标签: NTMS4177PR2GVB

型号：NTMS4177PR2G-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-11A-开通态电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压：-1.42V封装：SOP8该型号的NTMS4177PR2G-VB是一种P沟道MOSFET晶体管，适用于多种应用领域。以下是该产品的详细参数说明和应用简介：**详细参数说明：**-最大耐压：-30V，这表示它可以承受不超过30伏的电压。-最大电流：-11A，该MOSFET可以承受最高11安培的电流。-开通态电阻：在不同电压下，其导通状态的电阻分别为10毫欧姆（@10V）和13毫欧姆（@4.5V）。这表明它在导通状态下有很低的电阻。-阈值电压：-1.42V，表示MOSFET在此电压下开始导通。**应用简介：**这种MOSFET（NTMS4177PR2G-VB）适用于多个领域的电路模块，主要用于电流控制、电压开关和功率放大。具体应用包括但不限于以下领域：1.**电源管理模块：**用于开关电源和电压调节电路，帮助实现高效能源管理。2.**驱动模块：**作为驱动电机或其他电子设备的开关，用于控制电流和电压。3.**电源逆变器：**在逆变器中，它可以用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器等。4.**LED照明控制：**用于控制LED灯的亮度和开关，实现节能和亮度调节。总之，NTMS4177PR2G-VB是一种多功能的MOSFET，适用于多种电子应用领域，主要用于电流控制和电源管理。