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机器人用指形触觉传感器

BGA焊盘设计与布线应用指南,BGA焊盘设计与布线应用指南……

TVS二极管应用指南瞬态电压抑制二极管应用指南第一章TVS器件的特点、电特性和主要电参数一、TVS器件的特点瞬态（瞬变）电压抑制二级管简称TVS器件，在规定的反向应用条件下，当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时，其工作阻抗能立即降至很低的导通值，允许大电流通过，并将电压箝制到预定水平，从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位响应时间仅为1ps（10-12S）。TVS允许的正向浪涌电流在TA＝250C，T＝10ms条件下，可达50～200A。双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压箝制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS一般用于直流电路。二、TVS器件的电特性1、单向TVS的V-I特性如图1-1所示，单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同，反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿，为典型的PN结雪崩器件。从击穿点到VC值所对应的曲线段表明，当有瞬时过压脉冲时，器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值，并保持在这一水平上。2、双向TVS的V-I特性如图1-2所示，双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合，其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性，正反两面击穿电压的对称关系为：0.9≤V(BR)(正)/V（BR）(反)≤1.1，一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压VC就会立刻被抑制掉，双向TVS在交流回路应用十分方便。三、TVS器件的主要电参数1、击穿电压V(BR)器件在发生击穿的区域内，在规定的试验电流I(BR)下，测得器件两端的电压称为击穿电压，在此区域内，二极管成为低阻抗的通路。2、最大反向脉冲峰值电流IPP在反向工作时，在规定的脉冲条件下，器件允许通过的最大脉冲峰值电流。IPP与最大箝位电压VC(MAX)的乘积，就是瞬态脉冲功率的最大值。……

新康达磁芯产品选用指南NCDISO90012003FERRITECORESSELECTIONGUIDE2003NEWCONDAMAGNETICINDUSTRIALCO.,LTD.TheEnterpriseProfileNanjingNewCondaMagneticindustrialCo.,Ltd(NCD)wasestablishedin1990.Nowourcompanycoversanareaof15000squaremetersandstructuralaresisalmost10000squaremeters.ASaprivatecompanywehavemorethan260staffmembersamongwhom20areseniorengineersandprofessionaltechnician.Thetenetofourcompanyisthatweshoulddothebestinsteadofthebiggest.Weareequippedwithadvancedproductionandinspectionfacilities,adoptingadvancedtechnicsandmodermenterprisemanagementmode.Basedonit,wecanprovidehigh-qualityferritecores.Ourcompanyisspecializedinmanufacturingferritecores.Theproductsincludehighfrequencylowlossferritec……

电容器使用指南使用指南：1铝电解电容器基本的电性能1.1电容量电容器的电容量由测量交流容量时所呈现的阻抗决定。交流电容量随频率、电压以及测量方法的变化而变化。JISC5102规定:铝电解电容的电容量的测定是在120HZ频率,最大交流电压为0.5Vrms、DCbias电压为1.5～2.0V的条件下进行。铝电解电容器的容量随频率的增加而减小。以下是典型的电容量随频率变化图：容量变化率(%)频率(Hz)和频率一样，测量时的温度对电容器的容量有一定的影响。随着测量温度的下降，电容量会变小。以下是典型的电容量随频率变化图：容量变化率(%)温度(℃)另一方面，直流电容量，可通过施加直流电压而测量其电荷得到，在常温下容量比交流稍微的大一点，并且具有更优越的稳定特性。1.2Tanδ（损耗角正切）在等效电路中，串联等效电阻ESR同容抗1/ωC之比称之为Tanδ，其测量条件与电容量相同。Tanδ=RESR/(1/ωC)=ωCRESR其中：RESR=ESR（120Hz）ω=2πff=120HzTanδ随着测量频率的增加而变大，随测量温度的下降而增大。以下是典型的电容量随频率变化图：1.3阻抗（Z）：在特定的频率下，阻碍交流电通过的电阻就是所谓的阻抗（Z）。它与容量以及电感密切相关，并且与等效串联电阻ESR也有关系。具体表达式如下：其中：Xc=1/ωC=1/2πfCXL=ωL=2πfL以下是典型的电容量随频率变化图：由图可知电容的容抗（Xc）在低频率范围内随着频率的增加逐步减小，频率继续增加达到中频范围电抗（XL）降致ESR。当频率达到高频范围感抗（XL）变为主导，所以电抗随着频率的增加而增加。由于电解液电导率随温度改变而改变，所以阻抗随着温……

