标签: flash的解析

       今天看了一个朋友的博客，他写的真的太好了，做销售这么久，第一次看到销售可以把芯片分析的那么的专业，真的是很佩服很佩服，为了增长自己的知识，我也顺藤摸瓜式的对我司代理的韩国ATO的nand flash做一个分析，分析不知道是对，但是，只是个人的理解，希望懂的多多提议，有意见交流可以联系Dora 15817241821  (QQ ：2541344368),欢迎大家一起交流探讨。    Nand Flash，是FLASH的一种，另一种常见的就是NOR FLASH,NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术，它相当于PC机的硬盘，用于保存系统运行所必需的操作系统、应用程序、用户数据、运行过程中产生的各类数据。NOR闪存更适合用来存储少量的代码并且需要多次擦写   ,而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案 . Flash掉电后，数据仍可以永久保存。     一、NAND　FLASH介绍     AND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我司代理的是韩国ATO 公司的NAND Flash产品，因此以NAND FLASH 256Mb 3V的AFND5608U1，来做一解释,这款产品跟三星之前的同容量的一块是兼容的，因三星停产，所以，ATO才大量生产，希望可以满足市场需求。       且看NAND 256Mb的物理结构： 该芯片为      48引脚，有三种封装，其外围引脚较少，这样就方便和FLASH 硬件连接，即方便设计电路，又可以减少占用总线资源。具体的引脚见手册的第8页，在此我就不列出了。      下面是芯片的功能结构图: l  X-Buffers Latches  Decoders：用于产生行地址； l  Y-Buffers Latches  Decoders：用于产生列地址； l  Command Register：用于命令字的操作； l  Control Logic  High Voltage Generator：控制逻辑及产生Flash所需的高压； l  Nand Flash　Array：存储部件； l  Page Register  S/A ：页寄存器，当读、写页时，会将数据先读入或写入此寄存器，大小为528Bytes。 下图为NAND　FLASH 256Mb的存储单元组织结构图：       容量为256Mb.     命令、地址、数据都通过8个I/O口输入/输出，这种形式减少了芯片的引脚个数，并使得系统很容易升级到更大的容量，写入命令、地址或数据时，都需要将WE#、CE#信号同时拉低。数据在WE#信号的上升沿被锁存，其中CLE为命令锁存信号、ALE为地址锁存信号。整个芯片为（256+8）Mb，因此，需要25根地址线来寻址，这样，如果我们以字节为单位发出寻址信号，总共需要3个周期，其中1周期列地址信号，1周期的行地址信号。见下图。   2、操作命令字介绍 操作NAND　FLASH时，先传输命令，接着输出地址，最后读/写数据，期间还要检查FLASH的状态。具体的命令字见下表。       朋友们，今天先写到这，今后接着解析。