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　　中科院重庆绿色智能技术研究院称研制出了识别率 99.8% 的人脸识别系统。该研究院智能多媒体技术研究中心主任周曦表示，目前正在开发的人脸识别移动支付系统，预计将在 2015 年下半年推出使用。 　　他介绍说，“在人脸识别方面，我们自主研发了可移动式人脸数据采集阵列，能采集 91 个角度、多种复杂光照、不同遮挡及室内室外多种环境下的人脸图像。我们建立了全球最大的亚洲人人脸特征训练数据库，拥有超 5000 万张人脸训练数据。在美国卡内基梅隆国际标准人脸识别测试库，我们达到了 99.8% 的识别率，而国际上其他算法的最好结果为 97.6%。”根据研究院的一篇新闻稿，基于异构深度神经网络的人脸识别系统已在重庆、**、上海等地部署应用。99.8% 听起来很高，但如果真的应用于实际会造成大量误报：举例来说，假设 10 亿人中有 10 万名嫌疑人，也就是说 9.999 亿人是无辜的，0.2% 的误报率意味着约 200 万人会被错误标记为嫌疑人，而真正的嫌疑人会有 200 人逃脱。  

今年初， 中科院 上海光学与精密机械研究所一群热爱量子光学的科学家研制出了世界上第一台激光三维强度关联成像相机(国外也称为单像素三维照相机)，近日又制造出了第一台工程样机。尽管这种相机只有单一像素，却可轻而易举地获取拍摄对象的全息图像，在民用和军用领域都将大显身手。   据悉，该项成果来自该所研究员韩申生领衔主持的国家“863”项目“激光三维强度关联成像技术研究”和“被动光学多光谱强度关联成像技术研究”。项目日前在沪通过了科技部组织的专家验收。 上海光机所建成的国际上第一台激光三维强度关联成像工程原理样机 韩申生介绍说，该项目在国际上首次完成了实际室外典型遥感场景中的激光三维强度关联成像实验，并初步建立和验证了微波凝视关联成像的基本理论体系。   平时我们所见的相机都有一个统一名称—— 光学成像 。而单像素3D相机所做的，是利用光和电磁波的无规涨落性质进行成像——即量子成像，俗称“鬼”成像。 传统光学成像都是物体反射出的一根根光线进入镜头，落在胶片或电子元件上，一个个光斑排列在一起，形成一幅图像。但“鬼”成像却把自然界想象成一个由无数光子组成的量子场。这个场里的光子会不停涨落，每一个的状态都能计算出来。因此，要得到图像，不再需要依靠光线进入成像镜头，而只需要依靠反射光波能量的探测和计算——仿佛幽灵般可以靠意念洞察一切。 3D相机可显示出拍摄对象的三维信息（左：一般图像 右：三维成像图片） “在谷歌地图的照片上，我们经常看到白云遮住了地面景物。”项目组成员龚文林介绍，“但用‘鬼’成像的方法，就能在很大的程度上穿透白云，把地面看清楚。” 遥感成像 是单像素3D相机的重要用途之一。据介绍，该项目组在国际上首次进行了大量晴朗、夜间、云雾、雨雾等典型气象条件下的室外遥感成像实验。实验实现了野外一公里量级探测距离上分辨率为1cm、超衍射极限分辨2倍以上的强度关联成像，演示了主动照明强度关联成像技术在三维成像能力、成像探测灵敏度以及云雾、雨雾等恶劣天气条件下与现有遥感成像技术相比的特点和优越性。 上海光机所2012年的中期项目评估报告显示，利用口径仅为18mm的单像素3D照相机，可以在恶劣环境中拍摄到420mm的普通光学望远镜根本无法拍到的目标。由于体积和重量的大大减小，原本需要直升机携带的遥感设备，换成单像素3D照相机后完全可以装载到小型***上。 此外，利用3D相机的全息成像，医院就可以直接用普通光照出X光不易看出的人体软组织的损伤、病变；雷达侦察时，就能轻而易举地分辨出闯入侦察区域的小亮点是一只鸟还是一架飞机，不管是民用领域还是军用领域，隐身战机基本上都会“失灵”。 原文链接： http://www.eet-china.com/ART_8800689436_480501_NT_69e1cacb.HTM  

