标签: 晶圆工艺

DRAM用于系统中的主存储器，当今最先进的设备基于大约18nm至15nm工艺。DRAM的物理极限约为10nm。研发部门正在努力扩展该技术，并最终将其替换为新的存储器类型。 DRAM制造商正在进入下一阶段的器件尺寸紧缩，但是随着存储技术接近其物理极限，他们面临着一些严峻的挑战。 到目前为止，还没有直接的替代方法。并且，在采用新解决方案之前，供应商将继续按比例缩小DRAM尺寸，并提高性能，尽管在当前1xnm节点体制下将逐步增加。并且在未来的节点上，部分但不是全部DRAM制造商将实现从传统光刻到超紫外（EUV）光刻的重大转变，以在Fab中生产。 无论有无EUV，DRAM供应商都面临更高的成本和其他挑战。但是，DRAM是系统中存储/存储层次结构的关键部分。在层次结构的第一层中，SRAM被集成到处理器中以实现快速数据访问。下一层DRAM用于主存储器。磁盘驱动器和基于NAND的固态存储驱动器（SSD）用于存储。 DRAM行业是一个巨大而艰难的市场。由于市场价格压力，DRAM供应商正处于低迷之中。然而，OEM仍希望更快的DRAM具有更大的带宽，以跟上5G和机器学习等新的数据密集型应用的冲击。 作为响应，DRAM供应商正在朝着新的更快的带宽规范发展。但是供应商不再按照传统的速度扩展或缩小DRAM，在每个节点上，DRAM的比例大约为30％。实际上，DRAM缩放正在减慢，这会影响面积密度和成本。在DRAM中，节点由存储单元的有源或主体的半节距指定。 如今，供应商正在以1xnm节点机制交付三款先进的DRAM产品。这三代DRAM没有指定数字节点。业界将它们简称为1xnm，1ynm和1znm。 然后，在研发中，供应商在路线图上又扩展了三代DRAM，全部都是1xnm节点制。这些被称为1anm，1bnm和1cnm。1anm DRAM计划于2021年或更早推出。 总而言之，DRAM在扩展方面仅取得了适度的增长，并停留在1xnm节点状态。但是与普遍看法相反，DRAM并没有用尽。“我们还没有完成。我们认为路线图不会完全关闭。美光科技公司DRAM产品工程高级总监Debra Bell说。“几年来我们的视线很清晰。然后，我们还有其他想法。我们正在讨论并对此进行评估。” 尽管如此，业界在扩展此存储器方面仍面临若干挑战。目前尚不清楚DRAM是否可以扩展到10nm以上。 但是，业界在DRAM这一竞技场上还是有大量的措施和行动： 来自中国的DRAM供应商将在今年进入市场。 供应商正在交付具有下一个接口规格的DDR5 DRAM，称为DDR5，它可以加快设备中的数据传输速率。 在未来的DRAM节点上，三星和SK海力士计划插入EUV进行DRAM生产。但是，美光科技计划在先进的DRAM节点上扩展当今的光刻技术。 在研发中，供应商正在研究将DRAM扩展到10nm以上的技术。此外，供应商正在开发几种可以替代DRAM和闪存的新存储器。 DRAM前景 随着IC市场的长期不景气，2019年全球DRAM销售额预计将达到620亿美元，低于2018年的994亿美元。根据VLSI Research的数据，预计2019年整个IC市场将下降12.9％。 但是，今天，代工业务正在升温，显示出复苏迹象。IBS首席执行官汉德尔·琼斯（Handel Jones）表示：“在DRAM方面，明年我们会迅速回升。” “正在发生的是价格正在稳定。” 此外，DRAM内容在服务器和智能手机等系统中继续增长。美光公司表示，智能手机的平均DRAM内容将从2018年的3GB增加到2019年的4GB。人工智能，数据和视频的爆炸式增长推动了这种增长，而人工智能，数据和视频的爆炸式增长需要更多的内存来帮助在系统中存储和传输信息。 同时，根据TrendForce的数据，在DRAM市场上，三星在2019年第二季度以45.5％的份额领先，紧随其后的是SK海力士（28.7％）和美光（20.5％）。几家台湾DRAM供应商所占份额很小。 在2019年，中国的DRAM供应商将进入市场，但一段时间内不会成为一个因素。预计国内一家供应商长信存储技术有限公司将在年底前增加DRAM。在某个时候，清华紫光集团希望进入DRAM业务。国内另一个充满希望的公司，JHICC（也称为福建金华集成电路有限公司）倒闭了。 但是，DRAM是系统中的关键构建块。DRAM既快速又便宜，但也有一些缺点。DRAM和SRAM是易失性存储技术，这意味着在系统电源关闭时它们会丢失数据。相比之下，闪存是非易失性的，这意味着在系统关闭时它会保留数据。 