标签: 浪拓电路保护

相信所有人都希望 ESD 防护能完全地集成到 IC 芯片内部，因为这样会节省的板级空间，减少系统成本并降低设计与布线的复杂度。但从目前情况来看，前景并不乐观。如今， IC 制程工艺的进步成了片上 ESD 保护的一大难题。一方面，工艺的进步虽提升 IC 的性能与集成度并降低功耗与尺寸，但由于栅极氧化层厚度越来越薄， IC 自身的 ESD 防护能力反而降低。另一方面，随着 IC 尺寸的不断减小，由于受到空间的限制，因此保护能力有限。   ESD 保护器件 　　由于片上 ESD 保护电路能力有限，为保证整个系统有较好的 ESD 防护能力，外部 ESD 保护器件是必不可少的。比较常见的有陶瓷电容、齐纳二极管、肖特基二极管、 MLV(Multi-Layer Varistor ，多层变阻器 ) 和 TVS （ Transient Voltage Suppresser 瞬态电压抑制器） 。 MLV 是一种基于 ZnO 压敏陶瓷材料，采用特殊的制造和处理工艺而制得的高性能电路保护元件，其伏安特性符合 I=kVa ，能够为受保护电路提供双向瞬态过压保护。 MLV 的工作原理是利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。目前， MLV 在很多领域得到了广泛的应用 .                     电子产品轻薄化的发展趋势使其对ESD 防护要求越来越高， MLV 渐渐有些力不从心， TVS 二极管则开始崭露头角。 TVS 通常并联于被保护电路，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。当瞬时脉冲结束以后， TVS 二极管自动回复高阻状态，整个回路进入正常电压。由于 TVS 二极管的结面积较大，使得它具有泄放瞬态大电流的优点，具有理想的保护作用。 TVS 二极管还具有适应低压电路（＜ 5 V ）的特点，如 LTBV05C器件且封装集成度高，适用于在印制电路板面积紧张的情况下使用。