近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能良好，达到国内领先、世界一流水平。   22纳米CMOS技术是全球正在研究开发的最新一代集成电路制造工艺，各国都投入了巨大资金，力争抢占技术制高点。Intel开发的基于 三栅器件结构 的处理器已于近期实现量产；IBM联盟也于近期发布了采用22纳米工艺生产的SRAM芯片；Global Foundries，欧洲的IMEC，日韩的三星、Toshiba和我国台湾的台积电也发布了各自的22纳米制程技术；我国于2009年在国家科技重大专项的支持下开始22纳米关键技术先导研发。作为该项目的牵头单位，中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心与项目联合承担单位，北京大学、清华大学、复旦大学和中科院微系统所的项目组一道，开展了系统的联合攻关。经过3年多的辛勤努力，该项目于近期取得突破性进展。 在22纳米CMOS技术节点，为了降低成本、减少功耗和提高器件性能，高K/金属栅技术被广泛引入，同时也对器件制造工艺及集成技术带来了很大的挑战，主要包括了以下几个方面： 一是界面工程，需要研究高K材料与硅沟道的界面态特性、应力引入控制机制、影响载流子迁移率的原理机制等； 二是栅工程，对高性能的NMOS和PMOS器件而言，筛选出具有合适功函数的金属栅材料及堆叠结构避免费米钉扎效应，降低刻蚀工艺及集成技术的难度至关重要； 三是需要实现超浅结的源漏工程，确保器件具有良好的短沟道效应抑制特性和欧姆接触。 图1:22纳米栅长NMOS截面和高K/金属栅堆叠结构的TEM照片(中科院微电子研究所，2012） 针对上述核心问题，项目组开展了系统的研究工作，在N型和P型MOS电容上均获得了EOT≤8.5，漏电流降低3个数量级，金属栅有效功函数距硅带隙边距离≤0.2eV的良好电学结果。成功研制出器件性能良好的22纳米栅长MOSFET器件(图1)。其中，NMOS和PMOS的阈值电压分别达到工业要求的0.3V 和-0.28V左右，在Vdd= 1V时饱和导通电流Ion (在没有使用应变硅增强技术的条件下)分别达到465uA/um和368uA/um，短沟道效应得到很好的改善，亚阈值摆幅(SS)和漏致势垒降低(DIBL)控制在85mV/dec和65mV以内（图2），均满足工业应用标准。 图2:NMOS的Id-Vg转移曲线以及Id-Vd输出曲线(中科院微电子研究所，2012） 图3:PMOS的Id-Vg转移曲线以及Id-Vd输出曲线(中科院微电子研究所，2012） 在这一过程中，中科院微电子研究所与北京大学、清华大学、复旦大学以及中科院微系统所的联合项目组完成了1369项专利申请，其中包括424项国际专利申请，为我国在集成电路领域掌握自主知识产权，取得国际话语权奠定了基础，其中后高K/金属栅工艺模块及相关专利、金属栅堆叠结构及其专利等均已开始在国内集成电路制造企业进行进一步的生产工艺开发。 多年来，我国的集成电路先进制造工艺大多是在引进的核心知识产权上进行产品工艺开发，在全球产业链最先进工艺的开发上缺少布局和话语权。此次22纳米关键技术先导研发是国内第一次在全球最先进工艺技术代组织这么大规模的产学研联合攻关，同期，国内制造企业在28纳米工艺上也在进行开发，目标就是在22纳米核心技术的知识产权中取得一席之地，在我国集成电路制造产业进入22纳米技术代时，开始拥有自己的话语权。该成果的取得对我国集成电路产业在22纳米获得具有自主知识产权的核心技术有重要意义，也为我国继续自主研发16纳米及以下技术代的关键工艺提供了必要的技术支撑。结合国内制造企业在28纳米技术研发上取得的突破，我国已开始在全球尖端集成电路技术创新链中拥有自己的地位。   投稿来自：中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心的罗军 博士/ 副教授   原文链接： http://www.eet-china.com/ART_8800679194_640279_NT_11a78abc.HTM  

近日，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室太赫兹器件研究组研制出截止频率达到3.37THz的 太赫兹肖特基二极管 和应用于太赫兹频段的 石英电路 。该器件作为太赫兹倍频器核心元件，经中电集团41所验证，性能与国际同类产品相当。   据了解，太赫兹波指的是频率在0.1THz至10.0THz范围的 电磁波 ，被美国评为“改变未来世界的十大技术”之一。它在安全检查、无损探测、天体物理、生物以及军事科学等诸多科学领域有着重要的应用。具有极高截止频率的肖特基二极管能够在室温下实现太赫兹波的混频、探测和倍频，是太赫兹 核心技术 之一。 由微电子所研究员金智领导的研究组针对太赫兹电路的关键技术开展研究，突破多项关键制作工艺，有效地降低了器件的串联电阻和寄生电容，实现了可在太赫兹频段应用的肖特基二极管，其最高截止频率达到3.37THz，可广泛应用于太赫兹波的检测、倍频和混频。 http://www.eet-china.com/ART_8800677931_628868_NT_9e7041ca.HTM ************************* 科普：太赫兹波 　  太赫兹（THz）（1THz＝1012Hz）波通常指的是频率在0 .1THz～10THz （波长在3mm～30μｍ）范围内的电磁辐射。从频率上看，该波段位于毫米波和红外线之间，属于远红外波段；从能量上看，在电子和光子之间。在电磁频谱上，太赫兹波段两侧的红外和微波技术已经非常成熟，但是太赫兹技术基本上还是一个“空白”，究其缘由是因为在此频段上，既不完全适合用光学理论来处理，也不完全适合微波理论来研究，从而也就形成了科学家们通常所说的“太赫兹空隙”。 　  20世纪80年代中期以前，由于缺乏有效的太赫兹产生方法和检测手段，科学家对于该波段电磁辐射性质的了解非常有限。近十几年来，超快激光技术的迅速发展,为太赫兹脉冲的产生提供了稳定、可靠的激发光源，使太赫兹辐射的产生和应用得到了蓬勃发展。 　  太赫兹具有瞬态性、宽带性、相干性、低能性等独特性能，在宽带通信、雷达、电子对抗、电磁武器、天文学、医学成像、无损检测、安全检查等领域产生了深远的影响。由于太赫兹的频率很高，所以其空间分辨率也很高；又由于它的脉冲很短，所以具有很高的时间分辨率。太赫兹成像技术和太赫兹波谱技术由此构成了太赫兹应用的两个主要关键技术。同时，由于太赫兹能量很小，不会对物质产生破坏作用，所以与X射线相比更具有优势。另外，由于生物大分子的振动和转动频率的共振频率均在太赫兹波段，因此太赫兹在粮食选种等农业和食品加工行业有着良好的应用前景。太赫兹的应用仍在不断的开发研究当中，其广阔的科学前景为世界所公认。

    中国科学院院士谢家麟，中国科学院院士、中国工程院院士吴良镛获得2011年度国家最高科学技术奖。