晶体振荡器选用指南选用指南晶体振荡器被广泛应用到军、民用通信电台，微波通信设备，程控电话交换机，无线电综合测试仪，BP机、移动电话发射台，高档频率计数器、GPS、卫星通信、遥控移动设备等。它有多种封装，特点是电气性能规范多种多样。它有好几种不同的类型：电压控制晶体振荡器（VCXO）、温度补偿晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO），以及数字补偿晶体振荡器（MCXO或DTCXO）,每种类型都有自己的独特性能。如果您需要使您的设备即开即用，您就必须选用VCXO或温补晶振，如果要求稳定度在0.5ppm以上，则需选择数字温补晶振（MCXO）。模拟温补晶振适用于稳定度要求在5ppm～0.5ppm之间的需求。VCXO只适合于稳定度要求在5ppm以下的产品。在不需要即开即用的环境下，如果需要信号稳定度超过0.1ppm的，可选用OCXO。频率稳定性的考虑晶体振荡器的主要特性之一是工作温度内的稳定性，它是决定振荡器价格的重要因素。稳定性愈高或温度范围愈宽，器件的价格亦愈高。工业级标准规定的-40～+75℃这个范围往往只是出于设计者们的习惯，倘若-30～+70℃已经够用，那么就不必去追求更宽的温度范围。设计工程师要慎密决定特定应用的实际需要，然后规定振荡器的稳定度。指标过高意味着花钱愈多。晶体老化是造成频率变化的又一重要因素。根据目标产品的预期寿命不同，有多种方法可以减弱这种影响。晶体老化会使输出频率按照对数曲线发生变化，也就是说在产品使用的第一年，这种现象才最为显著。例如，使用10年以上的晶体，其老化速度大约是第一年的3倍。采用特殊的晶体加工工艺可以改善这种情况，也可以采用调节的办法解决，比如，可以在控制引脚上施加电压（即增加电压控制功能）等。与稳定度有关的其他因素还包括电源电压、负载变化、相位噪声和抖动，这些指标应该规定出来。对于工……

运算放大器使用指南,运算放大器使用指南……

RFID常见频段与应用指南RFID工作频率指南和典型应用德州仪器半导体技术(上海)有限公司胡洪洲目前定义RFID产品的工作频率有低频、高频和甚高频的频率范围内的符合不同标准的不同的产品,而且不同频段的RFID产品会有不同的特性。其中感应器有无源和有源两种方式，下面详细介绍无源的感应器在不同工作频率产品的特性以及主要的应用。一、低频(从125KHz到134KHz)其实RFID技术首先在低频得到广泛的应用和推广。该频率主要是通过电感耦合的方式进行工作,也就是在读写器线圈和感应器线圈间存在着变压器耦合作用.通过读写器交变场的作用在感应器天线中感应的电压被整流,可作供电电压使用.磁场区域能够很好的被定义，但是场强下降的太快。特性：1.工作在低频的感应器的一般工作频率从120KHz到134KHz,TI的工作频率为134.2KHz。该频段的波长大约为2500m.2.除了金属材料影响外，一般低频能够穿过任意材料的物品而不降低它的读取距离。3.工作在低频的读写器在全球没有任何特殊的许可限制。4．低频产品有不同的封装形式。好的封装形式就是价格太贵，但是有10年以上的使用寿命。5．虽然该频率的磁场区域下降很快，但是能够产生相对均匀的读写区域。6．相对于其他频段的RFID产品，该频段数据传输速率比较慢。7．感应器的价格相对与其他频段来说要贵。主要应用：1．畜牧业的管理系统2．汽车防盗和无钥匙开门系统的应用3．马拉松赛跑系统的应用4．自动停车场收费和车辆管理系统5．自动加油系统的应用6．酒店门锁系统的应用7．门禁和安全管理系统符合的国际标准：a)ISO11784b)ISO11785c)ISO14223-1d)ISO14223-2RFID畜牧业的应用－编码结构RFID畜……

ARMJTAG实时仿真器安装使用指南ARMJTAG实时仿真器安装使用指南Version1.02003.2.5目第一章ARMJTAG介绍1.1ARMJTAG产品介绍1.2ARMJTAG硬件介绍1.2.1ARMJTAG接口定义1.2.2ARMJTAG接口电平1.2.3TCK信号频率设置1.2.4目标板JTAG接口设计1.2.5RTCK时钟1.2.614脚和20脚JTAG接口转换录34445555第二章ARM开发系统安装2.1硬件连接2.2软件安装77第三章ARMJTAG使用3.1Multi-ICEServer使用3.1.1Multi-ICEServer菜单选项3.1.2Multi-ICEServer状态3.1.3Multi-ICEServer中的JTAG参数设置3.1.4Multi-ICEServer配置3.2调试系统架构体系3.3ADSV1.2与ARMJTAG连接3.3.1连接AXD3.3.2连接CodeWarrior9911141617181819第四章最终应用程序烧写4.1应用程序在ARM板上运行原理4.2生成Boot.bin4.2.1系统初始化4.2.2生成BIN文件4.3烧录Boot.bin2121212123附录1TCK频率设置附录2常见问题24261第一章ARMJTAG介绍1.1ARMJTAG产品介绍ARMJTAG是用于ARM处理器内核软件调试的专用工具符合IEEE1149.1规范与ARM原装Multi-ICE完全兼容它可以很好的与ADSV1.2集成开发环境相结合支持全线ARM处理器内核可以满足更多用户对ARM处理器内核软件的开发调试需……

经典——通信元器件选用指南,通信元器件选用指南……

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