标签: MTD20N03HDLT4GVB

型号：MTD20N03HDLT4G-VB  丝印：VBE1310  品牌：VBsemi  参数说明：-N沟道-额定电压：30V-额定电流：70A-开通电阻：7mΩ@10V,9mΩ@4.5V-门源极电压：±20Vgs  -阈值电压：1.8Vth(V)-封装：TO252  应用简介：MTD20N03HDLT4G-VB是一款高性能的N沟道功率MOSFET。它适用于在需要高功率开关和控制的各种领域模块中使用。由于其额定电压高达30V和额定电流达到70A，它在各种高功率应用中都能表现出色。应用领域：此种型号的MOSFET常用于以下领域模块：-电源管理模块：由于其高电流和低开通电阻，适合用于电源管理模块中的开关和调节电路。-电动工具：适用于电动工具中的功率开关和电流控制电路，例如电钻、砂轮机等。-电动车辆：在电动车辆的电池管理系统中，可用于电流控制和保护电路。-LED照明：用于LED灯具中的开关和调光电路，以便实现高亮度和节能。-调速器和驱动器：可用于调速器和驱动器模块中的高功率开关电路。总结：MTD20N03HDLT4G-VB是一款适用于各种高功率应用的N沟道功率MOSFET。它的特点包括高额定电流和低开通电阻，能够在多个领域模块中发挥出色的性能，例如电源管理、电动工具、电动车辆、LED照明、调速器和驱动器等。