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1 氧化物TFT技术是后来者   如果追根溯源，TFT技术的发展可以回溯到20世纪30年代，作为MOS器件的基础结构，远远早于平板显示器件的出现和半导体产业的发展。最初的器件设想，大多采用化合物半导体作为有源层，例如CdSe，CdS等等。但是，由于当时器件与材料理论的欠缺和表面分析技术的落后，在硅、锗被应用于半导体器件的40年代末之前，一直没有大的突破。随着研究的深入，量变带来了质变，半导体器件与半导体集成电路在上世纪50年代后得到了迅猛发展并给人类社会带来了革命性的改变。   20世纪70年代的石油危机促进了用于太阳能的非晶硅材料的研究，得益于对非晶硅材料的理论、工艺的深入了解，非晶硅用于TFT获得了成功，并迅速产业化，通过笔记本、监视器、电视三大应用浪潮，迅速普及，占据了绝对主导的地位。 相比之下，低温多晶硅（LTPS）TFT居于次要位置，在小份额市场上与a-Si TFT同时存在，其发展过程一波三折。   最近，由于智能终端的技术发展，对画质提出了更高的要求，LTPS TFT由于其技术优点，再次受到重视，并得到了产业的投入。 同时，TFT器件的再一次重大变革已经露出苗头，那就是氧化物半导体TFT，其中最重要的当属非晶氧化物半导体（AOS）TFT技术。所有的面板业者，无不研究和深入关注AOS TFT的产业化，有的厂商已经启动了AOS TFT的产业化，其重要性不言而喻。 2.氧化物TFT具有后来居上的潜力 在很多技术指标上，AOS TFT似乎介于a-Si TFT与LTPS TFT之间。事实上，综合起来，AOS TFT兼具了a-Si TFT与LTPS TFT的优点，在目前的显示器件技术趋势上，具有独特优势。   （1）适用的产品尺寸：同a-Si TFT一样，AOS TFT依靠溅射镀膜技术形成有源层，因此在尺寸上没有限制。而LTPS TFT由于需要进行激光或SPC进行结晶化工艺以及进行掺杂的离子注入工艺，均匀性控制困难，尺寸局限于G6以下。因此，AOS TFT适用产品尺寸范围广，而LTPS局限于中小尺寸。   （2）工艺：由于AOS TFT工艺温度在400℃以下，可以使用既有的显示玻璃基板，无需特别处理；另外，AOS TFT的工艺掩膜版数量与非晶硅基本一样，比LTPS要求更低，成本更节约。 （3）高解析度方向对应：随着电视面板采用四倍全高清的解析度，对TFT器件的迁移率提出了更高的要求。传统的a-Si TFT由于迁移率低，已经很难满足需要。   根据报道，2K4K的分辨率，需要迁移率达到4cm2/V*s以上，已经远远超出a-Si TFT能够达到的数值。而AOS TFT则能够很好的满足要求。并且，AOS TFT在大面积均匀性方面表现优异，成为低成本、高解析度电视面板驱动的必然之选。这也是面板大厂，包括AUO、LG、Samsung、Sharp在大尺寸产品上都计划投入氧化物TFT技术的原因。 3. 量产预期 夏普在氧化物TFT方面的量产计划最引人关注,于2011年4月11日发布以氧化物TFT技术生产TFT-LCD的计划，是全球第一家。该公司曾表示，将氧化物TFT技术首先应用于10寸以下中小尺寸面板生产，以后逐渐扩大到电视面板。将首先在其龟山2厂导入10K产能（总产能100K），然后逐步扩大；同时也有计划将氧化物TFT生产导入其位于大阪的堺工厂（G10）。   不过，夏普的量产计划有所推迟。原计划2011年底开始，但2月1日解释说生产技术没有问题，只是“嵌入最终产品的时间比当初计划推迟了，2012年2月会出货”。产业界对夏普的量产进展密切关注。 LG可能会随后量产。这主要是LGD相对SMD(三星移动显示），更注重大尺寸AMOLED的开发，而氧化物TFT使其能够活的大面积AMOLED的驱动基板，避免LTPS的均匀性与成本等几大难题。