标签: NTP6413ANGVB

型号:NTP6413ANG-VB丝印:VBM1104N品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:55A-静态导通电阻(RDS(ON)):36mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(ON)):38mΩ@4.5V-门源电压(Vgs):±20V-阈值电压(Vth):2V-封装:TO220应用简介:NTP6413ANG-VB是一种N沟道场效应晶体管(FET)，适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用：1.**电源开关：**NTP6413ANG-VB可用作电源开关，用于控制电路中的大电流流动。其高额定电压和低导通电阻使其适用于高功率电源开关电路。2.**电源管理：**在电源管理模块中，NTP6413ANG-VB可以帮助控制电源的开关和稳定输出电压，适用于各种电源管理应用。3.**电池保护：**在锂电池保护电路中，NTP6413ANG-VB可用于实现电池的充电和放电控制，确保电池的安全运行。4.**电源逆变器：**在逆变器应用中，它可以用于将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器、电力电子变频器等领域。5.**电机驱动：**在高功率电机控制和驱动器应用中，NTP6413ANG-VB可用于控制电机的启停和速度控制，例如电动汽车驱动和工业电机驱动。这些应用领域涵盖了各种高功率电子设备和模块，NTP6413ANG-VB的高额定电压、低导通电阻和高电流容忍能力使其成为用于高功率电源管理、电流控制和电源开关的理想元件。它可以在各种高功率电路中实现高效率和可靠性。