编辑： ll 4N60-ASEMI 开关电源与适配器专用 4N60 型号： 4 N60 品牌： ASEMI 封装： TO-220F 批号：最新 最大漏源电流： 4A 漏源击穿电压： 600V RDS （ ON ） Max ： 2.50 Ω 引脚数量： 3 沟道类型： N 沟道 MOS 管、高压 MOS 管 漏电流： ua 特性： N 沟道 MOS 管、场效应管 工作温度： -55 ℃ ~150 ℃ 高耐压与稳定性能 4N60系列MOS管采用N沟道增强型设计，漏源击穿电压达600V，栅源电压范围±30V，可稳定应对高压环境下的复杂工况。其雪崩能量达180mJ，支持宽温工作（-55℃至150℃），在过载或极端温度下仍保持可靠输出。 低损耗与高效能 在栅极电压 10V时，导通电阻（RDS(ON)）低至2.3Ω~2.5Ω，显著降低导通损耗；部分型号栅极电荷仅13.5nC（典型值），配合快速切换能力，开关速度提升30%，适用于高频开关场景。 多样化封装适配灵活设计 提供 TO-220、TO-251、TO-252等封装形式，满足紧凑型设备与高散热需求。TO-220封装凭借104W的高功耗能力，成为工业电源和电机驱动的首选方案 开关电源与适配器 凭借低导通电阻和快速响应特性， 4N60系列在AC-DC转换器中实现95%以上的能效，广泛应用于消费电子电源与工业级适配器。 智能家电与电机驱动 支持 PWM调速和桥式电路设计，为高压吹风机、智能电饭煲等家电提供稳定动力，并在电动汽车电机控制中实现精准功率管理。 新能源与储能系统 在光伏逆变器、储能设备中，其高耐压特性保障电能高效转换，雪崩能力提升系统在电网波动时的稳定性 。 LED照明与通信设备 用于高压 LED驱动模块，确保宽电压输入下的亮度一致性；在射频放大器中，低反向传输电容保障信号保真度 。
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