DRAM本身基于一晶体管，一电容器（1T1C）存储单元架构。数据作为电荷存储在电容器中，该电容器被指定为“ 0”或“ 1”。晶体管控制对数据的访问。 DRAM的微小电容一晶体管设计使其非常适合将众多存储单元封装到很小的区域，以实现高密度和高存储容量。实际上，数十亿个DRAM单元可以被压缩到单个存储芯片上，” Lam Research的高级技术总监Alex Yoon解释说。 DRAM单元以固定方式组织。这些单元成排排列，并具有位线结构，该位线结构连接到称为字线的存储地址中。该地址提供了一种识别数据存储位置的方法，字线形成了一条电气路径，使该行上的所有存储单元都可以同时被激活以进行存储（写）或检索（读）。” 。 图1：单个存储单元和阵列。资料来源：林氏研究 但是，随着时间的流逝，当晶体管关闭时，电容器将泄漏或放电。因此，电容器中存储的数据必须每64毫秒刷新一次，这会消耗系统功耗。 在每个节点上缩放或缩小DRAM单元也变得越来越困难。Applied Materials存储器技术董事总经理Gill Lee 在博客中说：“有了DRAM，几何横向缩放仍在继续，但是它正在放缓，并且如3D NAND一样，需要进一步的材料创新。” 缩放电容器是一个障碍。“在电池电容缩放方面，长宽比是一个挑战，”美光的Bell说。DRAM的另一个关键的缩放挑战是从电容器到数字线的电荷共享。这是您的时序规格，将电荷移至数字线上需要多少时间，然后可以将数字线制作多长时间的综合。所有这些因素都会影响扩展和扩展的挑战。” DRAM基于堆叠式电容器架构，其中电容器被连接并驻留在凹陷的沟道阵列晶体管结构上。 电容器是垂直的圆柱状结构。在圆柱体内部，电容器结合了金属-绝缘体-金属（MIM）材料叠层。该绝缘体基于二氧化锆高k材料，从而使该结构可在低泄漏时保持其电容。 在DRAM流中，首先制造晶体管，然后制造电容器。在每个节点处，目标是保持或增加圆柱形电容器内部的体积。但是在每个节点处，电容器都会收缩，这可能导致结构内部的体积减小。这等于存储电容器中的单元电容较小。 在20nm时，该行业在电容器缩放方面遇到了障碍。作为回应，三星开发了一种新的蜂窝电容器单元布局技术，起始于20nm。 传统上，微小的圆形电容器单元并排放置在结构的表面上。相比之下，三星将表面的细胞交错排列，类似于蜂窝状布局。这样就可以使用直径更大的更高电容器。使用相同的介电材料，蜂窝结构的单元电容比以前的版本大21％。 为了在工厂中制造这些结构，三星使用了193nm浸没式光刻和自对准双图案（SADP）工艺。在流中，先在表面上构图出孔，然后再蚀刻。重复该过程。沉积金属，然后使用原子层沉积（ALD）沉积高k材料。 扩展DRAM 利用晶圆厂中的这些技术和其他技术，三星，美光和SK海力士扩展了DRAM，并超越了20nm。 这并不容易。例如，图形化对准良好的电容器孔具有较大的挑战性。以高深宽比蚀刻电容也很困难。TechInsights的分析师Jeongdong Choe说：“ ALD和干法蚀刻都很难。“但是，在缩小的DRAM单元阵列上，非常薄且均匀的高k电介质沉积变得越来越重要。” 从2016年开始，供应商开始采用1xnm节点制，其中供应商在路线图中拥有三种DRAM产品（1xnm，1ynm和1znm）。最初，将1xnm节点定义为具有17nm至19nm几何形状的DRAM，1ynm是14nm至16nm，1znm是11nm至13nm。 今天，一些供应商已经放宽了扩展规格，在市场上造成了一些混乱。有些DRAM符合这些规格，而另一些则不符合。最重要的是，DRAM单元大小略有不同，大约为6F2。像元大小等于要素（F）大小乘以四平方。 总而言之，供应商正在逐步转移到1xnm节点体系，有时是1纳米接1纳米的逐步缩减。即使这样，供应商仍然能够在某种程度上减小模具尺寸。 2016年，三星发布了业界首个1xnm DRAM，即18nm器件。8Gbit器件比2xnm器件快30％，功耗更低。它还包含DDR4接口标准。双倍数据速率（DDR）技术在设备的每个时钟周期两次传输数据。DDR4的最高运行速度为3200Mbps。 如今，与此同时，DRAM供应商正在向下一个节点1ynm扩展设备。通常基于15纳米及以上工艺的1纳米DRAM将占今年出货量的大部分。IBS的琼斯说：“到今年年底，三星的GB容量的70％将为1纳米。” SK Hynix最近推出了16Gbit 1ynm DRAM，其密度是先前8Gbit版本的两倍。