标签: ISL9N310AD3STVB

ISL9N310AD3ST-VB是一款VBsemi品牌的N沟道功率MOSFET。丝印为VBE1307，具有以下详细参数：-额定电压（Vds）：30V-额定电流（Id）：60A-静态导通电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压（Vth）：1.6V-封装类型：TO252该器件适用于许多领域和模块应用，如：-电源模块：ISL9N310AD3ST-VB的高额定电流和低静态导通电阻使其成为高性能电源模块的理想选择。它能够提供低损耗的功率开关和效率较高的转换器。-电机驱动：由于具有高电流承载能力和低导通电阻，该器件可用于驱动各种类型电机，包括直流电机和步进电机。其低导通电阻能够降低功率损耗，提高效率。-汽车电子：ISL9N310AD3ST-VB适用于汽车电子应用，如电源管理、驱动控制、照明控制等。由于其高电流和低导通电阻，它可以提供高效的功率控制和可靠性。-LED照明：该器件可用于LED照明系统中的功率开关。其低导通电阻和高电流能够提供高效的功率传输和亮度控制。总之，ISL9N310AD3ST-VB是一款具备高电流承载能力、低导通电阻和高性能的N沟道功率MOSFET，适用于电源模块、电机驱动、汽车电子和LED照明等领域模块的应用。