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Nexperia | 了解RET的开关特性 阅读本文，了解如何使用RET来应对标准BJT的温度依赖性。 可通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)。但是，由于基极-发射极二极管两端的压降在很大程度上取决于温度，因而在许多应用中，需要一个串联电阻将基极电流保持在所需水平，从而确保BJT稳定安全地工作。阅读本文，了解如何使用RET来应对标准BJT的温度依赖性。 为了减少元器件数量、简化电路板设计，配电阻晶体管将一个或两个双极性晶体管与偏置电阻组合在一起，集成在同一个晶片上。替代方案包括在基极-发射极路径上并联第二个集成电阻，以创建用于设置基极电压的分压器。这可以提供更精细的微调和更好的关断特性。由于这些内部电阻的容差高于外部电阻，因而 RET 适合晶体管在打开或关断状态下工作的开关应用。因此，RET 有时被称为数字晶体管。本文讨论了在开关应用中使用RET进行设计时的一些关键操作参数。 △ 配电阻晶体管(RET) 电压和电流(VI)参数 IC/IIN 是指RET的电流增益 hFE，其中的IIN包括基极电流和流经 R2 的电流（IR2 = VBE/R2）。因此，hFE 比 RET 小，后者只有一个串联基极电阻R1。因为输入电流从基极分流，所以 R2 值越低，hFE 值就越小。从表1可看出这一点。VCEsat 是 RET 开关处于导通状态时集电极-发射极的残余电压。 测量 hFE 的测试条件是施加 0.5 mA 的基极电流和 10 mA 的集电极电流。Vi(off)是 RET 器件关闭时的输入电压。在这种情况下，集电极泄漏电流为 100µA，集电极-发射极电压(VCE)为 5 V。表中提供的 V(Ioff)max 较低值是 RET 驱动级的最大允许输出电平。该条件必须要满足，以确保 RET 在关断状态下可以安全运行。当测试处于导通状态的 RET 时，VI(on)min 是最关键的参数。用于驱动 RET 的电路必须能够提供该电压电平，以确保安全开启。导通状态是指集电极-发射极电压为 0.3 V 时，集电极电流为 10 mA 的状态。RET 数据手册中规定的 VI 额定值仅针对这些测试条件有效。RET 需通过更大的基极驱动电压 VI(on)来获得更大的开关电流。图2 显示了 RET 晶体管的电压-电流(VI)开关特性。 ▶ VI < VI(off)max：所有RET器件均保证处于关断状态 ▶ Vi < Vi(off)typ：典型RET处于关断状态 ▶ Vi < Vi(off)typ：典型RET处于导通状态 ▶ VI(on)min：所有RET器件均保证处于导通状态 表 1 显示了导通和关断状态的输入电压对 Nexperia NHDTC 系列 RET 中的电阻分压器配置的依赖性。在 VI(off)条件下，会有一个微小的基极电流流过晶体管（约0.3 µA）。关闭 RET 所需的电压典型值与电阻比 R1/R2 有关。当晶体管关闭时，可以通过 R2 或基极-发射极二极管两端的压降目标来计算此值。对于 NHDTC 系列，该电压大约为 580 mV。 因此，电阻比为 1 时的 VI(off) 值具有相同的电压(表1中的第1-3行)。由于上述原因，当 R2 为 47 kΩ，且 R1 值为 2.2 kΩ、4.7 kΩ 或 10 kΩ时，关断状态的典型电压值均会较低。VI(off) max 需为偶数值，以确保器件在图 2 中最左侧的深绿色阴影区域内运行。 △ Nexperia的RET产品组合 正确选择电阻分压器至关重要，以确保 RET 的控制电压范围与驱动级相匹配。所需的集电极或负载电流会影响为导通状态提供的基极电流。可使用较低的 R1 和/或 流经 R2 的较小旁路电流来设置较高的集电极电流。 除了通用系列，Nexperia（安世半导体）还提供具有增强功能的 RET 器件， 例如，NHDTA/NHDTC 系列 RET(见表1)的 VCEO 为 80 V。这一特性使得这些器件非常适合 48 V 汽车应用。 PDTB 和 PBRN 系列 RET 支持 500/600 mA 的集电极电流，并可用于开关功率继电器和功率 LED。 有关温度的注意事项 在实际应用中，需密切关注VI参数的温度漂移。BJT 的 VBE 随温度升高而降低，其中系数约为 -1.7mV/K 至 -2.1mV/K。如图 3 所示，对于独立的 BJT，hFE 也会每开尔文增加约 1%。 △ 典型直流电流增益与集电极电流呈函数关系 VI(on) 为 IC 的函数，因此在相同的 VCE 下，需要更高的输入电压来驱动更多的集电极电流。低环境温度需要更高的输入电压，因为 VBE 增加，hFE 会降低。因此需要在低温下打开 RET 开关，这是应用的关键操作条件，并且需要足够的输入电压才能正确打开器件（图4）。 △ 典型导通状态输入电压与集电极电流呈函数关系 在关断状态下，高温条件非常关键。因此，驱动电路必须设计为在最高应用温度下输出电压远低于 VI(off) 典型值（图5）。 △ 典型导通状态输入电压与集电极电流呈函数关系 简单，但安全可靠 RET 是一种相对简单的器件，非常适合开关应用。尽管如此，设计人员必须了解影响其运行的参数，包括开关电压和电流，以及其受温度影响的情况。本篇博客文章提供了一些设计技巧，目的是确保 Nexperia（安世半导体）的 RET 在目标应用中安全可靠地运行。 *文章来源： Nexperia（安世半导体）应用营销经理 Burkhard Laue 著.

