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大功率微波功放集成工艺探讨大功率微波功放集成工艺探讨信息产业部29所陆吟泉胡蓉摘要本文试图探讨大功率微波功放的集成工艺，分析了CrSi-Cr-Cu-Ni-Au系薄膜工艺的优缺点和大功率功放的微组装工艺。一、前言自六十年代以来，厚薄膜混合集成工艺迅速发展，已广泛应用于电子、通讯、汽车、军事等领域，在这四十年的发展中，厚膜、薄膜混合集成电路工艺和集成、封装工艺也日趋成熟。厚膜走过了单层电路并发展为多层厚膜和低温共烧（LTCC），薄膜则发展为不同的多层薄膜电路和几种相对稳定的工艺体系，其中TaN-TiW-Au系薄膜应用十分广泛；NiCr-Au、Cr-Au系薄膜工艺简单而稳定；CrSi-Cr-Cu-Ni-Au系薄膜工艺相对其它薄膜工艺而言，是以Cu为主要导体层具有鲜明的特色。虽然其薄膜电路制作工艺流程长、工序复杂，但是其产品成本低、电性能、微波性能优良且组装时与锡钎焊工艺兼容，特别适合于大功率微波功放等微波器件。微波功放的组装不仅需满足其微波特性，而且必须确保产品的可靠性，因此在组装时必须解决功放管芯的散热，内引线的可靠连接和气密性封装。二、功放的薄膜电路制作工艺2．1薄膜典型工艺流程薄膜电路工艺一般采用先激光打孔；然后蒸发、溅射、沉积等方法制作电阻层、过渡层、导体层；光刻后电镀加厚，或先图形电镀后再光刻等方法实现光化学转移图形制作；最后采用激光或砂轮切割等方法分割电路。2．2功放薄膜电路工艺目前，在薄膜电路中应用最广泛的导体材料是金（Au），金不仅具有优良导电性、导热性，而……

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