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MOS电容器对小信号响应的最值分析维普资讯http://www.cqvip.com９９０拒数理译丛第１瑚ＭＯＳ电容器对小信号响应的数值分析ＭＩＣＨＡＥＬＧＡＩＴＡＮＡＮＤＩＳＡＡＫＤ．ＭＡＹＥＲＧＯＹＺ摘要本文叙述了利用基本半导体方程的时间微扰分析对ＭＯＳ电客器的小信号正；玄稳态响应进行模拟的蛄果。包括表面和体陷阱动态致应。所建立的模型使用了描述稿阱的费米一狄喇克统计和肖克莱一瑞德一霍尔复合机理．由于这种分析方法能模拟具有任意形状、杂质和陷阱分布的半导体器件的小信号正弦稳态响应所受到的陷阱动力学影响，所以它较之先前的技术曩一种改进．引言过去一直应用数血技术求解ＭＯＳ电容器的小信号正弦稳态响应．Ｔｅｍｐｌｅ［１］曾捉：Ｉ『了一种求解方法，此法基于Ｓａｈ［２］捉ｆｆｊ的器件传输线模型。该模型包括艄肼动力学、温度和杂质的跫；响。Ｆｏｒｔｉｎｏ［３］使用瞄￣１￣（ｓｈｏｏｔｉｎ曲技术也从事求解小信号方程的工作。这项技术包括半导体材料的复合．然而，使用第一个原理，却导不出蹈阱动态解．这些期帕技术通用于解特殊问题，不易解任意形状器件的问题．最近这方而的工作已接近报普通的技术，这种技术不再受特定的器件形状的制．人们……