该设备还采用了新的DDR5接口标准。 最初，DDR5支持5200Mbps，比DDR4快60％。DDR5最高可支持6,400Mbps。 其他公司也正在发售DDR5 DRAM。移动版本称为LPDDR5。DDR4仍然是主流技术，尽管出于多种原因需要DDR5 / LPDDR5。 多年来，处理器供应商已转向多核CPU体系结构。但是，每核内存带宽几乎没有跟上。 OEM希望DRAM具有更快的数据传输速率。这就是DDR5的合适地方。“在这里，您可以获得带宽和容量。我们希望能够通过CPU内核进行扩展。考虑一下CPU内核数。在过去十年中，它已经上涨了约8倍。显然，内存必须紧跟潮流，才能跟上整体计算性能的步伐。”三星销售与营销高级副总裁Jim Elliott在最近的一次演讲中表示。 同时，下一个战场发生在下一个节点-1znm。美光是第一家出货1znm DRAM的供应商，其次是三星和SK Hynix。这些设备基于DDR4或DDR5规范。 每个供应商都声称在1znm具有领导地位。但并非所有部分都一样，并且缩放规格也有所不同。IBS的琼斯说：“现在有很多行销活动。” 除了1znm之外，供应商在路线图上还拥有三层以上规模的DRAM（1anm，1bnm和1cnm）。供应商尚未透露这些零件的细节，这些零件仍处于1xnm节点状态。 供应商在1安乃至更远的地方采取了不同的途径。在那些节点处，特征较小，且具有更多的遮罩层。为了简化过程，DRAM行业首次将EUV投入生产。 例如，SK Hynix计划在1anm使用EUV，该技术将于2021年面世。“三星在1z完成了对DRAM的EUV测试。但是，他们不会将EUV用于1z量产。相反，他们也许可以将其用于1a或1b批量产品。” TechInsights的Choe说。 EUV光刻扫描机使用13.5nm波长，以13nm分辨率对特征进行图案化。但是EUV是一项复杂的技术，比投入生产所需的时间更长。 不过，最近，三星和台积电已经在7nm逻辑节点上投入了EUV的生产，而R＆D为5nm。DRAM是EUV的下一个产品。“使用EUV，您可以获得更好的图案保真度。这些掩模层堆叠得越多，得到的图像就越模糊。” VLSI Research首席执行官Dan Hutcheson说道。 但是，并非所有人都转向EUV。在先进的DRAM节点上，美光计划将193nm浸没式光刻和SADP扩展到1bnm。对于1cnm，四倍图案正在开发中。 “我们正在继续评估EUV，”美光的Bell说。“我们的确相信，我们的音高乘法过程不仅具有竞争力。我们看不到EUV立即被拦截。” 这不是什么大惊喜。美光以尽可能延长给定的光刻技术而闻名。VLSI的Hutcheson说：“他们已经学会了如何极其节俭地使用工具，以及如何从中获得更多的生命。” “他们推动自己比任何人都更加努力。” 扩展DRAM将需要超过EUV。今天的1T1C DRAM可能会再延长几年，但可能会在12nm到10nm的范围内耗尽。 因此，业界正在寻找以4F2单元尺寸将DRAM扩展到10nm以上的方法。TechInsights的Choe说：“垂直门以及无电容器的1T DRAM单元是4F2的候选产品。” 这里存在一些挑战，特别是对于类似于3D结构的垂直栅极沟道晶体管。三星首席工程师Dongsoo Woo在最近的演讲中说：“问题在于字线到字线的耦合以及位线到位线的耦合。” DRAM替代品？ 同时，多年来，业界一直在开发几种可以替代DRAM和闪存的下一代存储器类型。 如今，供应商正在发售相变存储器（PCM），ReRAM和STT-MRAM。其他内存技术也在研发中。 下一代存储器具有快速，非易失性和无限的耐用性。但是这些新记忆还依赖于奇特的材料和复杂的转换机制，因此它们需要花费更长的时间来开发。另外，新的内存类型更昂贵。 每个新的内存类型都不同。PCM以非晶相和结晶相存储信息。STT-MRAM利用电子自旋的磁性。ReRAM通过改变材料的电阻来工作。 如今，PCM和STT-MRAM设备用于SSD的某些部分。在系统的某些但并非全部部分中，它们代替了DRAM。因此，可以肯定地说它们并没有完全取代DRAM。 UMC产品营销总监David Hideo Uriu表示：“目前，我们看不到任何可以直接替代DRAM的下一代存储器。” “我们确实看到通过使用MRAM替代SRAM 。但是对于持久替换DRAM的目标，我们只能看到“混合缓存” DRAM / MRAM组件。” STT-MRAM本身正在取得进展。