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UPD78F0731初级用户手册初级用户手册PD78F07318-位单片微控制器PD78F0731文档编号U17577CA2V0UD00(第二版)发行日期2007年3月NSCP(K)2005日本印制[MEMO]2初级用户手册U17577CA2V0UDCMOS设备注意事项①输入引脚处的电压波形输入噪音或一个反射波引起的波形失真可能导致错误发生。如果由于噪音等的影响使CMOS设备的输入电压范围保持在VIL(MAX)和VIH(MIN)之间，设备可能发生错误。在输入电平固定时以及输入电平从VIL(MAX)过渡到VIH(MIN)时的传输期间，要防止散射噪声影响设备。②未使用的输入引脚的处理CMOS设备的输入端保持开路可能导致误操作。如果一个输入引脚未被连接，则由于噪音等原因可能会产生内部输入电平，从而导致误操作。CMOS设备的操作特性与Bipolar或NMOS设备不同。CMOS设备的输入电平必须借助上拉或下拉电路固定在高电平或低电平。每一个未使用引脚都应该通过附加电阻连接到VDD或GND。如果有可能尽量定义为输出引脚。对未使用引脚的处理因设备而异，必须遵循与设备相关的规定和说明。③ESD防护措施如果MOS设备周围有强电场，将会击穿氧化栅极，从而影响设备的运行。因此必须采取措施，尽可能防止静电产生。一旦有静电，必须立即释放。对于环境必须有适当的控制。如果空气干燥，应当使用增湿器。建议避免使用容易产生静电的绝缘体。半导体设备的存放和运输必须使用抗静电容器、抗静电屏蔽袋或导电材料容器。所有的测试和测量工具包括工作台……

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78K0S_KB1+SDIP封装基本产品信息基本产品信息MOS集成电路PD78F9232CS,78F9234CS8位单片微控制器PD78F9232CS，78F9234CS是78K0S微控制器中的8位单片微控制器。这些微控制器具有单电压自编程FLASH存储和许多外围设备的特点。下列用户手册提供了详细功能描述。请在设计之前阅读。78K0S/KB1+用户手册:U17446E78K/0S系列指令用户手册:U11047E特点最小指令周期时间可以从高速(0.2s)到低速(3.2s)(CPU时钟为10MHz)中选择。多用途寄存器：8位8寄存器ROM和RAM容量……

78K0S/KB1+系列用户手册下载用户手册78K0S/KB1+8位单片微控制器PD78F9232PD78F9234版次：U17446EJ2V0UD00(第一版)印次：2005年4月NSCP(K)NEC公司2005日本印制[备忘录]2用户手册U17446EJ1V0UDCMOS设备注意事项①输入引脚处的电压适用波形因输入噪声或反射波产生的干扰可能产生故障。如果由于噪声等影响，CMOS设备的输入端电平停留在VIL(最大)和VIH(最小)之间，该设备可能产生故障。当输入电平固定时，和在传输阶段当输入电平在VIL(最大)和VIH(最小)之间时，切记避免波动噪声进入设备。②未使用的CMOS输入引脚的处理CMOS设备输入端未连接将会产生工作故障。如果输入引脚未连接，则由于噪音等原因可能会产生内部输入电平，从而导致故障。CMOS设备的运行与Bipolar或NMOS设备不同。必须借助上拉或下拉电路使CMOS设备的输入电平固定在高电平或是低电平。如果每个未用的引脚可作为输出引脚的话，那么它们可以通过电阻与VDD或GND连接。对未使用引脚的处理因设备而异，必须遵循与设备相关的规定和说明。③半导体的ESD防护措施如果MOS设备周围有强电场，将会击穿氧化栅极，从而影响设备的运行。因此必须采取措施，尽可能防止静电产生，而且一旦有静电，必须立即释放。对于环境必须有适当的控制。如果空气干燥，应当使用加湿器。建议避免使用绝缘体，因为它们容易产生静电。半导体设备的存放和运输必须在抗静电容器、抗……