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如何处理实际布线中的一些理论冲突的问题1．如何处理实际布线中的一些理论冲突的问题问：在实际布线中，很多理论是相互冲突的；例如：1。处理多个模/数地的接法：理论上是应该相互隔离的，但在实际的小型化、高密度布线中，由于空间的局限或者绝对的隔离会导致小信号模拟地走线过长，很难实现理论的接法。我的做法是：将模/数功能模块的地分割成一个完整的孤岛，该功能模块的模/数地都连接在这一个孤岛上。再通过沟道让孤岛和“大”地连接。不知这种做法是否正确？2。理论上晶振与CPU的连线应该尽量短，由于结构布局的原因，晶振与CPU的连线比较长、比较细，因此受到了干扰，工作不稳定，这时如何从布线解决这个问题？诸如此类的问题还有很多，尤其是高速PCB布线中考虑EMC、EMI问题，有很多冲突，很是头痛，请问如何解决这些冲突？多谢！答：1.基本上,将模/数地分割隔离是对的。要注意的是信号走线尽量不要跨过有分割的地方(moat),还有不要让电源和信号的回流电流路径(returningcurrentpath)变太大。2.晶振是模拟的正反馈振荡电路,要有稳定的振荡信号,必须满足loopgain与phase的规范,而这模拟信号的振荡规范很容易受到干扰,即使加groundguardtraces可能也无法完全隔离干扰。而且离的太远,地平面上的噪声也会影响正反馈振荡电路。所以,一定要将晶振和芯片的距离进可能靠近。3.确实高速布线与EMI的要求有很多冲突。但基本原则是因EMI所加的电阻电容或ferritebead,不能造成信号的一些电气特性不符合规范。所以,最好先用安排走线和PCB叠层的技巧来解决或减少EMI的问题,如高速信号走内层。最后才用电阻电容或ferritebead的方式,以降低对信号的伤害。2.钟在……

电磁兼容性（EMC）设计需要考虑的问题……

手机RF设计的问与答1.什么是RF？答：RF即Radiofrequency射频，主要包括无线收发信机。2.当今世界的手机频率各是多少（CDMA，GSM、市话通、小灵通、模拟手机等）？答：EGSMRX:925-960MHz,TX:880-915MHz；CDMAcellular(IS-95)RX:869-894MHz,TX:824-849MHz。3.从事手机Rf工作没多久的新手，应怎样提高？答：首先应该对RF系统(如功能性)有个系统的认识，然后可以选择一些芯片组，研究一个它们之间的连通性(connectivitiesamongthem)。4.RF仿真软件在手机设计调试中的作用是什么？答：其目的是在实施设计之前，让设计者对将要设计的产品有一些认识。5.在设计手机的PCB时的基本原则是什么？答：基本原则是使EMC最小化。6.手机的硬件构成有RF/ABB/DBB/MCU/PMU，这里的ABB、DBB和PMU等各代表何意？答：ABB是AnalogBaseBand，DBB是DititalBaseband，MCU往往包括在DBB芯片中。PMU是PowerManagementUnit,现在有的手机PMU和ABB在一个芯片上面。将来这些芯片(RF,ABB,DBB,MCU,PMU)都会集成到一个芯片上以节省成本和体积。7.DSP和MCU各自主要完成什么样的功能？二者有何区别？答：其实MCU和DSP都是处理器，理论上没有太大的不同。但是在实际系统中，基于效率的考虑，一般是DSP处理各种算法，……

调制和开关谱的问题调试方法调制和开关谱的问题，有下面的途径可以解决：１.检查２６ＭＨｚ的晶体，有没有贴反？有没有来料不良，如果它有问题，那输出的ＩＱ信号就有问题，后面的指标就不用说了（一般它的ｌａｙｏｕｔ走线应该都没有什么问题的）。２.查ｌａｙｏｕｔ的ＩＱ四路信号，看有没有其它的控制信号正好穿过他们，一般的都做了保护，应该来说这个的可能性不大。３.ＴＲＡＮＳＣＥＩＶＥＲ本生的来料不良，或者与ＶＣＯ、ＳＹＳ、ＴＣＸＯ的电源退耦，有没有做好。4.PA到TRANSCEIVER的匹配，这个不调试好的话，到PA输入端的功率就会偏大（经验认为是这样的），这样对测试调制谱和开关谱都不利。5.PA本身物料的问题，一般调试ＰＡＶＢＡＴ的退耦电容会对相位误差帮助大点，但是万事无绝对，调制谱虽然理论上只与ＴＲＡＮＳＣＥＩＶＥＲ和它自身退耦电容、以及晶体有关，但是PA是进一步放大功率，难保非线性调制会产生的寄生分量会有很大的余量。6.PA的输出匹配，这里调试虽然只和功率和电流有关，但是对调制铺、相位误差、开关谱都会有些影响，但不是主要的影响。7.天线开关是集成的，还是独立的？天线开关的隔离度不够，会串回TRANSCEIVER，进而影响到收发机的VCO。8.屏蔽罩的影响，你可以试着拿下TRANSCEIVER的屏蔽罩后，看一下你所测试的指标是不是会有好转，有的话，想想怎么去改屏蔽框和屏蔽罩，改变腔体谐振频率。9.如果是开关谱的问题，一般调试RAMPPROFILE就差不多了或者ＶＲＡＭＰ的那个低通滤波器的电容，往哪个方向改，自己试一试。10.软件的问题，修改L1D_CUSTOM_RF的参数？修改哪个参数呢？哪个射频配置文件里面有很多参数，其实我们一般改PT1和PT2，有时候PR1和PR2也要改，……

关于IC驱动能力的问题关于IC驱动能力的问题tziang@hotmail.com2006-11-24问题提出：弄不清什么时候要加74LS255等以提高驱动能力，还有像“只能驱动一个TTL”是从哪方面考虑的？分析：假设有一个单一输出的逻辑门，它的输出作为许多输入的驱动，如下图所示（非门），假设这些逻辑门的输入都有10Kohm的上拉到电源(防止没有输入时，输出状态不定，避免上述情况发生设置了输入上拉到电源，同时考虑到输入低时电流不致过大，通常设定该上拉电阻大于10kohm)现在开始举例：假设输出为低(下面的管子导通)，对于TTL电平，则要求A点的电压不高于0.8V，由于管子本身有个导通电阻，我们假设为100ohms,所以A点的电压会随着后面所驱动的门数上升而逐渐升高，也就是说最多有多少个10kohm的电阻并联再与100ohm分压后，仍然可以保持A点的电压不高于0.8V，根据临界状态：可以算出N=19，一旦多于此将可能工作异常，需要注意的是，驱动输入端，使其在高电压时即要求A点为高是没有问题，因为上拉电阻会帮助Th使得输出端上拉为+5V以上是从负载的输入阻抗来考虑的下面从负载的输入容抗来考虑：驱动其它19个逻辑门看起来好像是小事，所以，读者也许会觉得扇出(fan-out)的数目并不是很重要。假设由单一的输出端将19个输入电压降到接地值，再假设，每个输入端的寄生电容值为10pF,则全部就有190pF的容值，要将电容充电完毕需要100ohmx190pF=19nS,而放电时间为此值得2-3倍。假设最坏的状况，延迟时间Td=57nS，考虑一主频200MHz的个人电脑，执行每条指令时间为1/200000000=5nS,所以对于高速电路而言，我们必须要限……

工作站环境下的Modelsim的使用要注意的问题(有人要的,...,工作站环境下的Modelsim的使用要注意的问题……

压控振荡器研制过程中的问题探讨……