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    时间: 2020-1-5 21:43
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    上传者: 二不过三
    本章将向读者介绍如何使用SILVACO公司的TCAD工具ATHENA来进行工艺仿真以及ATLAS来进行器件仿真。假定读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及MOSFET和BJT的基本概念。§1工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD本章将向读者介绍如何使用SILVACO公司的TCAD工具ATHENA来进行工艺仿真以及ATLAS来进行器件仿真。假定读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及MOSFET和BJT的基本概念。1.1使用ATHENA的NMOS工艺仿真1.1.1概述本节介绍用ATHENA创建一个典型的MOSFET输入文件所需的基本操作。包括:a.创建一个好的仿真网格b.演示淀积操作c.演示几何刻蚀操作d.氧化、扩散、退火以及离子注入e.结构操作f.保存和加载结构信息1.1.2创建一个初始结构1定义初始直角网格a.输入UNIX命令:deckbuild-an&,以便在deckbuild交互模式下调用ATHENA。在短暂的延迟后,deckbuild主窗口将会出现。如图1.1所示,点击File目录下的EmptyDocument,清空DECKBUILD文本窗口;[pic]图1.1清空文本窗口b.在如图1.2所示的文本窗口中键入语句goAthena;[pic]图1.2以“goathena”开始接下来要明确网格。网格中的结点数对仿真的精确度和所需时间有……