标签: 2SJ518VB

型号：2SJ518-VB丝印：VBI2658品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-5A-开态电阻(RDS(ON))：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压(Vth)：1~3V-封装：SOT89-3应用简介：2SJ518-VB是一款P沟道MOSFET，适用于负极性电压应用，具有低开态电阻和适中的电流电压特性。这款MOSFET适用于需要负电压开关和控制的应用。主要特点和应用领域：1.**电源逆变器**：2SJ518-VB可用于电源逆变器，将正电压转换为负电压，适用于一些特殊应用，如负电压电源系统。2.**电流控制**：这款MOSFET可用于负电流控制，例如电流源、电流控制器和电流放大器，用于实现精确的电流调控。3.**负极性电源管理**：在特殊应用中，需要负极性电源管理，2SJ518-VB可以用于实现电源开关和控制。4.**电池保护**：在移动设备和电池供电系统中，这款MOSFET可以用于电池保护电路，确保电池充电和放电过程中的安全性和稳定性。5.**负电压电源调节器**：2SJ518-VB可用于负电压电源调节器，用于调整负载的电流和电压。总之，2SJ518-VB适用于多个领域，包括电源逆变器、电流控制、负极性电源管理、电池保护和负电压电源调节器等模块。其P沟道特性和低开态电阻等特性使其成为处理负电压应用的理想选择。