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_Flash的性能与选用FLASH性能与选用当前的存储器种类繁多，功能，用途不一，但是按照存储器所使用的材料或存储原理，可将目前的存储器分为三种类型，分别是半导体，磁介质和有机塑料；半导体用做Flash，主要是U盘，固态硬盘等，是以PN节来存储数据信号的；磁介质的主要是硬盘，磁带等，是以磁信号来存储数据的；有机塑料主要是用作CD，是依靠激光头在CD表面灼烧，形成细微的凹凸来记录数据的。总体上说，Flash可分为二大类，一是NAND型，一是NOR型。NAND是与非门Flash，NOR是或非门Flash。他们都有掉电不丢失数据,大容量,低成本的优点.具体来说，NAND规格为快闪记忆体，像硬盘，以储存数据为主，又称为DataFlash，晶片容量大，目前主流容量已达到Gb级；NOR的规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为CodeFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb左右。Intel于1988年首先开发出NORflash技术，彻底打破了原先以EPROM和EEPROM为主的局面。紧接着，1989年，东芝公司发布了NANDflash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR的特点是读取速度块，程序代码在芯片内执行(XIP,eXecuteInPlace)，也就是应用程序直接在Flash内运行，不必把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的使用范围。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度。它主要分为两种，分别是SLC和MLC，它们属于两种不同类型的NANDFL……

基于Ansoft多相多极电机的性能分析维普资讯http://www.cqvip.com，，厂设计分斯………………………一。／＆￡……基于Ａｎｓｏｆｔ多相多极电机的性能分析邹根华，梁得亮，鲁军勇（西安交通大学，陕西西安７１００４９）ＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅＡｎａｌｙｓｉｓｏｆＭｕｌｔｉ－－ｐｈａｓｅａｎｄＭｕｌｔｉ－－ｐｏｌｅＭｏｔｏｒＢａｓｅｄｏｎＡｎｓｏｆｔＺＯＵＧｅｎ―ｈｕａ，ＬＩＡＮＧＤｅ―ｌｉａｎｇ，ＬＵＪｕｎ―ｙ０ｎｇ（Ｘｉ’ａｎＪｉａｏｔｏｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｘｉ’ａｎ７１００４９，Ｃｈｉｎａ）摘要：借助于仿真技术指导电机的设计过程，利用Ａｎ―仿真、优化及内部磁场的分析提供强有力的工具。用Ａｎｓｏｌ进行电机仿真具有如下优点：ｆ（１）拥有强大的材料库，也可以自定义材料，以函数的形式给定激励源的特性；（２）系统模型的分析可以通过易用的Ｗｉｎｄｏｗｓ用户界面来进行，在设计环境中，工程人员可以快速方便地建立模型参数；（３）Ａｎｓｏｆｔ可以与来自测试仪器和数……

功率放大器设计的关键：输出匹配电路的性能功率放大器设计的关键：输出匹配电路的性能功率损耗会降低效率和功率输出的能力。Soeren LaursenRFMicroDevices对于任何功率放大器（功率放大器）设计，输出匹配电路的性能都是个关键。但是，在设计过程中，有一个问题常常为人们所忽视，那就是输出匹配电路的功率损耗。这些功率损耗出现在匹配网络的电容器、电感器，以及其他耗能元件中。功率损耗会降低功率放大器的工作效率及功率输出能力。因为输出匹配电路并不是一个50Ω的元件，所以耗散损失与传感器增益有很大的区别。输出匹配的具体电路不同，损耗也不一样。对于设计者而言，即使他没有选择不同技术的余地，在带宽和耗散损失之间，在设计方面仍然可以做很多折衷。匹配网络是用来实现阻抗变化的，就像是功率从一个系统或子系统传送另一个系统或者子系统，RF设计者们在这上面下了很大的功夫。对于功率放大器，阻抗控制着传送到输出端的功率大小，它的增益，还有它产生的噪声。因此，功率放大器匹配网络的设计是性能达到最优的关键。损耗有不同的定义，但是这里我们关心的是在匹配网络中，RF功率以热量的形式耗散掉的损耗。这些损耗掉的功率是没有任何用途。依据匹配电路功能的不同，损耗的可接受范围也不同。对功率放大器来讲，输出匹配损耗一直是人们关注的问题，因为这牵涉到很大的功率。效率低不仅会缩短通话时间，而且还会在散热和可靠性方面带来很大的问题。例如，一个GSM功率放大器工作在3.5V电压时，效率是55%，能够输出34dBm的功率。在输出功率为最大时，功率放大器的电流为1.3A。匹配的损耗在0.5dB到1dB的数量级，这与输出匹配的具体电路有关。在没有耗散损失时，功率放大器的效率为62%到69%。尽管损耗是无法完全避免的，但是这个例子告诉我们，在功率放大器匹配网络中，损耗是首要问题。耗散损失现在我们来看一个网络，……