安世 | Nexperia（安世半导体）率先推出纽扣电池寿命和功率增强器 近日，基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）宣布推出NBM7100和NBM5100。这两款IC采用了具有突破意义的创新技术，是专为延长不可充电的典型纽扣锂电池寿命而设计的新型电池寿命增强器，相比于同类解决方案，可将该类电池寿命延长10倍，与未使用电池增强器的典型纽扣电池相比，使用该增强器还可将电池的峰值输出电流能力提高至25倍。 大幅延长工作寿命意味着低功率物联网（IoT）和其他便携式应用中的废旧电池数量将显著减少，同时，过去只能由AA- 或AAA- 电池提供动力的应用也有望改用纽扣电池。 Nexperia的模拟和逻辑 IC 业务部门总经理 Dan Jensen 表示： “推出这款电池寿命增强器产品展示了Nexperia拓展电池管理解决方案业务的决心。我们非常高兴推出这些创新产品，为我们现有的模拟和逻辑产品助增实力。NBM7100 和 NBM5100 可显著增强纽扣电池的性能，帮助进一步减少物联网设备、可穿戴设备和其他消费电子应用中的废旧电池。” CR2032 和 CR2025 纽扣锂电池的能量密度提高，保质期得到延长，因此，可广泛应用于多种低功率应用，比如低功率Wi-Fi、LoRa、Sigfox、Zigbee、LTE-M1等技术的相关器件，以及NB-IoT收发器等。但是，这些电池的内部电阻相对较高，化学反应速率也相对较快，在脉冲负载条件下，其可用容量可能会降低。为了克服这一局限性，NBM7100和NBM5100 中设计有两个高效率 DC / DC 转换阶段，并且采用智能学习算法。第一个转换阶段以较低速率将电池的能量转移到电容式储能元件。第二个阶段利用之前存储的能量实现可调节的高脉冲（最高200 mA）电流输出，可编程调节范围为1.8 V 到3.6 V 。买电子元器件现货上唯样商城。智能学习算法则负责监测在重复负载脉冲周期中使用的能量，并不断优化第一阶段的 DC / DC 转换，尽可能减少储能电容中的残余电荷。在未执行能量转换周期（即待机状态）时，这些器件消耗的能量低至50 nA。 这两款器件的额定工作温度范围是-40℃至85℃，非常适用于商业室内和工业户外环境。当电池电量低至无法支持工作时，“低电量”指示器将会向系统发出警告。除此之外，电池在接近寿命终点时，电压过低保护设计将会阻止向储能电容充电。 随附的串行接口可用于通过系统微控制器进行配置和控制：NMB7100A 和 NBM5100A 版本采用了I 2 C 接口，而NMB7100B和NBM5100B版本则采用了串行外设接口（SPI）。这些器件均可用于延长纽扣电池、锂亚硫酰氯电池（例如 LS14250 1/2 AA）以及新兴的纸质电池等高能量密度的锂原电池的使用寿命，延长更换电池的时间间隔，从而减少维护工作。除此之外，NBM5100A/B 还设计有电容电压平衡引脚，可为基于超级电容器的应用提供支持。 电池寿命增强器特性： NBM5100A/B和NBM7100A/B电池增强器采用小型DHVQFN16封装，尺寸为2.5mm × 3.5mm × 0.85mm。

