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  去耦电容在集成电路电源和地之间有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF，这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。     总结如下： 对于低频信号，用100μF电解电容。对于高频信号，用0.1μF的瓷片电容 。     今天是真正开始自己FAPGA生涯的一天，所谓真正的原因是以前开始过，简单的学了学Verilog HDL、VHDL、Xilinx FPAG、ISE、Modelsim,现在才知道连皮毛都算不上。     成长的道路上，一点坎坷，一点孤单，一片纪念……