tag 标签: 功率管

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    2015-2-11 09:36
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    深圳市中友无限技术有限公司主要销售NXP、M/A-COM、POLYFET、FREESCALE等品牌,产品分类有射频功率管、CATV模块、IC、及三极管。NXP公司的射频功率管主要采用LDMOS技术,广泛应用于无线通讯、广播电视发射机、雷达、航空等领域,在全球市场长期处于领先地位。CATV模块应用于HFC有线电视网络,一直以来在全球市场处于主导地位。     中友无限公司年轻、富有朝气和活力,努力把自己建设成为技术领先、管理科学、产品性能优异、质量精良的一流高科技企业。    “质量第一,信誉至上”是中友无限公司永远信守的经营理念。我们将以卓越的品质,良好的服务,赢得更多客户、更愿与广大客户精诚合作,携手共进,共创辉煌。 NXP射频功率管系列: BLF1043、BLF1046、BLF145、BLF147、BLF174XR、BLF175、BLF177、BLF184XR、BLF188XR、BLF202、BLF242、BLF244、BLF245、BLF245B、BLF246、BLF246B、BLF368、BLF404、BLF571、 BLF573、BLF573S、BLF574、BLF578XR、BLF645、BLF871、BLF871S、BLF878、BLF881、BLF881S、 BLF888、BLF888AS... ... 其它LDMOS: MRF151G、MRF151、MRF148A、MRF141G、MRF134、MRF275G ... ... SR401、SR341、L501A、SK702 ... ... MRF6VP2600H、MRFE6VP5600H、MRFE6VP8600H、MRFE6VP6300H、MRFE6VP61K25H ... ... CATV模块系列:BGY1085A、 CGY1041C、GY1043、CGY1047、CGY1049、CGY1032、BGY885A、BGY887、 CGY888C、BGY835C、BGY887B、BGY787、BGE788C、BGY685A、BGY587B、BGY588C、CGD1040HI、 CGD1042HI、CGD1042H、CGD1044H、CGD1044HI、CGD1046HI、CGD982HCI、CGD985HCI、CGD987HCI、 BGD812、BGD814、CGD944C、BGS67A、BGY68、BGY66B、BGY67、BGY67A、BGO807C... ... 联系人:郭伍明         手机:13352987298 QQ:625023855           QQ:3070280337 SKYPE:zoyote 电话:0755-84586599     传真:0755-84586599    邮箱:zoyote@126.com    网址:www.zoyote.com 地址:深圳市龙岗区龙岗街道南联社区上龙塘路21号302室
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    2014-1-16 13:14
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          商用电磁炉 的电源保险管,通常设置在 整流桥 的输入端。当桥短路时,保险管对输入电路起到保护作用,当功率管短路时,保险管也对桥起到保护作用。但是,谐振电路的高频电容变质或损坏而失谐时,保险管与功率管同时烧断,在这种情况下,保险管对功率管起不到保护作用。尽管功率管的额定连续电流远大于保险管的熔断电流,但实际情况是,两者同时烧断。保险丝的熔断时间不是超前功率管,而是与功率管同步。     本电路的设计,当大电流涌入功率管时,电流量检测电路工作,立即关闭功率管,使功率管得到保护,保护电路如图1所示。图1中的载流元件是截用一段1Ω的3000W电炉丝,以降低额定电流,从而降低炉丝的发热温度。1Ω电炉丝的螺距拉大,以增大散热效果。该段电炉丝若能铸成带散热片的成品件,效果更为理想。固定1Q电阻丝用的接线柱,选用外方内圆的项孔件,用螺丝紧固在穿孔线路板上。1Ω载流丝串在扼流圈与振荡线圈之间,a、b间有几安的电流流过,则a、b间就有几伏的电压。若设定功率管IGBT的最大额定工作电流为8.2A,则Uab=8.2V。在a、b端并入光耦TLP621电路,最大工作电流决定于稳压管的选取稳压值。稳压管选用7.5v的2CWl05,在功率管的栅极和源极间并入光耦TLP621的光敏电路,当a、b间的电流超过8.2A时,检测电路工作,发光管发光, 光敏管 导通,栅极接地失压,功率管自行关断,功率管受到保护。    (图2)为(图1)的功能相同电路,只是将检测电路中的 光耦 换为分立件,以利在电路板上的灵活安装。        该电路对电流检测十分灵敏,过流自断几乎没有延时,保护方案十分有效,缺点是 载流元件 选用发热炉丝,装接时要注意线路板的空位选取或设定,要特别注意防热和散热的安全性。 有不懂的问题可以问我  Mr.zhou :幺三O八幺气四七2八六 !--EndFragment--
