tag 标签: 碳化硅二极管

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  • 热度 3
    2024-8-16 10:14
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    2024-8-16调研咨询机构环洋市场咨询出版的【全球碳化硅二极管行业总体规模、主要厂商及IPO上市调研报告,2024-2030】只要调研全球碳化硅二极管总体规模,主要地区规模,主要企业规模和份额,主要产品分类规模,下游主要应用规模以及未来发展前景预测。统计维度包括销量、价格、收入,和市场份额。同时也重点分析全球市场主要厂商(品牌)产品特点、产品规格、价格、销量、销售收入及发展动态。历史数据为2019至2023年,预测数据为2024至2030年。 调研机构:Global Info Research电子及半导体研究中心 报告页码:164 根据本项目团队最新调研,预计2030年全球碳化硅二极管产值达到2324.8百万美元, 2024-2030年期间年复合增长率CAGR为26.1%。 本文研究碳化硅二极管(Silicon Carbide Power Schottky Diode),包括SiC肖特二极管分立器件和SiC肖特二极管模块。目前SiC二极管主要厂商有STMicroelectronics、Infineon、Wolfspeed、Rohm、onsemi、Microchip (Microsemi)和三安光电等,全球前五大厂商占有大约70%的市场份额。 根据不同产品类型,碳化硅二极管细分为:碳化硅肖特二极管分立器件、碳化硅肖特二极管模块 根据碳化硅二极管不同下游应用,本文重点关注以下领域:汽车领域、充电桩、工业电机、PV/储能、UPS/数据中心、轨道交通、其他应用 本文重点关注全球范围内碳化硅二极管主要企业,包括:意法半导体、英飞凌、Wolfspeed、罗姆、安森美、微芯科技、三菱电机(Vincotech)、赛米控丹佛斯、富士电机、Navitas (GeneSiC)、东芝、Qorvo (UnitedSiC)、三安光电、Littelfuse (IXYS)、中电科55所(国基南方)、瑞能半导体科技股份有限公司、深圳基本半导体有限公司、SemiQ、KEC、强茂股份、安世半导体、威世科技、株洲中车时代电气、华润微电子、扬杰科技、银河微电 章节内容概述: 第1章、碳化硅二极管定义、产品分类、应用下游分析、产能分析、总体规模及预测(销量及价格) 第2章、全球碳化硅二极管只要企业基本情况、主营业务及主要产品、销量、收入、价格、企业最新动态等。 第3章、全球碳化硅二极管竞争态势分析,主要包括企业的销量、价格、收入及份额、相关业务/产品布局以及下游应用/市场,同时也分析碳化硅二极管行业并购,新进入者及扩产情况(2019-2030) 第4章、全球碳化硅二极管主要地区规模及预测,包括收入,销量,价格等(2019-2030) 第5章、全球碳化硅二极管不同产品类型的细分规模及预测的分析,统计指标包括销量、收入、价格(2019-2030) 第6章、全球碳化硅二极管产品不用应用的细分规模及预测,统计范围包括销量、收入、价格(2019-2030) 第7章、碳化硅二极管在北美地区按照不同国家、产品类型和应用的细分规模及预测,包括销量、收入(2019-2030) 第8章、碳化硅二极管在欧洲地区的细分市场分析按照不同国家、产品类型和应用的细分规模及预测(2019-2030) 第9章、碳化硅二极管在亚太地区按照不同国家、产品类型和应用的细分规模及预测(2019-2030) 第10章、碳化硅二极管在南美地区按照不同国家、产品类型和应用的细分规模及预测(2019-2030) 第11章、碳化硅二极管在中东及非洲按照不同国家、产品类型和应用的细分规模及预测(2019-2030) 第12章、全球碳化硅二极管市场动态、驱动因素、阻碍因素、发展趋势、行业政策等 第13章、全球碳化硅二极管的行业产业链 第14章、全球碳化硅二极管的销售渠道详细分析 第15章、碳化硅二极管调研结论
  • 热度 17
    2016-4-19 15:18
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    在创造我们的新型 1200 V 碳化硅 (SiC) 二极管  (我们首款碳化硅产品)时,我们就决定务必确保我们的碳化硅二极管实现业界最佳的性能、可靠性和耐用性,这是采用精心设计和新的制造工艺所必须的。 我们成功的一个关键是采用先进的 6寸碳化硅工艺技术,以及自动化的工具和深度的监测,从而减少基板和外延缺陷。细致监测电气和材料缺陷(如错位和 BPD)是关键步骤,因为所有碳化硅晶圆都有错位,后续工艺将会添加这些。 我们的先进工艺和广泛监测的最终结果就是,与目前其他产品相比具有更高的内在可靠性。另外,二极管极低且稳定的漏电流也有助于实现卓越的可靠性,这是业界最低的漏电流。 确保卓越的可靠性对于我们来说是关键的设计目标,因为光伏逆变器、工业电机控制、电焊机和其他使用 1200V 二极管的工业设备必须具有较长的寿命,并被希望能够可靠运行多年。 与我们 1200V 碳化硅二极管的可靠性相辅相成的是其耐用性,这是对终端设备的另一个重要要求,因为终端设备经常需要承受极端的温度、震动、风吹雨打以及其他严酷的运行条件。 密封钝化是二极管耐用性的一个关键因素,因为它能够去掉通常会导致故障的凸起和开裂。这还使得二极管免受与潮湿相关的腐蚀,通常这些会出现在高功率模块中。 我们通过采用独特的边缘终止 IP 和分析技术进一步增强了其耐用性,从而使其具有卓越的耐雪崩性能和极低的漏电流 – 事实上已达到业界最佳。 尽管确保可靠性和耐用性是首要目标,我们也不能忘了实现业界领先的性能。我们的二极管具有卓越的开关性能而无反向恢复电流,与硅二极管相比显著减少了开关损耗,并实现更佳的能源效率。 该二极管性能的另外两个有利因素是其能够在较宽的温度范围内进行稳定开关,并且由于其零恢复电压去除了电压过冲。 很明显,对于 1200V 二极管而言,我们的碳化硅二极管处于领先地位,但不仅于此。 在结合我们最新的 1200V IGBT使用时,该组合解决方案提供业界最佳的开关性能和功率密度,以及更高的可靠性和耐用性。 如您所见,我们已经努力克服使用碳化硅时的固有困难,以便发挥其巨大的优势。 另外,在不久的将来,您会看到我们推出更多碳化硅产品。
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