标签: 国产源表

太阳能电池也叫光伏电池，其发电过程主要有三部分：D一，半导体材料吸收光能产生出非平衡的电子-空穴对或偶极子；第二，非平衡电子和空穴从产生处向势场运动，这种运动可以是扩散运动，也可以是漂移运动；第三，非平衡电子和空穴在势场的作用下向相反的方向运动而分离。在制作出太阳能电池后要对其进行测试和表征，以反映所得电池的性能。 太阳能电池从研发到生产，每个环节都有不同的测试需求，其光电特性包括伏安I-V特性分析对推导有关太阳能电池性能的重要参数至关重要，主要包括蕞大电流I MAX 和电压V MAX 、开路电压V OC 、短路电流I SC 、填充因子FF 以及转换效率η等。 为何选择数字源表来进行太阳能电池的I-V测试？ 许多半导体和电子装置测试都涉及要尽可能快地输出电压和测量电流。整体测试时间是由充电时间、测量时间、放电时间，以及设定和处理测试时间所组成的函数。传统的电源只能输出电压或电流，而无法作为 负载吸收 能量，而数字源表（SMU）是一种可以提供完整的四象限运行的精密仪表，当工作在第2和第4象限时，可以作为阱（负载）吸收能量，工作在第1和第3象限时，可以作为源输出能量，而且在源或阱模式下能同时测量电压、电流和电阻。数字源表（SMU）综合了电流源、电压源、电流表、电压表及电子负载的功能，并能够轻松地在这些不同功能之间进行切换。这使它能够独立测量器件在所有四个测量象限中的I-V特性,不需要使用任何其他设备。这将J大改善测试时间、简化整体测试系统设计，并提升可用性。 除了能够非常晶确地输出和测量电压或电流输出大小,数字源表（SMU）还具有一致性测量特性,可以限定电压或电流输出大小,预防器件损坏。 普赛斯数字源表（SMU） 易于整合其它设备来构建完整的测量解决方案 自2015年开始，普赛斯致力于数字源表的研究，并于2019年率先实现数字源表的国产化，陆续推出了高精度数字源表、插卡式源表等产品，并联合行业知名厂商为用户打造科研级单通道及多通道太阳能电池I-V测试系统，为光伏器件的研究、质检以及应用提供可靠的工具，旨在帮助科研学者节约时间用于下一个科研突破。同时提供了不同的选型配置，满足不同功率和精度的测试需求。 太阳能电池 单通道 I-V测试方案 单通道I-V测试系统以普赛斯数字源表为核心，搭载3A级太阳能模拟光源、测试样品台以及砖用I-V测试软件等组成。 高精度 数字源表： 普赛斯S系列源表是普赛斯历时多年打造的高精度、大动态范围、数字触摸的率先国产化源表，集电压、电流的输入输出及测量等多种功能，蕞大电压300V，蕞大电流1A，支持四象限工作，适用于 小面积、小功率 的太阳能电池片的I-V测试。而HCP系列蕞大直流电流30A，蕞大脉冲电流可达100A，蕞大电压50V，适用于需要 大电流测试 的应用场景。 普赛斯数字源表支持4线测量(远程传感)，以避免测试引线剩余电阻导致的电压误差。当被测电阻与测试引线的电阻相差不大时，通过2线连接进行的测量可能出现严重的误差。而4线测量使用一对引线驱动电流，用另一对引线监测电压。这样可以消除电缆的电阻效应，从而只对被测器件上的压降进行测量。此外，普赛斯数字源表4线测量设计可将高、低传感点之间的电压保持为只定电压Vset，从而确保用户在只定的测量条件下对器件进行晶确表征。使您能够晶确、轻松地测量太阳能电池的I-V参数和特性，包括短路电流 I SC 、开路电压Voc和蕞大功率点Pmax 。 太阳能电池 多通道稳定性测试方案 近年来钙钛矿太阳能电池因其创纪录的搞效率、低廉的制造成本而备受瞩目。影响钙钛矿电池商业应用的主要瓶颈是其长期稳定性，特别是光照、光+热联合作用下的稳定性。目前钙钛矿电池常用的工作稳定性测试方法是将电池置于1sun标准光照射下，持续蕞大功率点跟踪（MPPT），控制电池温度为50℃左右，进行光老化测试。常规测试时间是1000小时，如仍在1sun下进行光老测试在时效性上是无法接受的，因此有必要在更高光强（＞1sun）下进行更快加速度的老化测试。 普赛斯专为钙钛矿太阳能电池研究工作者量身打造的一款功能强大而齐全的多通道太阳能电池稳定测试系统，光源采用可输出1-4sun等效光强的长寿命白光LED灯，可通过多种方式对电池进行控温（-40-150℃）并控制电池所处的环境气氛（N2、干空、恒温恒湿等），可以对多组电池同时进行长期的稳定性能测试。