标签: 温补晶振参数

与普通时钟振荡器相比较，温补晶振在温度频率稳定度方面有更大的优势。TCXO主要利用附件的温度补偿电路减少环境温度对振荡频率的影响。温补晶振产品页面上可以快速根据尺寸，波形，以及功能进行型号筛选： 以KT70为例，必须选择的参数为频率，电压，是否需要电压调整，以及温度频差和温度范围： 1. 频率范围：根据不同的输出波形和尺寸，频率范围会不一样。 CMOS：最高可到250MHz，32.768KHz低功耗温补晶振(KT3225, KT7050) LVDS差分输出: 高频温补晶振最高可到1.5GHz（KD326D, KD706D) True Sine准正弦波: 负载阻抗50Ω，谐波分量小。其应用于射频信号处理，频率源等。频率范围10MHz~200MHz (KT14S) Clipped Sine削峰正弦波:谐波分布小，驱动能力比方波弱，负载10k//10PF时Vp-p为0.8Vmin。直插晶振最高频率为60MHz，贴片封装为52MHz (例如：KT14CS) 2. 工作电压: 电压以伏特为单位，是振荡器所需要的输入电源。电源电压通过VDD/Supply Voltage引脚供电。 3. 电压调整: 一般频率调整范围为±50~±200ppm。改变外加调整电压的大小，能改变容性负载CL的值，从而实现频率的调整。 4. 温度频差vs温度范围: 对应工作温度范围，温度带来的最大频率偏差，这是衡量TCXO温度补偿功能的重要指标。这个指标也是区分精度等级的标准。 5. 频率温度稳定度v.s. Aging(年老化率)：一般给出标准使用条件下首年的老化数据。 Voltage Change(电压变化)：供电电压变化带来的频率偏差。例如，+/-0.1ppm @ VCC=2.8V ± 0.14V. Load Change(负载变化)：负载频率特性，负载在额定条件下变化带来的频偏偏差，例如，+/-0.1ppm @ 10k Ω//10pF ±10% each. 6. 相位噪声和抖动: 从频域来看，对应的参数是相位噪声（Phase Noise）；从时域来看，对应的参数是抖动（Jitter）。