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霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料 的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必 * 的工具。 该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪 ,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知 * 度。仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或固体材料均可 。 可测试材料 : 半导体材料： SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料 ， 低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、 TMR 材料 ， 高阻抗材料：半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等 。