标签: 双向tvs二极管

区别： TVS 和齐纳稳压管 都能用作稳压，但是齐纳击穿电流更小，大于 10V 的稳压只有 1mA ，相对来说要比齐纳二极管击穿电流要大不少，但是齐纳 二极管稳压精度可以做的比较高。 TVS ： 是一种二极管形式的高效能保护器件 ;TVS 也是中国南方电视台的英文呼号 ;TVS 还是英文 Transvaginal Ultrasonography ( 阴道超声检查 ) 的缩写，常见于超声检查报告单。 TVS 是一种二极管形式的高效能保护器件。当 TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以 10 的负 12 次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应速度快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点，已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交 / 直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表 ( 电度表 ) ， RS232/422/423/485 、 I/O 、 LAN 、 ISDN 、 ADSL 、 USB 、 MP3 、 PDAS 、 GPS 、 CDMA 、 GSM 、数字照相机的保护、共模 / 差模保护、 RF 耦合 /IC 驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频 / 视频输入、传感器 / 变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。 稳压二极管： 英文名称 Zener diode ，又叫齐纳二极管。利用 pn 结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。 此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件 . 在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。 稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。

在选用 TVS 时，应考虑以下几个主要因素： (1) 若 TVS 有可能承受来自两个方向的尖峰脉冲电压 ( 浪涌电压 ) 冲击时，应当选用双极性的，否则可选用单极性。 (2) 所选用 TVS 的 Vc 值应低于被保护元件的最高电压。 Vc 是二极管在截止状态的电压，也就是在 ESD 冲击状态时通过 TVS 的电压，它不能大于被保护回路的可承受极限电压，否则器件面临被损坏的危险。 (3)TVS 在正常工作状态下不要处于击穿状态，最好处于 VR 以下，应综合考虑 VR 和 VC 两方面的要求来选择适当的 TVS 。 稳压管 (4) 如果知道比较准确的浪涌电流 IPP ，则可利用 VCIpp 来确定功率 ; 如果无法确定 IPP 的大致范围，则选用功率大些的 TVS 为好。 PM 是 TVS 能承受的最大峰值脉冲功率耗散值。在给定的最大箝位电压下，功耗 PM 越大，其浪涌电流的承受能力越大 ; 在给定的功耗 PM 下，箝位电压 VC 越低，其浪涌电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。 (5)TVS 所能承受的瞬态脉冲是不重复的，器件规定的脉冲重复频率 ( 持续时间与间歇时间之比 ) 为 0.01% 。如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，不然有可能损坏 TVS 。 (6) 对于小电流负载的保护，可有意识地在线路中增加限流电阻，只要限流电阻的阻值适当，一般不会影响线路的正常工作，但限流电阻对干扰所产生的电流却会大大减小。但这样可能选用峰值功率较小的 TVS 管来对小电流负载线路进行保护。 (7) 电容量 C 是由 TVS 雪崩结截面决定的，这是在特定的 1 MHz 频率下测得的。 C 的大小与 TVS 的电流承受能力成正比， C 太大将使信号衰减。因此， C 是数据接口电路选用 TVS 的重要参数。对于数据 / 信号频率越高的回路，二极管的电容对电路的干扰越大，形成噪声或衰减信号强度也大，因此，需要根据回路的特性来决定所选器件的电容范围。高频回路一般选择电容应尽量小 ( 如 LCTVS 、低电容 TVS ，电容不大于 3 pF) ，而对电容要求不高的回路，电容的容量选择可高于 40pF 。 (8) 为了满足 IEC61000-4-2 国际标准， TVS 二极管必须达到可以处理最小 8 KV(MB ，接触 ) 和 15 kV(BM, 空气 ) 的 ESD 冲击，有的半导体生产厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。而对于某些有特殊要求的便携设备应用，设计者可以按需要挑选器件。

在电子产品的设计制造工艺中使用 ESD 防护器件在 STM 和 PCB 设计中应用已经很广泛，比如，经常使用的手机内部电路，还有 PC 主板中的防静电工艺等。在此我们总结归纳一下都有哪些 ESD 保护器件 。 ​ 一、 ESD ： Electrostatic Discharge 就是当静电能量达到一定程度后，击穿其间介质而进行放电的现象。 是一种极快的瞬间脉冲电流。 ESD 的特点是持续时间短 ( 在 0.7~1ns 之间 ) ，低能量，瞬时高电压。 二、防护措施 ESD 保护器件要有能力把静电放电的瞬间高电压抑制到被保护器件可承受的电压范围内。在为给定的应用选择最佳保护器件的时候，要考虑到 ESD 保护器件能够迅速响应并把 ESD 电压控制到较低的电平。 三、 ESD 保护器件的分类和性能对比 1) 在 ESD 的保护器件上采用硅材料技术，有代表性的如 TVS 二级管。 2) 保护器件上使用了氧化锌材料技术，如多层氧化锌压敏电阻 MLV 。 3) 以高分子聚合物技术为代表的保护器件。 4)AEM 科技新推出的新一代 ESD 保护器件 “***iode” 静电保护器，采用独有的玻璃陶瓷材料、自有专利制造工艺实现设计 ; 具有低漏电流 (<0.1nA), 强耐受静电冲击，高稳定性，低钳位电压 (<50V), 低容值 (<0.25pF) 等性能优势，相比较其它的 ESD 保护器件具有较佳的性价比。