标签: CV测试系统

概述 电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构 。 MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C-V特性）， C-V 曲线 测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数 。 系统方案 半导体功率器件 C-V测试系统主要由源表、LCR 表、 矩阵开关 和上位机软件组成 。 LCR 表支持的测量频率范围在 0.1Hz~ 1 MHz ， 源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置 ， 通过 矩阵开关 加载在待测件上 。 进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz 之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描，扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流，从而计算出不同电压下的电容值 。 系统优势 频率范围宽 ： 频率范围 10Hz ~ 1MHz 连续频率点可调 ； 高精度、大动态范围： 提供0V~3500V偏压范围，精度0.1% ； 内置CV测试： 内置自动化CV测试 软件，包含C-V（电容- 电压），C-T（电容- 时间），C-F（电容 - 频率）等多项测试测试功能; 兼容IV测试： 同时支持击穿特性以及漏电流特性测试； 实时曲线绘制： 软件界面直观展示项目测试 数据及曲线 ，便于监控； 扩展性强 ： 系统采用模块化设计，可根据需求灵活搭配 ； 基本参数 典型配置