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    2013-3-14 17:51
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    最新的大功率LED自吸热技术 结合半导体制冷与led,利用电子本身的能级变化跃迁吸收部分pn结放出的能量,降低常规PN结的散热压力,提高LED的寿命。 此结构用于集成电路中时,每个PN结都增加一个N,组成吸热结构,对降低整个IC的发热量以及节能降耗都有不可估量的好处。  
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    时间: 2020-1-13 20:06
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    上传者: rdg1993
    L波段致冷低噪声放大器维普资讯http://www.cqvip.com中国科学院上海天文台年刊2004年第25期ANNALSOFSHANGHAIOBSERVATORYACADEMIASINICANo.25,2004L波段致冷低噪声放大器李斌梁世光(中国科学院上海天文台,上海200030)提要介绍了应用于射电天文望远镜L波段接收机系统的致冷低噪声放大器的设计。该放大器采用了Agilent公司ATF一35143假晶高电子迁移率场效应管(pHEMT).为两级级联结构,频率范围1600~1740MHz。在物理温度小于15K(Kelvin)的环境中,放大器工作正常,两级直流偏置点都在2V7mA,增益28.7―28.9dB,噪声3.2―3.8K,输入匹配好于一22dB,输出匹配好于一16dB,无条件稳定。主题词:低噪声放大器一pHEMT―ADS分类号:TN722.31引言射电天文望远镜的接收机系统要求有低的系统噪声,而前置放大器对于系统噪声的贡献是最大的,因此接收机的前置放大器一般采用致冷低噪声结构。将低噪声放大器放置于封闭的低温室中,通过真空泵抽真空使低温室内部达到较高的真空度,然后通过压缩机制冷,使低噪声放大器工作在物理温度15K以下,从而达到降低噪声……