“ MRAM技术将继续改善并更接近永久性存储器的目标。MRAM是最接近DRAM速度和性能的技术。“鉴于读取数据的速度接近DRAM，某些应用程序可能能够将其用作某些DRAM的替代品。再次，以“混合”形式，DRAM将用于缓存MRAM存储区域并提高性能，从而在某些应用中替代DRAM。” 结论 可以肯定的是，下一代内存类型很有希望。但是这些产品仍处于早期阶段。 在此之前，DRAM仍然存在并且运转良好，并且至少在可预见的将来，它可能还会存在。但是究竟有多久仍是一个未知数。 本文译自： Semiconductor Engineering ，原文链接：semiengineering.com/dram-scaling-challenges-grow

随着传统CMOS器件尺寸减小的极限临近，制造商和研究人员几乎都在努力解决复杂性、成本和风险等问题，从而新的晶体管和集成电路技术正在不断涌现。众多制造商和研究人员正在寻求新途径，创新新工艺和材料，为下一代芯片寻找性价比更好，性能更高的解决方案。下文展望10纳米以下器件几个领先的、有前景的途径。 寻找新途径 世界上一些最大的半导体制造商、无晶圆厂设计公司、创业公司和材料创新公司都有一个共同的目标 ：为下一代器件技术创造降低复杂性和成本，同时提供更好性能的路径。 越来越多的供应链行业专家认为，成本和复杂性已经增加到了只有最大的晶圆厂和设备制造商才能竞争的地步，寻找新途径替代现有尺寸缩小路线图已经势在必行。尽管全球晶圆厂领导者可以从与其独特的产品路线图相关的数十亿美元投资中受益，但其他技术的机会也在增长 ；研究人员不断寻求替代方法和新方法，以避免知识产权和专利问题，同时提供产生更快、更安全技术的手段。 微机电系统（MEMS）传感器体现了不受限于 300 毫米晶圆厂的先进技术。MEMS 设计不依赖尖端硬件，通常使用传统的 200 毫米技术，包括翻新工具和完善的制造工艺。这些工厂可以找到充足的高质量，训练有素的操作人才库和急于进入新游戏的服务专家库。 MEMS 技术已经充分证明了重要的新市场并不一定需要最新的与 300mm 晶圆结合的晶体管技术。2007年，随着智能手机的出现，MEMS 市场开始兴起。今天，MEMS 增长包括无人机和物联网网络设备在内的新应用，基本与智能手机保持同步。MEMS 高端传感器（HES）支持工业和商业需求，以及五年前并不存在的虚拟助手和其他终端应用产品。MEMS的理想晶圆尺寸目前为200毫米，这已经促成在中国建设了六个新的 200 毫米晶圆厂，用来满足全球的产能需求。 晶圆-晶圆键合实现下一代芯片 许多专家认为，在如英特尔，三星和台积电等制造商预测的大规模采用极紫外（EUV）光刻将在这个十年的后期发生之前，节点迁移将水平或垂直转移到 3D 设计。许多人预计 7 纳米与之前一个节点相比有显著的改善，这可能会延迟对 5 纳米器件的需求到 21 世纪 20 年代末。制造人员还有望创造融合任意数量的非传统方法的混合技术，包括碳纳米线，完全耗尽的绝缘硅（FDSOI）以及不同类型的晶圆键合。我们可以预期在 7/5 纳米开始大量采用前，将有 FinFET 和其他 10 纳米架构的多次迭代。与此同时，CEA Leti 的研究人员报告说，他们的 3D 堆叠技术CoolCube 已经达到了新的性能里程碑，并且现在正在寻求进行试生产的制造合作伙伴。该 CoolCube 方法相对于其他键合技术采用较低的温度，从而在对准和其他工艺步骤期间能够更好地保持晶体管的功能。CoolCube 在早期生产阶段获得了 1nm 或更小的偏移间距，而这样的对准精度通常需要某些更高温度的工艺。 寻找器件演进和缩小新方法的驱动力也是设计和制造能力日益不同的产物。传统的节点缩放已经变得非常昂贵，以至于它不再是提高密度和性能的“必要”解决方案。 即使那些全球最大的公司也在探索替代方案。对于无法投入数十亿美元到每个新节点的无厂设计团队尤其如此，因为并不总是有百万级器件市场机会来摊销高达 10位数的投资。虽然无厂设计人员正在寻求替代方案，但三星和苹果等主要消费设备制造商正着手构建自己的移动设备芯片，而包括亚马逊，Facebook 和谷歌在内的主要数据中心运营商正在构建设计云芯片。这种转变意味着独立开发商的规模量产市场将会减少，而多层次 / 多代产品生命周期内可以分摊高成本设计和工厂成本的情况则会更少。 大多数制造商和供应链供应商都希望有一条充满了全新的应用产品（如智能手机和笔记本电脑）的管道，饥渴等待着数百万量级的高价芯片。