tag 标签: cmos芯片

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  • 热度 17
    2021-12-1 13:03
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    继获得高瓴创投、洪泰基金投资后,近日, 上海芯歌智能科技有限公司(以下简称“芯歌智能”)宣布完成过亿元B轮融资,本轮融资由元禾璞华领投,招商证券、阿米巴资本以及老股东临芯资本等跟投,势能资本担任独家财务顾问。 此次融资将进一步支持芯歌智能在机器视觉行业的研发,并加速公司的团队建设和市场布局。 芯歌智能创始人刘建博士表示: “芯歌智能自成立以来就致力于成为中国精密测量的领军企业,自研CMOS芯片,从技术底层解决该领域‘缺芯少魂’的局面,减少对国外进口产品的依赖,为国产替代添砖加瓦,为中国智能制造赋能。” 元禾璞华投委会主席陈大同表示: “中国作为制造大国,机器视觉及光学测量产品市场前景广阔,老龄化与工资成本上涨推动‘机器换人’,而3D视觉是重要的发展方向。芯歌智能是国内少有的拥有核心芯片并提供系统产品及解决方案的企业,有望成为该领域的领军企业。” 芯歌智能成立于2017年,是一家快速成长并拥有核心技术的科技创新型公司,也是国内在机器视觉及光学测量领域唯一拥有全产业链一体化能力的企业(芯片级、产品级、方案级)。 芯歌智能拥有芯片级技术,光学、光纤技术以及AI技术三大核心技术,主营产品性能已对标国际大厂的高端产品,广泛应用于国际国内一流客户。 随着劳动力成本提高,人口老龄化等社会经济趋势,自动化、信息化、智能化成为工业4.0的重要攻克方向,机器视觉则是一个极其重要且应用广泛的领域,而上游核心元器件依然被国外企业牢牢掌握,进口产品价格昂贵、本土化程度一般。芯歌智能自成立伊始就专注研发完全自主知识产权的芯片及产品,参与国际竞争并努力实现进口替代。利用自研高速CMOS传感器芯片,开发至激光位移传感器和激光3D轮廓相机等各系列产品扫描图像上的激光轮廓采集信息,全幅扫描帧率达到2300-4000帧每秒,测量重复精度高达0.4微米,性能指标已经超越了大部分国际供应商,接近国际顶尖大厂的水平,并在与国际国内供应商产品成本的比较上具有极大优势。凭借稳定、高速、高精度的非接触式测量能力和价格优势, 芯歌智能产品已广泛应用在工业领域的各个行业,包括半导体、3C、汽车、锂电、焊接等。 作为国内极少有拥有完整自主知识产权的定制化传感器SoC芯片企业,芯歌智能通过把芯片、镜头、传感器等硬件与人工智能工业视觉算法、软件垂直整合在一起,使产品的功能和性能大大提升。凭借自主可控的芯片和高集成度优势,芯片、产品、软件优势“叠加”,芯歌智能可以快速实现迭代升级,提高产品普适性,持续加强品牌度和竞争力。 未来, 芯歌智能将继续以“研发完全自主知识产权的芯片及产品”为核心 ,提升3D机器视觉产品和人工智能工业视觉软件的内在核心技术,扩展基于自研芯片的产品矩阵,矢志成为一流的机器视觉一体化平台企业,为中国制造业降本增效,为制造大国发展成为制造强国贡献自己的力量!
  • 热度 17
    2011-12-15 16:03
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    美国半导体研发联盟机构Semiconductor Research (SRC)与康耐尔大学(Cornell University)合作发表一种微机电系统( MEMS )晶体管,并可提供给SRC联盟成员采用,做为CMOS芯片上的时序(timing)解决方案。   这种MEMS-JFET元件是在硅晶振谐器(resonator)上制作一个结场效应晶体管(junction field-effect transistor, JFET ), 同时提供放大与坚若磐石的机械性参考功能,以做为芯片上的信道选择滤波器(channel-select filters)与振荡器(oscillator)。“我们相信此一研发成果,将促成射频信号源与硅芯片上其他CMOS电路的直接整合;”SRC元件科学 资深总监Kwok Ng表示。   研究人员是利用传统的CMOS制程将MEMS与JFET整合在绝缘层上硅 (silicon-on-insulator, SoI )基板上。在制程中,位于单晶硅振谐器下方的氧化物牺牲层会被蚀刻,使其悬浮;利用pn结面进行换能(transducer),可让该种JEFT在某个依据悬浮MEMS振荡器面积来决定的频率之下振荡。   MEMS-JFET构造   利用这种MEMS-JFET产出的时序电路,应可让振荡器与滤波器与CMOS芯片上的其他电路整合,不需要再额外使用目前所采用的、独立的石英/CMOS /MEMS振荡器芯片。新研发的整合制程据说也能制作出更高品质、效能比传统MEMS振谐器更高的元件,并可在GHz等级的频率下运作。SRC所制作的原 型能在1.61GHz频率下运作,在室温下的品质因素(quality factor)可达到25,900。   由于该种元件不 需要独立的换能材料,研究团队声称其温度稳定性也优于传统的MEMS元件;此外,因为新研发技术是采用主动式JFET做为放大器,研究人员强调其相噪 (phase noise)会比目前市面上的MEMS振荡器低,使得闪烁杂讯(flicker noise)也能跟着降低。   《电子工程专辑》网站版权所有,谢绝转载   原文链接:http://www.eet-china.com/ART_8800657431_480501_NT_4f032550.HTM
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