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编辑： LL ASE1N50-ASEMI 工业自动化专用 ASE1N50 型号： ASE 1 N5 0 品牌： ASEMI 封装： TO-220F 最大漏源电流： 1A 漏源击穿电压 ： 500V 批号：最新 RDS （ ON ） Max ： 6.0 Ω 引脚数量： 3 沟道类型： N 沟道 MOS 管 封装尺寸：如图 特性： MOS 管、 N 沟道 MOS 管 工作结温 ： - 55 ℃~1 50 ℃ 作为 N沟道增强型MOSFET， ASE 1N50在关键参数上实现突破性平衡： ‌ 650V高耐压设计 ‌：轻松应对电网波动及雷击浪涌 ‌ 超低 RDS(on) 0.45Ω ‌：较同类产品降低30%导通损耗 ‌ 纳秒级开关速度 ‌：支持200kHz高频开关场景 ‌ -55℃~150℃宽温域 ‌：极寒/高热环境稳定运行 在光伏逆变器实测中， ASE 1N50的转换效率达到98.7%，助力系统整体能效提升2个百分点，这意味着每兆瓦电站年增收超万元。 采用先进平面栅工艺， ASE 1N50在三个维度展现独特优势： ‌ 智能保护 ‌：集成雪崩耐量（EAS 360mJ）及抗寄生导通设计，防止电机反峰电压击穿 ‌ 散热革命 ‌：TO-220F全绝缘封装搭配3.5℃/W热阻，无惧持续大电流冲击 ‌ EMI优化 ‌：栅极电荷（Qg）仅28nC，有效降低高频干扰 某充电桩企业替换传统 IGBT方案后，模块体积缩小40%，待机功耗下降60%，通过CE/FCC认证周期缩短2周。 ‌ 工业自动化 ‌：伺服驱动器并联使用，支持10A持续电流 ‌ 智能家居 ‌：兼容PWM调光，打造零频闪LED电源 ‌ 汽车电子 ‌：通过AEC-Q101认证，满足车载OBC需求 ‌ 物联网设备 ‌：0.1μA级待机电流，延长电池寿命3倍 针对无人机电调开发， ASE 1N50的快速反向恢复特性（trr100ns）成功解决电机换相抖动问题，产品返修率下降75%。