高功率充电，高效能源转换。4.LED照明：该器件还适用于LED照明领域，如LED驱动器和LED控制模块中，用于实现高效能的电能转换和控制。总之，NCE40P40K-VB主要用于高功率应用中，特别适合需要高效率和高功率开关功能的应用领域。