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标签: GeMOS

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一文读懂HfTiO高栅介质GeMOS电容

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时间: 2020-11-17 22:11

大小: 1.58MB

上传者: xgp416

一文读懂HfTiO高栅介质GeMOS电容资源大小：1.58MB[摘要]采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO中T

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