相反，新机遇只需要数百万个器件，或数十万个芯片来支持汽车，物联网（IoT），机器学习，增强 / 虚拟现实，医疗设备，可穿戴和印刷柔性电路应用。即使令人兴奋的新兴市场，例如已经产生数十亿收入的物联网，也会寻求低成本芯片，其中物联网技术中的主要潜在用户正在寻求每芯片低于 1 美元的先进器件。尽管与高价传统处理器相比，显然是“少量的钱”，但是，包括 IoT/IIoT 在内的新兴应用已经在推动市场，2017 年将半导体产量提高了 20％。 多核处理器再分区原理图 预计 2017 年销售额将突破 4000 亿美元，而晶圆厂设备销售额也首次跃升至 500 亿美元以上，这是历史上首次突破的里程碑。2017 年的增长率很不寻常，新兴应用获得了如此多的收益这一事实，促使市场分析师预测出 2018 年及以后的稳健机遇。SEMI 贸易组织估计，到2020 年，汽车电子市场（ADAS，汽车自动化，信息娱乐等）将实现 2800 亿美元的销售额，而到 2024 年，电子医疗器件将增长到超过 2 亿美元。如今的 2 万亿美元供应链预计到 2022 年将达到 4 万亿美元。这就是市场巨大的潜力。 替代技术需求不单单是受成本和复杂性限制的驱动。人们越来越认识到，与传统 2D 架构中的 28nm 晶体管相比，在高级节点时设计、检查和测试器件将更加困难。自从工业界进行了下一代集成电路尝试以来，人们对影响器件性能和产品寿命的物理效应现在有了更充分的了解。随着几何尺寸的缩小和芯片通过更薄晶圆制造，从而热量累积、ESD 和信号干扰也逐渐成为更严重的问题 ；这通常会导致更复杂（和昂贵）的测试协议和解决技术。较小的芯片也经常具有不同的电流要求，从而能够在越来越复杂的电路路径上加速信号，而即使是在微瓦范围内的逐步增加，这仍然是设计人员和制造人员必须克服的障碍。 在越来越多的移动应用中，这些因素尤其令人担忧。一个很好的新挑战例子就是我们在较大节点时可以处理的光刻边缘位置误差（EPE），但随着几何尺寸缩小到 7/5nm及以下，这种误差会越来越大。EUV 本身并不能解决所有与节点减小和晶体管特征尺寸缩小相关的问题。对于万亿分之一的要求，消除缺陷也变得更具挑战性，这会影响整个供应链中的多种关键资源，从液体和气体化学品到过滤，次洁净区真空和减排，等等。在原子尺度和变化上，并没有完美平滑线段这样的东西，这些在较大的节点处无关紧要的东西，可能在 10 纳米以下就是“杀手”。 与器件尺寸缩小、性能提升和功耗相关，各种不同大小的问题都正在通过各种各样的新工具和材料创新寻找解决方案。此外，对现有技术的产能和精度进行改进的新工艺和技术正显示出前景，不仅适用于新兴的市场，而且还可以降低成本，并允许我们今天在数百万级的器件市场中形成更多的差异化产品。 应用材料公司作为一家长期业界领先的材料创新供应商，正在展望下一代需求，同时支持全球规模制造中心当前的需求。在 2017SPIE 的先进光刻会议上，应用材料公司刻蚀和图案化战略副总裁 Uday Mitra 共同撰写了一篇关于减少边缘位置误差的论文，报告称通过使用该公司的 Sym3 反应器和专有技术，他们将关键线条误差率（LRE）从标准的 3.4nm 降至 1.3nm。通过使用最新的、高度先进的 3D 建模程序例如 Coventor 的软件解决方案，设计人员能够在虚拟空间中进行工艺集成实验，从而也可以获得性能提升。这些数据还提供了一种方法，用来估计由于侧壁剖面和 LER 的变化而导致的图案转移中良率的损失。 半导体供应链领导者还瞄准更多元化的国际制造业社区的需求，通过扩展、多样化和综合服务来满足当前和未来设计人员和制造人员的需求。AP ＆ S 国际有限公司（德国多瑙埃兴根）是一家重塑自身，扩大并重新设计其产品以满足全球制造商需求的公司典范。该公司专注于湿法工艺的不同方面，并提供独特的金属剥离方法来支持3D 器件制造以及前端和后端生产链的解决方案。 为了支持所有具有独特要求的大公司、研究小组和初创公司，AP ＆ S 公司提供各种各样的设备，从手动湿式工作台开始，到全自动化的多腔室系统，同时还有全新的和翻新的设备。AP ＆ S 公司认识到，越小的客户通常需要越多帮助来将新工具整合到他们的运营中，该公司提供广泛的售前和售后支持，其中包括一个功能齐全的演示中心，客户可以在其中试用然后来决定是否购买。现在，AP ＆ S 提供的支持包括全天候客户支持的不断增长的物联网接口阵列，让技术人员随时可以访问。