标签: TB5128HG

BiCD工艺集成：TB5128HG采用东芝的BiCD（双极-CMOS-DMOS）工艺制造，该工艺将高性能的双极晶体管、低功耗的CMOS逻辑和高电压电流处理能力的DMOSFETs结合在一起。这种集成带来了紧凑且高效的单片IC。多种步进控制：TB5128HG支持多种步进分辨率，包括1/1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64和1/128步模式。这种灵活性使工程师可以根据具体应用需求优化驱动器的精度和平滑度。高电压和电流处理能力：TB5128HG的输出额定值为50V和5.0A，能够驱动高功率电机，适用于高要求的应用。电机电源电压范围可扩展到44V。集成电流检测和保护：该驱动器配备了先进电流检测系统（ACDS），实现精确的电流控制，确保电机运行可靠。此外，它还包括多种错误检测功能，如热关断（TSD）、过流关断（ISD）和上电复位（POR），增强了电机系统的安全性和耐用性。低导通电阻：TB5128HG拥有低导通电阻MOSFET（高侧+低侧=0.25Ω典型值），降低了功率损耗，提高了整体效率。内置VCC稳压器：内置的VCC稳压器确保内部电路的稳定运行，提升了驱动器的可靠性和性能。