标签: 过孔模型

  对于高速电路设计，一般推荐的设计是尽量少采用过孔，但受限于实际的运用环境，有时   layout 过程中是无法避免过孔问题。 如何评估过孔模型引入阻抗不连续，造成信号完整性的问题，成了令人头疼的问题，我们往往无法正确定量衡量其影响，只能做   maybe 的定性问题猜测。 谈到过孔模型我们必须先了解下过孔的结构：   很多文献将过孔模型的分布参数等效为   C-L-C （ PI   型模型，电感两端并联电容到地），如下图所示   对于上图模型中的 L 与   C 由下面的算式计算得出，   式中 D1   为为孔 PAD 直径，   D2 为反焊盘的直径，   T 为   PCB 的板厚，   h 为孔深，   d 为内壁筒直径。式中   h 值等于   T ，   d 的值等于   drill diameter 。（ Unit=inch   ） 下面我以一个实际的孔来进行演算，孔的数据为：   drill diameter =0.2mm ,regular pad diameter=0.4mm,anti pad  diameter=0.6mm,T=h=1.6mm ，   Dk=4.2 。 我们带入数据可得： Cvia 约为   0.75pF,Lvia 约为 1.43nH   。这是我手算的结果，下面我们用软件计算下   可以看出结果还是很相近的，说明此软件的内置算法应该就是上面的表达式。 仿真电路设计图： S parameter 扫描结果： Sigxploere 的   viamodel 得到的 s   参数：   两者还存在一定的差异，稍后再学习区别何处，也可能是设置的问题。最好的过孔模型仿真还是采用3D软件进行计算。Agilent好像有篇 验证sigexploere精确度的 whitepaper,文中数据可以看出对于1GHz以下的过孔与非过孔S21参数对比变化很小，实际情况 应该 跟孔的电尺寸存在关系。 study note by mark