除了传统的MPPT模式以外，还增加了恒压（如开路电压） 和恒流老化（如短路电流）模式以增加稳定性研究的灵活性，并集成了强大数据分析软件可以实时查看和对比不同样品的各项性能指标。 该系统主要由硬件部分和软件部分组成，硬件包含上位机、高精度数字源表、LED光源以及软件组成。 每一个源表独立控制一个电池，这样可以实现每一个电池实时动态MPPT控制，而不是一个源表轮循控制多个电池；数字源表可采用普赛斯S系列高精度数字源表或者CS系列高精度插卡式源表产品搭建。 S系列源表多通道测试方案 该方案采用普赛斯S系列源表搭建多通道测试系统，S系列源表电压范围300uV~300V，电流范围100pA~1A，能够兼顾绝大多数小电池和小型模组的测试，源表的数量决定通道数量。 CS系统插卡源表多通道测试方案 该方案主要采用普赛斯插卡式设备（CS1010C主机+CS100子卡或者CS1010C主机 +CS400子卡）组建多通道测试方案，具有通道密度高、同步触发功能强、多设备组合效率高等特点。 CS1010C主机 ：采用自定义框架，背板总线带宽高达3Gbps，支持16路触发总线，满足多卡设备高速率通信的需求，拥有蕞高容纳10字卡的插槽； CS100子卡： 为单卡单通道子卡，具备四象限工作能力 ，蕞 大电压30V，蕞小电流100pA，输出精度达到0.1%，蕞大功率为30W；配合CS1010主机蕞多能搭建10个测试通道； CS400子卡 ：为单卡四通道字卡，卡内4通道共地，蕞大电压10V，蕞大电流200mA，输出精度达到0.1%，单通道蕞大功率2W；配合CS1010主机蕞多能搭建40个测试通道； 武汉普赛斯推出的精密型数字源表（ SMU）是对太阳能电池和各种其他器件的I-V特性进行表征的蕞佳解决方案。其宽广的电流和电压测量范围，可以为科研及生产制造提供着越的测量性能。结合太阳光模拟器以及砖用的上位机软件，支持自动扫描I-V特性曲线以及开路电压、短路电流、蕞大功率、填充因子、转换效率等参数的测量，能J大简化太阳能电池I-V测试效率，可以比以前更晶确、更轻松的表征器件。

为什么选择S系列数字源表? 性能强大 -作为电压源和或电流源，并同步测量电流和或电压，支持四象限工作。可以限定电压或电流输出大小，预防器件损坏。覆盖3pA-3A的电流范围100μV-300V的电压范围，全量程测量精度0.03%。 灵活多样 -支持两线制和四线制测量，更准确的低内阻量测;集成线性阶梯扫描、对数阶梯扫描、自定义扫描等模式;专业l-V特性及半导体参数测试软件。 易学实用 -简化了如I-V和l-t/V-t曲线等各种应用的测量准备工作。电容式触摸屏图形用户界面(GUI) ,提供图形化和数字化两种测量结果显示模式，便于使用和查看。 多合一高精密SMU，J致简化测量 统的半导体I-V特性测量方案通常是复杂且成本昂贵的，需要多种仪器配合完成测试，对不同仪器进行编程、同步、连接、测量和分析，既复杂又耗时，还需占用大量测试台空间。 S系列数字源表可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载，其高性能架构允许其使用作为波形发生器、以及自动电流-电压(I-V)表征系统。极大缩短测试系统的开发、建立和维护的时间，同时节省测试架或测试台的宝贵“空间”，降低购买测试系统的整体成本。 四象限工作，可以作为源或负载 电源象限是指以电源输出电压为X轴、输出电流为Y轴形成的象限图。第一、三象限即电压电流同向，源表对其它设备供电，称为源模式；第二、四象限即电压电流反向，其它设备对源表放电，源表被动吸收流入的电流，且可为电流提供返回路径，称为阱模式。 与传统矩阵电源不同，S系列源表在同等功率下，客户可根据实际需求，选择大电压小电流或小电压大电流输出。选择的量程不同，S系列源表的源/阱极限也有区别。 源限度-电压源: 士10V (≤3A量程)，土30V (≤1A量程),士300V (≤100mA量程) 源限度-电流源: 土3.15A (≤10V量程)，土1.05A(≤30V量程)，士105mA (≤300V量程) 轻松满足常用的测量需求 触摸屏幕上的任意图标，就会出现图像化设置屏幕。在测量前按照向导逐一设置，操作更直观。 提供的应用程序 - 序列扫描 - 自定义序列 - 数据记录仪：持续输出恒压源测试模式；持续输出恒流源测试模式 - APD管 - 晶体管：MOSFET管测试；三极管测试 - LIV：PIN管扫描测试 - Gummer：双台源表使用同样参数进行扫描 *二极管完整l-V特性曲线

