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偶然间，今天面试了一个十几年前的遇到的一个朋友（86年）。印象中的满腔热血不复存在，记忆中的一腔热情难觅踪影，沉淀下来的是心灰意冷和满眼迷茫，35+，逐渐迷失了当初的自己。再也不是从前那个少年。心生感慨，特此留言，以求众多的初入职场的同学看到。 记得当时在一电源企业实习时遇到一个华南某高校的工科的本科生，大家都是刚刚从学校里走出来，满腔斗志，信心慢慢的努力工作，都希望走出校园的自己在职场上快速创出一片天。 刚入职公司，大家在一起吃饭、一起睡觉、一起吹牛侃大山。聊不完的技术细节，调不完的PCB走线BUG。渐渐的从一个稚嫩学生娃完成了向职场老油条的转变。工作一年后，渐我实习结束，转正上岗，兄弟完成初步的技术沉淀，带着大公司的光环进入了另外一家小公司做起来项目经理，高工资瞬间到手，留给我们的仍然是调试不完的电源波形以及无边的羡慕，恨不能自己有这样的机遇取而代之。 今天再次拿出兄弟的简历： 一年通信电源技术研发 一年音响电源技术研发 一年功放设备架构设计 两年电机设备研发…… 不断辗转，不断更换不同的行业 兜兜转转，转眼间十几年已经过去，今天当面交流，已经拿不出面试兄弟的底气了，毕竟我已经从研发转型市场十几年，但是自己的不专业不能充分体现兄弟的能力，特邀请公司技术大佬面试，我旁听。 然而一路交流下来，再也找不回原来的感觉。 从最开始的满怀斗志一腔热血，逐渐在深圳高工资下迷失了自己，兜兜转转几年以后，已经找不回原来的自己，找不回自己多年前的精神，完全没有沉淀自己核心的竞争力，慢慢迷失在自己不断的工作更迭中。 “今天你们给我上了很生动的一课，可惜明白的太晚了，再过几年有可能有回老家觅食了。”跌跌撞撞，充满着对自己未来生活的迷茫。 同样的起点，同样的精力，同样的时间，十年，一个阶层的分水岭默默展现在两个兄弟之间。 回头看一同入职的兄弟，有的已经创业实现人生价值，有的已经功成名就独领领域风骚，有的默默沉在一线研发，有的已经回家孝敬父母。再也找不回最初的理想和斗志。 兄弟问的最多的几个问题： 1、为什么现在已经两鬓斑白 2、为什么晚上还要继续电话会议 3、为什么你们可以了解那么多的技术同时积累那么多的人脉 4、为什么你们可以在一个公司一个领域持续工作那么多年 5、为什么你们在重复的工作中不感到厌倦 6、为什么你们那么早的定位了自己的职业方向 7、为什么你们可以长期忍受住诱惑 我不知道如何回答，因为我已经被问的哑口无言。可能我可以回答的只有：因为内卷，因为你不努力，就只能被埋藏在海底。

随着科技的发展，人们生活水平的提高，人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电源重量等参数提出了越来越高的要求。目前随着研究的深入，开关电源技术的发展越来越快，各类全新拓扑结构被逐渐广泛应用。从而使开关电源的功率密度越来 越高化，效率越来越高，拓扑结构越来越丰富。但是随之而来的难点是电源的转换效率受到了功率器件的制约，很难再进一步的提高电源的性能。由于拓扑结构难以创新，磁性材料创新速度慢，第三代半导体由于其开关速度快、内阻相对于第二代半导体更小的优良特性，逐渐被应用到开关电源中。 第三代半导体材料主要以碳化硅（ SiC ）、氮化镓（ GaN ）、氧化锌（ ZnO ）、氮化铝（ AlN ）等化合物材料为代表的宽禁带半导体材料。目前被广泛接受的可以应用于电源开关的材料包含 SIC 和 GaN 两种。 由于 GaN 和 SIC 材料针对于现在的工程师来讲属于一种全新的半导体材料，大家对于这两种材料的特性仅停留在各个半导体原厂向工程师推广应用时告知的可以应用的层面上，很少寻根问底在目前的电源上为什么要用这种材料，怎么应用这种材料，怎么才能发挥这两种半导体材料的优势。更没有深究过应用这两种材料是否真正的发挥到了最高性价比。 如果需要搞清楚如上几个问题，首先我们需要了解第三代半导体本身相对于其他功率器件的优劣势，然后再进一步探讨适合应用在什么样的电源产品上。下面我们以南京芯干线科技有限公司的 GaN HEMT XG6510B8 （详细规格书请点击 产品信息_ 南京芯干线科技有限公司 (x-ipm.com) 进行下载）来举例说明。 GaN HEMT 器件具有两大优势一劣势三个特性：（ 1 ）与 SI 同样芯片面积时，内阻更小。（ 2 ）开关频率高，目前 XG6510B8 最理想的工作频率为 200KHz-1.5MHz 之间。（ 3 ）与 Si MOSFET 器件相比同样内阻时， 芯片 面积小，散热面积小，过电流能力弱。 SI MOSFET 具有如下特性：（ 1 ）与 GaN 芯片 面积相同时，内阻大。（ 2 ）开关频率与 GaN 相比略低，目前常规 SI MOSFET 器件最理想的工作频率为 10KHz—200KHz 之间。（ 3 ） SI MOSFET 与 GaN 相比同样内阻时， 芯片 面积更大，过电流能力更强。 通过如上分析我们可以很清楚的看出， GaN 功率器件相对于 SI 功率器件相比有着很明显的优势和劣势。如果要充分发挥第三代半导体的优势，就需要选择恰当的应用市场，选择恰当的控制器，充分发挥 GaN 内阻小，开关频率高的优良特性。由于目前磁性器件材料的限制，我们建议 GaN 器件工作在 250K 的开关频率下， DFN88 封装器件工作在 0.6W 的耗散功率条件下。考虑导通损耗和开关损耗的叠加，南京芯干线科技有限公司针对于 DFN88 的功率器件运用BOOST PFC 、无桥 PFC 、半桥 LLC 、移相全桥等多种拓扑结构组合，制作了 100W 、 130W 、 180W 、 200W 、 250W 、 350W 、 500W 、 1KW 等多款 GaN 电源。 然而南京芯干线科技有限公司由于成立时间较短，随着后续技术水平的提高，公司技术人员有信心运用 GaN 单片器件将功率做到 2800W 左右。从而充分发挥 GaN 功率器件在开关电源中的优良性能。 总之，由于 GaN 与 SI 器件相比的两优势一劣势，南京芯干线科技有限公司经过多年的研究得出结论：如果 GaN HEMT 的最高性价比，充分发挥 GaN HEMT 的优良特性，最恰当的开关电源产品应用功率应该定位与 200W—3KW 之间的交流与直流电源。开拓进取的南京芯干线科技有限公司期待与您做进一步的技术交流，共同推动第三代半导体功率器件在开关电源中的应用。