标签: 太阳诱电

太阳诱电叠层压电震动片产品阵容、优势、特点介绍 本篇文章通过图文和视频介绍太阳诱电叠层压电振动片产品阵容、产品优势及特点信息。 本篇文章通过图文和视频介绍太阳诱电叠层压电振动片产品阵容、产品优势及特点信息。 触觉感应功能运用了多种多样的振动片。“通知”运用了偏心转子马达、线性谐振振动片等电磁式振动片，“力反馈”则在上述电磁式振动片的基础上另外使用了叠层压电振动片。进一步发展至”触感”方面后，驱动频带宽、响应速度快的叠层压电振动片则将变得不可或缺。 通过多层陶瓷电容器、多层陶瓷电感器积累起来的多层技术使得“叠层压电振动片”的多层构造得以达到最优化，下面将介绍叠层压电振动片的优势所在。 低功耗： 在汽车相关方面，车内开关类部件正在向平板化和接触式传感器化发展。就需重视安全性的汽车内部而言，在操作开关时提供反馈的必要性是毋庸置疑的。 · 应用于车载类的案例 · 应用于家电类的案例 · 其他应用案例 将具备低介电常数、高机电耦合系数的材料特性及多层构造最优化，实现了高位移、低功耗的振动片。 可针对面板的形状、材质、厚度进行相应的模拟试验，我们将根据客户的使用目的，提供最佳的振动片构造方案。

太阳诱电具有感性的传感器：气味传感器 太阳诱电具有感性的传感器：气味传感器 本篇文章通过视频和图文介绍太阳诱电气味传感器的应用。 太阳诱电开发满足市场需求的三款转换器，分别为：高浓度端采用QCM型，较低浓度端采用MEMS半导体型。另外还准备有FBAR型转换器。 感性的传感器(气味可视化)气味传感器的结构和特征_2017 ，时长 01:11 感性的传感器(气味可视化)气味传感器的结构和特征_2021 ，时长 01:36 买电子元器件现货上唯样商城

PFC电路：死区时间理想值的考量 由于该电路是进行同步整流工作的电路，所以我们通过仿真来探讨高边（HS）和低边（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死区时间理想值，即不直通的最短时间。死区时间可以通过仿真工具的PWM控制器参数TD1（HS）和TD2（LS）来分别设置。 关键要点 ・桥式电路中的死区时间设置与损耗和安全性有关，因此需要充分确认。 ・死区时间的理想值是不直通的最短时间。 ・由于开关器件的开关速度会受温度和批次变化等因素影响而发生波动，因此在设计过程中，除了最短时间外，还应留有余量。 在本文中，我们将探讨如何估算桥式电路中理想的死区时间。 电路示例 电路以 Power Device Solution Circuit/AC- DC PFC的一览表中的仿真电路“A-6. PFC CCM Synchro Vin=200V Iin=2.5A”为例（参考图1）。关于更详细的电路图，还可以通过这里查看。 由于该电路是进行同步整流工作的电路，所以我们通过仿真来探讨高边（HS）和低边（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死区时间理想值，即不直通的最短时间。死区时间可以通过仿真工具的 PWM控制器 参数TD1（HS）和TD2（LS）来分别设置。 图1：PFC仿真电路“A-6. PFC CCM Synchro Vin=200V Iin=2.5A” 死区时间内的损耗 图2表示死区时间内的电流流动情况。在桥式结构的电路中，要防止直通电流，就需要确保足够的死区时间长度，但如果将死区时间设置得过长，会导致损耗增加。这是因为在死区时间内，SiC MOSFET处于OFF状态，因此电流会流过体二极管。通常，体二极管的导通损耗比较大，其导通时间越长，损耗越大。 图2：死区时间内的电流流动情况 死区时间和功率因数 图3表示死区时间长度与电感电流IL之间的关系。如果死区时间过长，低电压区域可能会变为断续工作状态，电感电流波形可能会失真，功率因数可能会恶化。因此，从功率因数的角度来看，将死区时间设置得过长并非好事。 图3：死区时间长度与电感电流IL的关系 探讨理想的死区时间 图4表示使死区时间变化时SiC MOSFET的损耗仿真结果。 图4：表示使死区时间变化时SiC MOSFET的损耗仿真结果 从图中可以看出，当死区时间在50ns以下时，损耗会因流过直通电流而急剧增加。反之，当延长死区时间时，HS SiC MOSFET的体二极管的导通时间会变长，因此在这种条件下损耗也会增加。SiC MOSFET的损耗最小时，正是死区时间最短（没有直通电流）时，在本例中为100ns时。但是，由于开关速度会随温度和批次差异等因素而波动，因此通常需要留100ns左右的余量。也就是说，在这种情况下，200ns是理想的死区时间。 应市场需求的产品开发：太阳诱电气味传感器 本文将通过图文及视频的形式为各位介绍太阳诱电因应市场需求而开发的气味传感器产品。高浓度端采用QCM型，较低浓度端采用MEMS半导体型。另外还准备有FBAR型转换器。 太阳诱电为实现高灵敏度感应而开发了3款 转换器 。　 高浓度端采用QCM型，较低浓度端采用MEMS半导体型。另外还准备有FBAR型转换器。 特点&优势： 气味可视化 ・感应膜材料技术 ・成膜技术 ・射频通信器件技术 高灵敏度转换器的开发阵容 ・QCM ・MEMS ・FBAR ・石墨烯 解决方案 ・营造舒适空间 ・呼气预防检测 ・危险品检测 ・食品管理用途 视频介绍：

除多层陶瓷电容器外，电容器还包括电解电容器和薄膜电容器等类型。随着节能化、物联网化的进一步加速发展，可以预见高性能电容器的需求量将在中长期内有所增长。多层陶瓷电容器对于实现电子设备的小型化、高性能化来说尤其不可或缺。 太阳诱电将通过从材料开始进行研发和生产，为广大客户提供多种小型、薄型、大容量、高可靠性的产品系列，以满足客户的需求。 多层陶瓷电容器的优势 太阳诱电的多层陶瓷电容器的生产网络遍布日本及其他亚洲各国。必须具备能够将数百层不足1μm（1/1000mm、粗细约为头发的1/100）的薄电介质基板精确地叠加在一起的卓越技术和生产体系。下面将为您介绍太阳诱电多层陶瓷电容器的优势。 用一流的技术制造丰富的产品系列： 大容量化：～1000μF 小型化：0.25×0.125㎜～ 薄型化：0.064㎜～ 通过电源电路的全陶瓷化，实现高可靠性和小型化 低ESR 低ESL 从材料研发开始，到高精度印刷、积层技术的一体化生产过程 材料技术 印刷技术 积层技术 在世界各地建立生产基地，确保生产体系稳定 日本 韩国 中国 马来西亚 太阳诱电多层陶瓷电容器技术信息 超低失真、低失真（噪音对策） 高介电常数型陶瓷电容器具有电介质受电压作用时会发生变形（畸变）的特性。因此，当陶瓷电容器施加可听频率（20 Hz至20 kHz）的电压时，陶瓷电容器产生振动，并且传递到基板，随着振动增强从而产生噪音。 太阳诱电备有“低失真大容量多层陶瓷电容器（CF_LD）“、“LW逆转型多层陶瓷电容器（LWDC?）“等产品，以解决噪音问题。 低ESR 通过拓宽并缩短元件内部电流路径（减少ESL），使高频带的阻抗下降，从而有助于高速驱动的IC进行稳定的工作。