在 SEMICONEuropa（2017 年 11 月）上，该公司引入了增强现实项目，专门用于诊断和故障排除。这些附加功能和客户服务理念贯穿于他们提供的所有内容中，对于解决生产周期中可能出现的各种问题特别有益。AP ＆ S 还修复设备（包括他们自己的和其他主要品牌），从而帮助创业公司和研究机构利用好有限的设备预算资金。 AP&S 全自动A系列湿法工作台 更新更小的半导体通常设计为利用超薄晶圆，这呈现为其独特的拾取和测试要求。在整个生产过程中，特别是在研磨和抛光（CMP工艺阶段）期间发生的缺陷，可能会破坏脆弱的芯片或给定了最终的器件失效阶段。 UnitySC（法国格勒诺布尔）正在扩张，部分原因是其 4See 系列产品超越了传统的背面晶圆检测，非常受欢迎。他们采用相移偏转（PSD）和共形共焦（CC）检测技术的方法，设计用来发现纳米级缺陷 ；Unity 的系统是独一无二的，并获得了专利授权。许多客户正在使用 UnitySC 的系统，用于检查双层双极IGBT 功率器件。该公司预计，针对每代新器件，采用单一工具在半导体背面及正面发现更多缺陷将变得越来越重要，公司因而将获得更大的成长潜力。 2017 年，Rudolph Technologies 鲁道夫技术公司宣布，其 Firefly 检测系统在中国销售猛增，并且第一批交付的设备已经认证进入生产，这也是扩大对精密检测和度量工具依赖的另一个迹象。Firefly 提供高分辨率的视觉和非视觉检测，从而支持各种先进的封装工艺，包括扇出晶圆级封装，板级和晶圆级 CSP。鲁道夫预计 2017 年第三季度该系统的收入将超过 500 万美元。 随着各种下一代器件架构从设计转向生产，2017 年也经历了传统上不被视为持续创新来源领域的增长 ：次洁净区。Reno Sub-Systems 里诺子系统公司（美国内华达州里诺市）宣布，其 2017 年年底的融资计划获得了 1120 万美元的投资，这本身并不是多大的纪录，但有趣的是主要支持者包括英特尔投资，三星风险投资公司，日立高科，SK 海力士（韩国内存芯片强厂），Lam Research（2017 年购买高级建模专业公司 Coventor）和 MKS 仪器公司（美国，有亚洲、欧洲和北美办事处）。 里诺专注于两项主要技术 ：芯片制造中使用的气体流量控制和工艺电气负载的阻抗匹配的射频功率发生。与传统解决方案相比，该公司的两款主要产品的性能均大幅提升，并专门针对了下一代器件制造的要求，相信其中严格控制的性能和更快的生产对公司的成功将是至关重要的。 随着越来越多的半导体制造商针对未来市场将他们的路径多样化，这反过来又驱动了供应商的响应能力，这些供应商不断面临挑战来开发新的方法以应对未来的需求。一家针对产品线不断增长响应的公司是 BrewerScience 公司（美国），该公司提供满足关键器件架构需求的材料和工艺，可以在减少晶圆应力，翘曲和高温限制的同时，实现更快的产量和更小的外形尺寸。 Brewer Science 公司的临时键合和剥离技术特别适用于扇出晶圆级封装（FO-WLP）。虽然“芯片最先”（chip-first）方法已经一直在用于大批量生产，但“芯片最后”（chiplast）方法仍在发展中。Brewer将其许多产品解决方案视为为客户提供的全面选择，而无论采取的是哪种方式。 就像服务于供应链不同部分的其他公司一样，Brewer公司提供了各种各样的选项以适应全球制造业的多样性。Brewer 已经支持跨越多代器件的临时键合 / 剥离要求，并且是为数不多的支持各种主要类型物理剥离方法的公司之一。他们的产品不断发展，现在包括采用激光系统的第四代解决方案 ；他们成功地提高了工艺温度范围，目前支持高达 350℃。 “我们在制造 2.5D，3D，化合物半导体，扇出（fanout）和其他工艺流程方面拥有近15 年的临时粘合材料开发和商业化经验。我们很早就意识到，一种产品甚至一种临时粘合材料的平台可能并不会适用于高级封装应用中所使用的所有工艺。每种工艺流程或器件类型都有一套独特的要求，而我们提供广泛的粘合材料和释放层组合，旨在支持这些单独的工艺。这种做法的结果是使得客户利益最大化，具体说就是在高产能和低拥有成本基础上提供简单的工艺。”Ram Trichur，Brewer Science 公司的晶圆级封装业务发展总监说。 Trichur 说，公司对最新一代工具越来越感兴趣，特别是在亚洲，尤其是中国。