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    2010-11-2 15:06
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    剖析 Transistor 的 5 种工作状态 Background :   在晶体管放大电路中,当输入信号为正弦波时,根据静态工作点的人为选取,我们可以使得功率管工作在 5 种不同的状态,即:甲类、乙类、甲乙类、丙类和丁类。由于晶体管的工作状态不同,管子的功率损耗不同,相应的最大集电极效率也就不同。本文将针对 Transistor 这 5 种工作状态的最大集电极效率分别进行直观清晰的分析。   首先来直观定义一下集电极效率:       Where : Pout 为负载所获得的功率; Pdc 为直流电源提供的功率。   1、 甲类( Class A ) 定义:当输入信号为正弦波时,晶体管在信号的整个周期内均导通,即导通角为 360 度,称之为甲类状态。 剖析:显而易见,由于晶体管在输入信号的整个周期内均导通,所以输入信号的全部信息都被加以利用了,通俗一点说就是:输入信号被完整地放大了(当然前提是此时功率管具有良好的静态工作点,没有截止失真和饱和失真的问题),理论上此时不存在信号的失真问题了。 However,此时的集电极效率却“不尽人意”。经过简单分析可知,晶体管的最大不失真输出电压的有效值为:   且集电极电流交流分量的最大值的有效值为:   Then ,在管子呈现理想状态下(即忽略饱和管压降),最大输出功率为:   可见,此时该电路的最大效率为: Again,this is the absolute maximum possible efficiency,and in general it will be lower .  2、 乙类( Class B ) 定义:当输入信号为正弦波时,晶体管仅仅在信号的正半周或者负半周导通,即导通角为 180 度,称之为乙类状态。   剖析:从晶体管的甲类工作状态的分析可知,在输入信号为零时,管子依旧导通,自然白白耗费了直流电源的功率,这是导致甲类电路效率不高的“罪魁祸首”。要想提高效率,我们可以在输入信号为零时,使得管子处于截止状态,这就“催生”了乙类推挽功率放大电路。和甲类工状状态一样,此时 晶体管的最大不失真输出电压的有效值仍旧是:   即最大输出功率为:   由于基极回路电流极小,以致可以忽略不计, so ,此时直流电源提供的电流近似为:   此时直流电源所消耗的平均功率如下所示:   So ,电路的最大效率为:   显然,它比甲类工作时的效率要高。但是必须说明的是,这个数值只是理论上的推导结果,实际中是不可能实现的,必定会低于该值。   3、 甲乙类( Class AB ) 定义:当输入信号为正弦波时,晶体管的导通角大于 180 度,而小于 360 度,称之为甲乙类类状态。   剖析:考虑到晶体管的发射结必定客观存在一个开启电压 Uon ,当输入电压的数值 |ui| 时, TR1 和 TR2 都处于截止状态,此时输出电压的波形即产生了所谓的“交越失真”。因此,我们应当设置更加合适的静态工作点,使得输入信号为零时,两只管子均处于临界导通状态,此即甲乙类工作状态。上图已经形象地说明了这个解决方案。经过简单分析可知,两个管子的导通时间都比输入信号的半个周期要长,即在输入信号电压很小时,两个管子同时导通。由此可知,甲乙类工作状态的效率一般要略低于乙类工作状态的效率,好处是消除了交越失真。   4、 丙类( Class C ) 定义:当输入信号为正弦波时,晶体管的导通角小于 180 度,称之为丙类状态。   剖析: C 类工作状态的效率表达式与乙类工作状态时的几乎一样,只不过要把 180 度的导通角换成 θ(θ 180 度,由电路设计者人为选取)。可以看出,由于丙类工作状态的导通时间比乙类更短,所以它的效率一般比乙类更高。 5、 丁类( Class D ) 定义:当输入信号为正弦波时,晶体管工作在开关状态,即管子在信号的半个周期内饱和导通,另半个周期内截止,称之为丁类状态。   剖析:此时管子工作在开关状态, (1) 当管子饱和导通时:管子的 Vce 接近饱和压降,也就说明管子的损耗接近最小值,负载所获得的功率自然最大值; (2) 当管子处于截止时: ic 趋于零,管子的损耗 Pc=ic*Vce 也将在这半个周期内始终接近于零值,即此时管子损耗也接近最小值。 由此分析可知,集电极效率得到了很好的提高。 However ,这样一来,付出比较大的代价——集电极电流波形此时已经严重失真了!关于这个问题,我在网上淘到一篇比较好的文章,有兴趣的博友可以看一下(放在附件内)。   Final Word :   综上所述可知,在功率放大电路中,晶体管从甲类向乙类、甲乙类、丙类或丁类,目的都是为了高效率地输出功率。 However ,所谓“物极必反”,虽然电路的效率提高了,但是这也导致了集电极电流的波形严重失真。在实际电路设计中,一般可以采用引入负反馈的措施来减小失真,或者人为地限制输出功率,以此使得失真发生在允许的范围之内。只有这样,才有可能达到我们想要的“高效率”、“小失真”的效果。    
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    时间: 2023-3-12 10:32
