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安世 | 如何选择符合应用散热要求的半导体封装 在本博客中， Nexperia（安世半导体）讨论了其焊线封装和夹片粘合封装的散热通道，以便设计人员选择更合适的封装。 为了满足应用的散热要求，设计人员需要比较不同半导体封装类型的热特性。在本博客中， Nexperia（安世半导体）讨论了其焊线封装和夹片粘合封装的散热通道，以便设计人员选择更合适的封装。 焊线器件中的热传导如何实现 焊线封装器件中的主要散热通道是从结参考点到印刷电路板（PCB）上的焊点，如图1所示。按照一阶近似的简单算法，次要功耗通道的影响（如图所示）在热阻计算中可以忽略不计。 △焊线器件中的散热通道 夹片粘合器件中的双热传导通道 夹片粘合封装在散热上与焊线封装的区别在于，器件结的热量可以沿两条不同的通道耗散出去，即通过引线框架（与焊线封装一样）和夹片框架散热。 △夹片粘合封装中的热传导 结到焊点 Rth（ j-sp ）的热阻定义因为两个参考焊点的存在而变得更加复杂。这些参考点的温度可能不同，导致热阻成为一个并联网络。 Nexperia（安世半导体）使用相同方法来提取夹片粘合器件和焊线器件的 Rth（ j-sp ）值。该值表征从芯片到引线框架再到焊点的主要散热通道，使得夹片粘合器件的值与类似 PCB 布局中的焊线器件值相似。然而，在提取 Rth（ j-sp ）值时，并没有充分利用第二条通道，因此器件的总体散热潜力通常更高。 事实上，第二条关键的散热通道让设计人员有机会改进 PCB 设计。例如，对于焊线器件，只能通过一条通道来散热（二极管的大多数热量通过阴极引脚耗散）；而对于夹片粘合器件，两个端子均可散热。 半导体器件散热性能的仿真实验 仿真实验表明，如果 PCB 上的所有器件端子都有散热通道，可以显著改善热性能。例如，在 CFP5 封装的 PMEG6030ELP 二极管中（图3），35%的热量通过铜夹片传递到阳极引脚，65%的热量通过引线框架传递到阴极引脚。 △CFP5封装二极管 "通过仿真实验证实，将散热片分成两个部分（如图4所示）更有利于散热。 如果将一个1 cm² 的散热片分成两个0.5 cm² 的散热片，分别放置于两个端子的下方，在相同的温度下，二极管可以耗散的功率会增加6%。买电子元器件现货上唯样商城 与标准的散热设计或者仅连接在阴极处的6 cm² 散热片相比，两个3 cm² 散热片可以增加约20%的功率耗散。" △散热器位于不同区域和电路板位置的散热仿真结果 Nexperia帮助设计人员 选择更适合其应用的封装 部分半导体器件制造商不会向设计人员提供必要信息，导致设计人员无法确定哪种封装类型能为其应用提供更好的散热性能。在本文中， Nexperia（安世半导体）介绍了其焊线器件和夹片粘合器件中的散热通道，帮助设计人员为其应用做出更好的决策。 关于作者 Martin Röver Martin Röver于2010年在哥廷根大学获得半导体物理学博士学位。在哥廷根大学短暂的博士后工作阶段后，他于2011年加入恩智浦（后加入Nexperia），担任双极性晶体管（BJT）的开发工程师。在过去的12年中，他在Nexperia公司积累了垂直BJT的设计和质量方面的经验，作为分立器件（如SMD和DFN封装）的系统架构师，并担任产品开发的项目负责人。此外，他还推动热仿真课题，如RC热模型的生成，并主持Nexperia的热主题专家小组。

安世 | Nexperia （安世半导体）推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia (安世半导体)今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。 Nexperia在其庞大的产品组合中增加了IGBT，满足了市场对于高效高压开关器件不断增长的需求以及在性能和成本方面的要求。这些器件有助于提高电源转换和电机驱动应用中的功率密度，包括工业电机驱动（例如5到20 kW (20 kHz)的伺服电机）、机器人、电梯、机器操作手、工业自动化、功率逆变器、不间断电源(UPS)、光伏(PV)串联组件、EV充电以及感应加热和焊接。 IGBT是一项相对成熟的技术。尽管如此，这些器件的市场预计将随着太阳能面板和电动汽车(EV)充电器的日益普及而有所增长。 Nexperia 的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构，在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性。 这可提高功率逆变器、感应加热器、焊接设备和工业应用（如电机驱动和伺服、机器人、电梯、机器操作手和工业自动化等）的效率和可靠性。 设计人员可以在中速 (M3) 和高速 (H3) 系列 IGBT 之间自由选择。这些 IGBT 采用非常紧密的参数分布设计，允许多个器件安全地并联连接。此外，与竞品器件相比其热阻更低，因此能够提供更高的输出功率。这些 IGBT 还并联了全电流反向软快恢复二极管。这意味着它们适用于逆变器，整流器及双向变换电路应用，在过流条件下更加稳健。 Nexperia绝缘栅双极晶体管和模块业务部门总经理Ke Jiang博士表示： “Nexperia通过发布IGBT，为设计人员提供了更多的电源开关器件选择，以满足广泛的电源应用需求。 IGBT是对Nexperia现有的CMOS和宽带隙开关器件系列产品的理想补充，Nexperia由此可为功率电子设计师提供一站式服务。 ” 这些 IGBT 采用无铅 TO247-3L 标准封装，并通过严苛的 HV-H3TRB 质量标准，适合室外应用。买电子元器件现货上唯样商城。 Nexperia 计划在本次产品发布后将推出 1200 V IGBT 系列器件。