低噪声振荡器主要是减少了振荡器内部噪声对输出信号的影响,短期频率稳定度好。主要应用在精密电子设备,无线电定位,高速目标跟踪等领域。 从频域来看,对应的参数为相位噪声; 从时域来看,对应的参数为抖动. 时间和频域之间的关系互为倒数Time=1/Frequency 相位噪声的形成因素主要三方面: A区: 主要是晶体Q值来决定。 B区: 主要是晶体外围电路(包括IC)来决定。 C区: 主要是信号输出(白噪声)来决定。 如何设计低噪声晶振? 选择高Q值晶体,即晶体的品质因数 高Q值的晶体频率越稳定。晶体的Q值和晶片的切型有关系。 AT切 的晶体的等效串联电阻和 SC切 差不多,但是没有SC切的应力补偿作用。所以AT切晶振的相位噪声比SC切差大概10dBc/Hz以上。 2. 合适的激励电平 提高激励电平可以增大振荡电路的信噪比,提高晶振的短期稳定度。但是也不能过高,高激励电平会使晶体工作不正常。