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    上传者: yang15622383762
    VPS2104/VPS2104N是一款高集成度的小功率隔离式反激电源控制器。该器件内部集成了4V-100V的启动电路,集成120V/0.1Ω-LDMOS和“无损”峰值电流采样电路,只需简单的通过外接电阻即可实现峰值电流设置。VPS2104/2104N的最大工作频率可在外编程,能工作在DCM和CCM两种模式下,在轻负载时进行模拟降频以提高效率和减小空载功耗。为提高电源的可靠性,该器件还集成了一系列的保护功能,包括:输入欠压保护、输出短路保护、输出过压保护、过温保护。所有控制电路和功率MOS管都集成在单片晶圆上,所用先进BCD半导体工艺的器件耐高温可达180℃,并采用增强散热封装能最大程度的降低产品的温升。
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    时间: 2023-3-12 10:33
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    上传者: yang15622383762
    VPS2105是一款适用于反激/Buck/Boost多种拓扑结构的高集成度开关电源控制器,隔离型反激电源应用中,采用的是初级侧电压反馈PSR。该器件内部集成了4V-100V的启动电路,集成120V/0.1Ω-LDMOS和“无损”峰值电流采样电路,只需简单的通过外接电阻即可实现峰值电流设置。VPS2105的最大工作频率可在外编程,能工作在DCM和CCM两种模式下,在轻负载时进行模拟降频以提高效率和减小空载功耗。为提高电源的可靠性,该器件还集成了一系列的保护功能,包括:输入欠压保护、输出短路保护、输出过压保护、过温保护。所有控制电路和功率MOS管都集成在单片晶圆上,所用先进BCD半导体工艺的器件耐高温可达180℃,并采用增强散热ESOP8封装能最大程度的降低产品的温升。
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    时间: 2023-3-12 10:34
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    上传者: yang15622383762
    VPS2109是一款高度集成的反激电源PWM控制芯片。它内置的NLDMOS功率管跟控制电路在同一晶圆上,并且通过“无损电流采样电路”感应功率管的电流,效率高;它可工作在CCM和DCM模式下,重载时以芯片内置的最大频率330kHz工作,在轻负载时频率逐渐降低,以提高轻负载效率和降低空载功耗;芯片内置前馈补偿、软启动、斜坡补偿、COM脚处集成了RC补偿可直接与光耦连接,这使得芯片外围电路极其简单。VPS2109集成了多种控制功能和保护功能,外围简单,可以根据实际需求设计外围参数。通过一个电阻实现启动、前馈补偿、编程内置功率管的关断速度三个功能;通过两个电阻可同时设计输入欠压保护和输入过压保护阈值。集成过功率保护、输出短路保护、输出过压保护、过温保护等功能,在异常情况撤销后都可实现自恢复,最大限度保证开关电源系统的可靠性。
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    时间: 2023-3-12 10:35
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    上传者: yang15622383762
    VPS8504B\C是两款专门为小体积、低待机功耗微功率隔离电源而设计的推挽式变压器驱动器,其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路,即可实现3.3V或5V输入、3.3V~24V输出、输出功率1~3W的隔离电源。它们内部集成振荡器,提供一对高精度互补信号以驱动两个N沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计,能有效确保两个功率MOSFET的高度对称性,避免电路在工作过程发生偏磁。VPS8504B芯片具有使能引脚EN,并可通过CLK引脚悬空或接地可以选择两种不同的工作频率,同时内部设计有高精度的死区控制电路确保在各种工作条件下不出现共通现象。VPS8504C采用SOT23-5封装,未把使能功能EN引出。
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    时间: 2023-3-12 10:35
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    上传者: yang15622383762
    VPS8505是一款专门为小体积、低待机功耗微功率隔离电源而设计的推挽式变压器驱动器,其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路,即可实现3.3V或5V输入、3.3V~24V输出、输出功率1~3W的隔离电源。VPS8505芯片内部集成振荡器,提供一对高精度互补信号以驱动两个N沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计,能有效确保两个功率MOSFET的高度对称性,避免电路在工作过程发生偏磁。芯片具有使能功能和频率同步功能,同时内部设计有高精度的死区控制电路确保在各种工作条件下不出现共通现象