“我们所有的客户都从我们提供的优势中受益，而其中一些客户的成功案例尤为引人注目。一家北美的化合物半导体器件的制造商采用蜡材料来粘合，由于蜡的热性能和机械性能差，其背面工艺期间总良率的损失约为30%。引进了我们一种新的临时粘合材料，其良率随后增加到 99% 以上，”Trichur 说。 除了能够提高掩模对准精度并能够在较低温度下实现更薄薄膜工艺的解决方案外，制造商还在寻求原子级沉积（ALD）及其近亲原子级刻蚀（ALE）以远胜以往地更精确控制材料去除。目前的刻蚀剂通常用于去除整个晶圆上的材料，这并不总是我们希望得到的。ALE 提供更高的精度以及在该领域的不断进步，从而正在重新定义精确刻蚀。应用材料公司认为他们的工艺与 ALE 互补，为客户提供更多的控制，包括正在研究的新方法可以在不大幅延迟生产、不实施 EUV 或安装其他前沿光刻工具的情况下“去除”不需要的材料。 定向自组装（Directed Self Assembly, DSA）作为支持先进节点缩小的手段，同时还有助于降低线边缘粗糙度（LER）而继续获得关注。Brewer Science 公司于 2015年与 Arkema 集团合作，促成第一代 DSA 聚合物的大批量生产。Arkema 是一家总部位于法国的高性能材料专业公司，其全球业务和 2016 年销售额达 75 亿欧元。Brewer公司也正在开发第二代聚合物，这对于在未来的节点中启用 DSA 至关重要。现在 Brewer 和 Arkema 之间的合作关系正在寻求商业化这些高 k 嵌段共聚物用于 DSA。第一代聚合物支持低至 22nm 的器件，而第二代聚合物则支持5nm 及以下的器件，Brewer 公司和大多数行业专家一致认为，在不依赖 EUV 或复杂的多步图案化方案情况下来扩展到器件缩小是至关重要的。 “DSA 代表了比 EUV 更低成本和更高产能的解决方案，但另一个巨大的成本优势在于降低了掩模需求。DSA仍然需要光刻和刻蚀工艺，但与多步图案化相比，这些成本更低。EUV 掩模是 EUV 步骤成本的重要组成部分。DSA 还提供了一项技术优势，现在它就可以达到比其他图案技术更小的特征尺寸，”Brewer 公司的半导体业务发展总监 Hao Xu 说。 除了比 EUV 更具成本优势之外，Brewer 还表示它将继续探索 DSA，因为他们认为该工艺与 EUV 互补。已经使用 EUV 的公司可能会得出结论，将 DSA 与 EUV 相结合可以更好地支持他们实现目标。 “DSA 和 EUV 是互补的，因为更小的间距可以用EUV 打印，而无法用浸没式光刻技术打印。更小的间距意味着两件事情 ：使用 DSA 可以降低倍乘因子，从而降低缺陷的可能性。此外，存在使用 EUV 时在化学外延流体中消除修整刻蚀台阶的可能性。EUV 还可以提供用于接触孔倍增的制图外延法模板。同样重要的是要注意，由于 EUV 在较小节点处的分辨率限制，DSA有可能帮助延缓时间，甚至消除对高 NA（数值孔径）EUV 工具的需求，”Xu 补充说。 EMP 高性能材料（Merck KGaA 公司的一个部门，德国达姆施塔特）继续发展其对先进半导体工艺材料科学的承诺。Merck 集成电路材料事业部负责人 Rico Wiedenbruch 表示，他的部门专注于行业面临的许多与尺寸缩小相关的挑战，提供各种新颖的解决方案来满足这些需求，并解决挑战物理极限的尺寸缩小障碍。他表示，该公司用于原子层沉积的先进前驱体材料是生产非常薄、高度可控共形薄膜的交钥匙解决方案。 EMP 产品组合扩展到传统半导体制造的许多领域，包括前端和后端封装。Wiedenbruch 表示 EMP 最新的解决方案瞄准微处理器、DRAM 和 NAND 闪存，并且正在扩展用于支持存储器件和 3D NAND 单元的 ALD 前驱体。他注意到客户面临的某些最大问题与图案坍塌有关，这个可以通过他们的工艺冲洗材料的 FIRM 生产线来解决 ；他们还为 DSA 提供嵌段共聚物。他们的 RELACS 收缩材料工艺线设计用于支持制造可能比以前窄得多的器件特征尺寸。 半导体器件的垂直堆叠已成为一种用来实现更高器件密度和更高性能的越来越可行的方法。晶圆-晶圆键合是构建3D堆叠器件的关键步骤。 虽然材料供应商正在为下一代节点开发和验证资源，但其他公司正在利用这些工具来进一步推进 3D 堆叠等技术。CEA Leti（格勒诺布尔）和 EV Group（奥地利圣弗洛里安）于 2017 年末宣布，他们已经实现了两家公司都认为的业界第一 ：一种成功的 300mm 晶圆 - 晶圆直接混合键合，间距尺寸连接小至 1μm。 