SD卡电平转换器 - NXS0506UP 唯样商城代理品牌Nexperia（安世半导体）的最新电平转换器是市场上支持新标准的首款器件，便于系统设计者抢先一步开发出具有更大存储空间、可更快访问多媒体内容（比如音乐、视频和图片等）的便携式应用。 存储容量增加、访问速度提高，适用于通信、消费和计算系统应用，包括智能手机、笔记本电脑、SD/MicroSD 读卡器 、无线接入点。 支持最快 SD 卡接口的时钟频率要求为 SD 3.0 SDR104 。 NXS0506UP 适用于符合 3.0 标准储存卡的仅有的电平转换器，内置 ESD/EMI 保护。 此器件可在高达 208 MHz 的时钟频率和高达 104 Mbps 的数据速率下运行。NXS0506 是业界最小的 SD 3.0 卡电平 转换器 ，可支持超高速 SDR104 模式，帮助消费者安全体验 SD 3.0 存储卡解决方案所提供的更快数据速率。 唯样商城 代理品牌 Nexperia （安世半导体）的最新电平转换器是市场上支持新标准的首款器件，便于系统设计者抢先一步开发出具有更大存储空间、可更快访问多媒体内容（比如音乐、视频和图片等）的便携式应用。 NXS0506 采用非常小的晶圆级芯片尺寸封装（16引脚 0.35 mm 间距），节省了 PCB 空间。此设计架构将外部器件数量降到了零。不仅简化了设计，并且降低了手机、平板电脑、相机、机顶盒和游戏手柄等消费电子产品的总成本。 应用 ▶ 手机、平板电脑、笔记本电脑 ▶ 数码相机 ▶ 机顶盒 ▶ 游戏手柄 ▶ SD/MicroSD读卡器 ▶ 5G - 毫微微蜂窝式基站 ▶ 通信系统 ▶ 汽车驾驶员监控系统、导航系统 ▶ 物联网 ▶ 医疗系统 特性 ▶ 可提供双向电压转换，无需方向引脚（自动方向检测） ▶ 1.2 V至1.8 V主机侧接口电压支持 ▶ 支持高达208 MHz的时钟频率 ▶ 电压转换符合SD 3.0规范，支持SDR104、SDR50、 DDR 50、SDR25、SDR12高速和默认速度模式 ▶ 低功耗 ▶ 集成8 kV ESD保护，符合IEC 61000-4-2卡端4级标准 ▶ 5 V容差I/O端口，支持混合模式信号操作 ▶ 数据通道和CMD通道易于交换，不会影响NXS0506的功能 ▶ 通道间偏移200 ps 优势 ▶ 可提供最快的 SD卡 接口 ▶ 支持最新的SD卡级别 ▶ 符合IEC61000-4-2卡端4级标准 ▶ 集成8 kV ESD保护，符合IEC 61000-4-2卡端4级标准 ▶ 支持快速数据传输 ▶ 内置上拉电阻和下拉电阻降低了BOM成本 ▶ 集成 EMI滤波器 可抑制数字I/O的更高谐波 ▶ 电平转换缓冲区使主机不受ESD应力影响 ▶ 可直接连接到最新的主机 CPU /SOC ASICS 双向电平转换器可在主机和存储卡的 I/O 口电源电平之间转换数据。自动方向检测电路可确定命令和数据信号是从存储卡传输到主机（卡读取模式）还是从主机传输到存储卡（卡写入模式）。NXS0506 在 SD 3.0 标准规范中指定的信号电平支持多种时钟频率和数据传输速率。 NXS0506 具有自动启用功能。如果存储卡端的电源电压（VCCB）升至 1.5 V 以上，电平转换器逻辑器件将自动启用。一旦 VCCB 降低至 0.65 V 以下，存储卡端 驱动器 和电平转换器逻辑器件将被禁用。此器件可对除 CLK 外的所有数据通道进行自动校正控制。 对于这些引脚，方向控制逻辑器件检测数据流的方向，并相应地控制输出驱动器。主机接口无需指示数据流方向，无需方向引脚即可实现双向电压转换。 时钟始终从主机传输到存储卡端，时序关键读取模式下的数据来自存储卡。电压转换器和PCB（印刷电路板）线路会带来些许延迟。从存储卡读回数据的时序余量减小，特别是在更高数据速率时。为补偿延迟，引入了反馈路径。 买电子元器件现货上唯样商城 NXS0506 中的所有输入/输出驱动级都配备了 EMI 滤波器 ，以减 少对敏感移动通信的干扰。此器件在所有存储卡引脚上都配有稳健的 ESD 保护。NXS0506 架构可以防止主机受到应力，并将所有应力释放到电源接地。 点击进入唯样商城Nexperia官方授权品牌站