标签: rcd吸收回路设计

反激式电路元件非常少，是最简单的拓扑之一。在电池充电器、适配器、DVD播放器和LED驱动器等低功率和中等功率应用中非常受欢迎。然而，虽然电路结构很简单，设计可靠的反激式转换器依然存在一定的难度。例如，反激式转换器的关键要素——电阻电容二极管(RCD)缓冲器，需要进行详细计算和实验验证，才能找出最佳参数； 否则，有可能严重影响转换器的可靠性、效率或成本。 图1： 带RCD缓冲器的反激式转换器及其在DCM工作条件下的主要波形 图1所示的反激式转换器带有一些重要的寄生组件，比如变压器初级端漏电感L lk 以及MOSFET寄生结电容C oss 。该图还显示带RCD缓冲器的反激式转换器在非连续导通工作模式(DCM)下的主要波形。 MOSFET关断时，初级端电流i d 为C OSS 充电。一旦C OSS 上的电压超过输入电压与反映输出电压之和（即V in +nVo），次级端二极管导通，并将磁化电感L m 上的电压箝位至n*Vo。然后，由于存在L lk 和C oss ，因此产生高频谐振，导致MOSFET上出现很高的电压。应当将此电压尖峰限制在一个可以接受的水平上。通常采用图1所示的RCD缓冲器来实现此电压抑制目的。二极管导通瞬间，L lk 上的电压为V sn -nVo。V sn 是缓冲器电容C sn 上的电压。初级端电流i sn 流入C sn ，如图1所示。i sn 斜率为： 其中，n是变压器的匝比，L lk 是主变压器的漏电感。 RCD缓冲器应当根据经验，配置为可将V sn 箝位至nV o 的2倍至2.5倍左右。此外，V sn 与最大输入电压之和不应超过MOSFET额定击穿电压(BV diss )的80%。若V sn 过高，则需使用额定击穿电压高很多的MOSFET。若V sn 极低，则缓冲器电路将产生极大的损耗。缓冲器电路的功耗可通过下式获得： 其中，i peak 是变压器初级端在最低输入电压以及满载工作条件下的峰值电流。时间t s 为： 应当根据损耗选择额定功率适中的缓冲器Rsn,其值： 缓冲电容电压的最大纹波可由下式得出：  一般而言，合理的纹波范围为5%到10%，Csn可由上式得到，缓冲电容应该采用陶瓷电容或者薄膜电容，较低的ESR，不适宜采用电解电容。 想了解有关反激式转换器缓冲器设计的更多信息？ 下载我们的应用指南：   反激式转换器RCD缓冲器的设计指南， AN-4147.pdf