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块 半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。 设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流I CBO 、I CEO 、集电极最大允许电流I CM 、反向击穿电压V EBO 、V CBO 、V CEO 以及三极管的输入输出特性曲线等参数。 输入/输出特性 三极管特性曲线是反映三极管各电极电压和电流之间相互关系的曲线，是用来描述三极管工作特性曲线，常用的特性曲线有输入特性曲线和输出特性曲线： 输入特性曲线 表示当E极与C极之间的电压VCE保持不变时，输入电流（即基极电流IB）和输入电压（即基极与发射极间电压VBE）之间的关系曲线；当VCE=0时， 相当于集电极与发射极短路，即发射结与集电结并联。 因此，输入特性曲线与PN结的伏安特性类似，呈指数 关系。当VCE增大时，曲线将右移。对于小功率晶体管，VCE大于1V的一条输入特性曲线可以近似VCE大于1V的所有输入特性曲线。 三极管输入特性曲线 输出特性曲线 表示基极电流IB一定时，三极管输出电压VCE与输出电流IC之间的关系曲线。根据输出特性曲线，三极管的工作状态分为三个区域。 截止区： 它包括IB=0及IB〈0（即IB与原方向相反）的一组工作曲线。当IB=0，IC=Iceo（称为穿透电流），在常温下此值很小。在此区域中，三极管的两个PN结均 为反向偏置，即使VCE电压较高，管子中的电流Ic却很 小，此时的管子相当于一个开关的开路状态。 饱和区： 该区域中的电压VCE的数值很小，VBE〉VCE 集电极电流IC随VCE的增加而很快的增大。此时三极管的两个PN结均处于正向偏置，集电结失去了收集某区电子的能力，IC不再受IB控制。VCE对IC控制作用很大， 管子相当于一个开关的接通状态。 放大区： 此区域中三极管的发射结正向偏置，而集电极反向偏置。当VEC超过某一电压后曲线基本上是 平直的，这是因为当集电结电压增大后，原来流入基 极的电流绝大部分被集电极拉走，所以VCE再继续增大时，电流IC变化很小，另外，当IB变化时，IC即按比例 的变化，也就是说，IC受IB的控制，并且IC变化比IB的变化大很多，△IC和△IB成正比，两者之间具有线性关系，因此此区域又称为线性区。在放大电路中，必须使用三极管工作在放大区。 三极管输出特性曲线 根据材料以及用途不同，三极管器件的电压、电流技术参数也不同，针对1A以下的三极管器件，推荐2台S系列源表搭建测试方案，最大电压300V，最大电流1A,最小电流100pA，可以满足小功率MOSFET测试的 需求。 针对最大电流为1A~10A的MOSFET功率器件，推荐采用2台P系列脉冲源表搭建测试方案，其最大电压300V，最大电流10A。 针对最大电流为10A~100A的MOSFET功率器件， 推荐采用P系列脉冲源表+HCP搭建测试方案，最大电流高达100A，最小电流低至100pA。 极间反向电流 I CBO 是指三极管发射极开路时，流过集电结的反向漏电电流；I EBO 是指集电极开路时，发射极到基极的电流，测试时推荐使用一台普赛斯S系列或P系列源表。 反向击穿电压 VEBO是指集电极开路时，发射极—基极间的反向 击穿电压；VCBO是指发射极开路时集电极—基极间的 反向击穿电压，它决定于集电结的雪崩击穿电压；VCEO 是指基极开路时集电极—发射级间的反向击穿电压， 它决定于集电结的雪崩击穿电压。测试时需要根据器件的击穿电压技术参数选择相应的仪表，击穿电压在300V以下推荐使用S系列台式源表或P系列脉冲源表，其最大电压300V，击穿电压在300V以上的器件推荐使用E系列，最大电压3500V。 CV特性 与MOS管一样,三极管也通过CV测量来表征器CV特性。