标签: P3004ND5GVB

型号：P3004ND5G-VB丝印：VBE5415品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N+P沟道-最大耐压：±40V-最大持续电流：50A(N沟道)/-50A(P沟道)-开通电阻（RDS(ON)）：15mΩ@10Vgs(N沟道)/18.75mΩ@4.5Vgs(P沟道)-阈值电压（Vth）：±1V-封装类型：TO252-5应用简介：P3004ND5G-VB是一款N+P沟道MOSFET（N沟道和P沟道混合型金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种电子应用，包括需要双极性电流承受能力的应用。以下是它的一些主要应用领域：1.电机驱动：这款MOSFET适用于电机驱动电路，如电动汽车电机驱动、电机控制和工业电机应用。N沟道用于正向电流通路，P沟道用于反向电流通路，可实现双向电流控制。2.电池管理系统：P3004ND5G-VB可用于电池管理系统，用于电池充电和放电控制，确保电池在各种工作模式下的安全性和性能。3.电源逆变器：在需要双向电流流动的电源逆变器应用中，例如太阳能逆变器和电动汽车充电桩，这款MOSFET可以用于电源逆变电路，将直流电转换为交流电或反之亦然。4.电源开关模块：P3004ND5G-VB可用于电源开关模块，如开关稳压器、电源适配器和直流-直流变换器，以提供高效率和稳定的电源输出。总之，P3004ND5G-VB是一款多功能的N+P沟道MOSFET，适用于各种需要双极性电流承受能力、低电阻和高耐压的电子应用。它在电机驱动、电池管理、电源逆变器和电源开关模块等模块中都有广泛的用途。