标签: AM30N1070DT1PFVB

型号：AM30N10-70D-T1-PF-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数说明：-类型：N沟道MOSFET-工作电压：100V-额定电流：40A-开通电阻：30mΩ（10V）、31mΩ（4.5V）-门源电压范围：±20V-阈值电压：1.8V-封装：TO252应用简介：AM30N10-70D-T1-PF-VB是一款高压、高电流的N沟道MOSFET。它适用于高频开关电源、电机驱动器、电池管理系统、DC-AC逆变器等领域模块。具有低导通电阻、低开关损耗、优异的开关特性和可靠性，能够提供高效的功率转换和高稳定性的电路设计。该产品在高频开关电源中被广泛应用，可以用于替代传统的功率开关管，提高系统的效率和可靠性。在电机驱动器中，可以用作电机的开关管，实现精确的电机控制。在电池管理系统中，能够提供可靠的过电流和过热保护功能，提高电池组的安全性和寿命。在DC-AC逆变器中，可以用于高效地将直流电转换成交流电，广泛应用于太阳能发电、电动汽车以及工业制程设备等领域。总之，AM30N10-70D-T1-PF-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于高压、高电流的应用场景，如高频开关电源、电机驱动器、电池管理系统和DC-AC逆变器等领域模块。