半导体器件的垂直堆叠已成为一种用来实现更高器件密度和更高性能的越来越可行的方法。晶圆 - 晶圆键合是构建 3D 堆叠器件的关键步骤。要求晶圆之间的密切对准和重叠精度，从而实现良好的电接触，同时最小化键合界面处的互连区域。这是一个关键因素，因为实现它以后可以增加每个晶圆上更多可用的芯片空间，从而提高良率。支持组件路线图所需间距的不断减小，正在推动每一代新产品都采用更紧密的晶圆 - 晶圆键合规范。在法国格勒诺布尔的 Leti 设施的产品演示使用了 EV Group 的 GeminiFB XT 自动生产型键合系统。 EVG GEMINI自动生产型晶圆键合系统 “据我们所知，这是第一次报道的 1.5 微米以下的铜线混合键合可行性证明，”Leti 的键合工艺工程主管 Frank Fournel 表示，“这次最新的演示代表了真正的突破和重要的一步，将促进高密度 3D 芯片堆叠实现并最终商业化。” 对晶体管设计和制造的替代方法的研究是 Leti、imec 集团（比利时鲁汶）和德国以及其他地方的多个弗劳恩霍夫研究所的一项强有力活动。imec 研究人员最近的一个公告涉及栅全纳米线场效应晶体管（FET），其中组织成一种新的垂直配置。这种技术被认为是一个强有力的候选，可以扩展今天的 CMOS 缩小到其极限。imec 指出，由于具有优异的性能 - 面积比，垂直纳米线似乎特别吸引人们用来制造高密度静态随机存取存储器（SRAM）单元。此外，当用于构建这些 SRAM 单元时，垂直纳米线 FET 可以在混合尺寸缩小中发挥关键作用，这是一种新兴的方法，集成了片上系统中的多个晶体管架构。 纳米线 FET 可以以横向或垂直配置实施。横向配置的器件仍然使用传统的 2D 布局，这意味着它们最终会达到与现有 FinFET 已经遇到的障碍类似的物理限制。在水平组织纳米线的情况下，可用于栅和接触布置的空间将变得非常小，从而可能器件都不能有效运行。 另外，后工艺中，越来越狭窄的空间有太多的金属线会引起互连路有阻塞和电流泄漏的可能性。imec 研究人员认为这些问题为垂直 GAA 纳米线 FET 提供了机会。采用这些器件，设计可以从二维布局转变为三维布局，其中栅极长度在垂直方向上定义。这种颠覆性创新需要早期的工艺设计协同优化，但这也意味着在不消耗更大晶圆面积的情况下，栅极长度可以更加宽松。这还允许纳米线直径的一些弛豫，同时保持对短沟道效应的控制。 结论 传统的 CMOS 尺寸缩小正变得越来越复杂和昂贵，这导致半导体制造商寻求替代来满足在更低成本下的更高性能需求。这种驱动力包括开发极紫外（EUV）光刻来取代多步图案浸没光刻 ；ASML（荷兰）和大型制造商英特尔和三星最新的 EUV 预测表明 EUV 正在达到稳定。 一旦实施，EUV 可能需要进一步改进，从而扩展每小时能够以可接受良率生产的晶圆数量。英特尔、三星和台积电都表示，他们计划在未来介于 7 纳米和 5 纳米之间的技术节点上使用 EUV。与此同时，所有主要制造商正在寻求长期器件尺寸减小的替代方案，这可能完全避免采用 EUV 或延迟其推出时间。 缩小尺寸（有或没有 EUV）到低于 5nm 是可能的。越来越多的研究人员，器件制造人员和材料专家正在探索替代先前在向新节点转变时所采用的“暴力”缩小方法，即传统的尺寸缩小过程中相对简单的实施。 毫无疑问，针对高性能要求的未来晶体管设计将包括可以使用键合和堆叠器件的各种 3D 架构以及替代技术，比如由 Globalfoundries，意法半导体，CEA Leti 和三星等众多公司领衔的完全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）。 原子尺度沉积和刻蚀将可能支持这些策略，因为材料科学在支持新架构和工艺技术方面将继续发挥更大的作用。 全球半导体市场中，在控制成本的同时，多种策略肯定会出现成为提高性能的有效手段。虽然包括智能手机、计算和娱乐在内的主要消费类产品部分，预计将继续以大批量推动内存和其他高性能应用，但更多的机会正在出现，需要更低的批量方法和快速的定制。 新兴应用，例如物联网、IIoT、汽车电子、医疗和可穿戴电子产品正在形成一个全新的全球半导体市场，并将在未来几年持续发展。 作者：Silicon Semiconductor杂志的技术编辑Mark Andrews, 出处：半导体芯科技