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    VPS8701是一款专门为小体积、低待机功耗的微功率隔离电源而设计的变压器驱动器,其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路,即可实现6.5~30V输入电压、多种输出电压、输出功率1~2W的隔离电源。VPS8701内部集成两个N沟道功率MOSFET和两个P沟道功率MOSFET,并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号,能有效确保两路功率MOSFET驱动的高度对称性,避免电路在工作过程发生偏磁。VPS8701内部集成调频功能以及多种保护方式。针对不同的应用需求可实现频率调节,同时内部设计有高精度的死区控制电路确保在各种工作条件下不出现共通现象;集成了过流检测保护和过温保护,避免在开关电源输出短路等异常情况下损坏器件。
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    VPS8702/S是一款专门为小体积、低待机功耗的微功率隔离电源而设计的变压器驱动器,其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路,即可实现3~6V输入电压、多种输出电压、输出功率高达3W的隔离电源。VPS8702/S内部集成两个N沟道功率MOSFET和两个P沟道功率MOSFET,并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号,能有效确保两路功率MOSFET驱动的高度对称性,避免电路在工作过程发生偏磁。VPS8702/S内部集成多种保护方式。内部设计有高精度的死区控制电路确保在各种工作条件下不出现共通现象;集成了过流检测保护和过温保护,避免在开关电源输出短路等异常情况下损坏器件。
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    时间: 2023-3-12 10:37
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    上传者: yang15622383762
    VPS8703是一款专门为小体积、低待机功耗的微功率隔离电源而设计的变压器驱动器,其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路,即可实现6.5~30V输入电压、多种输出电压、输出功率高达15W的隔离电源。VPS8703内部集成两个N沟道功率MOSFET和两个P沟道功率MOSFET,并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号,能有效确保两路功率MOSFET驱动的高度对称性,避免电路在工作过程发生偏磁。VPS8703内部集成调频功能以及多种保护方式。针对不同的应用需求可实现频率调节,同时内部设计有高精度的死区控制电路确保在各种工作条件下不出现共通现象;集成了过流检测保护和过温保护,避免在开关电源输出短路等异常情况下损坏器件。
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    时间: 2022-12-3 16:47
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    上传者: yang15622383762
    VPS2103是一款适用于多种拓扑结构(Flyback\Boost\Buck)和输出电压反馈方式)(SSR\PSR\电阻分压)的高度集成电源控制芯片。可在数百KHz工作频率下实现PSR反馈,内置的输出电压采样电路可同时工作在CCM和DCM模式下,对采样电压的时间宽度要求低至400nS;内置具有快速动态响应功能的环路补偿电路,使开关电源稳定性和动态响应指标都有很好的表现。VPS2103集成了多种控制功能,外围简单,可以根据实际需求设计外围参数。通过一个电阻实现启动、前馈补偿、编程内置功率管的关断速度三个功能;通过一个电阻编程“无损”电流采样的功率管峰值电流;通过两个电阻可同时设计输入欠压保护和输入过压保护阈值;FB接电容到GND实现抖频功能,通过电容的取值还可编程抖频的周期,接GND取消抖频功能。VPS2103集成过流保护、过功率保护、输出短路保护、输出过压保护、过温保护等功能,在异常情况撤销后都可实现自恢复,最大限度保证开关电源系统的可靠性。
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    时间: 2020-12-23 18:48
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    上传者: symic
    中外射频功率管参数及互换表