tag 标签: 开关电源的设计

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    2024-1-14 12:47
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    在开关电源的设计中,为每路输出选择合适的滤波器是非常重要的。首先,需要根据输出电压和电流的要求来选择适当的滤波器类型。一般来说,常用的滤波器有LC滤波器、π型滤波器和RC滤波器等。其次,还需要考虑滤波器的截止频率和插入损耗等因素,以确保其正常工作和高效性能。此外,还需要根据实际电路参数和工作环境来调整滤波器的选型和参数,以满足系统的要求。最后,在设计过程中还需要注意电磁兼容性和安全性等问题,以确保开关电源的正常工作和人身安全。总之,在开关电源的设计中,为每路输出选择合适的滤波器是至关重要的一步,需要仔细考虑各种因素并进行合理的计算和选择。 第n 路输出电容Cout(n)的纹波电流Icaprms(n)为: 选取的输出电容的纹波电流值Iripple 需满足: 输出电压纹波由下式决定: 有时候,单个电容的高ESR,使得变换器很难达到我们想要的低纹波输出特性,此时可通过在输出端多并联几个电容,或加一级LC 滤波器的方法来改善变换器的纹波噪声。注意:LC 滤波器的转折频率要大于1/3 开关频率,考虑到开关电源在实际应用中可能会带容性负载,L 不宜过大,建议不超过4.7μH。
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    2024-1-14 12:36
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    在开关电源的设计中,确定每个绕组的线径是非常重要的。首先,需要根据输出电流和电压的要求来确定绕组的线径。一般来说,输出电流越大,需要的线径就越大;输出电压越高,也需要增加线径。其次,还需要考虑绕组的工作温度和散热问题,以确保其长期稳定运行。此外,还需要根据实际电路参数和工作环境来调整各绕组的线径,以满足系统的要求。最后,在设计过程中还需要注意电磁兼容性和安全性等问题,以确保开关电源的正常工作和人身安全。总之,在开关电源的设计中,确定每个绕组的线径是至关重要的一步,需要仔细考虑各种因素并进行合理的计算和选择。 根据每个绕组流过的电流RMS 值确定绕组线径。 初级电感绕组电流RMS 次级绕组电流RMS 由下式决定: 1m),线圈电流密度取5A/mm2;当绕组线圈长度较短时,线圈电流密度取6~10A/mm2。当流过线圈的电流比较大时,可以采用多组细线并绕的方式,以减小集肤效应的影响。 其中,Ac 是所有绕组导线截面积的总和,KF 为填充系数,一般取0.2~0.3. 检查磁芯的窗口面积(如图 7(a)所示),大于公式 21 计算出的结果即可。
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    2024-1-14 12:24
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    在开关电源的设计中,选择合适的磁芯和变压器初级电感的匝数是非常重要的。首先,需要根据输入电压范围、输出功率和工作频率等因素来选择适当的磁芯材料。常用的磁芯材料有铁氧体和金属磁粉心等。其次,需要根据所需的输出电压和电流来确定变压器初级电感的匝数。一般来说,匝数越多,输出电压越高,但同时也会增加绕线难度和成本。因此,在设计过程中需要综合考虑各种因素,以达到最佳的设计方案。此外,还需要注意变压器的工作温度和散热问题,以确保其长期稳定运行。总之,在开关电源的设计中,选择合适的磁芯和变压器初级电感的匝数是至关重要的一步,需要仔细考虑各种因素并进行合理的计算和选择。 开关电源设计中,铁氧体磁芯是应用最广泛的一种磁芯,可被加工成多种形状,以满足不同的应用需求,如多路输出、物理高度、优化成本等。 实际设计中,由于充满太多的变数,磁芯的选择并没有非常严格的限制,可选择的余地很大。其中一种选型方式是,我们可以参看磁芯供应商给出的选型手册进行选型。如果没有合适的参照,可参考下表: 选定磁芯后,通过其Datasheet 查找Ae 值,及磁化曲线,确定磁通摆幅△B,次级线圈匝数由下式确定: 其中,DCM 模式时,△B 取0.2~0.26T;CCM 时,△B 取0.12~0.18T。
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    2024-1-14 11:44
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    开关电源设计中,输入电容Cbulk的确定需要考虑输入电压范围、电网频率和输出功率等因素。一般来说,对于宽输入电压范围(85~265VAC),Cbulk的取值一般为2~3μF/W;对于窄范围输入电压(176~265VAC),取1μF/W即可。此外,还需要考虑电容充电占空比Dch,一般取0.2。 在实际应用中,为了确保反激变换器的稳定性和效率,还需要对输入电容进行选型和计算。首先,需要根据输入电压范围和输出功率来初步确定Cbulk的容量范围。然后,可以通过仿真软件或公式来计算Cbulk的具体值。最后,还需要根据实际电路参数和工作环境来调整Cbulk的值,以满足系统的要求。 总之,在开关电源的设计过程中,正确选择和计算输入电容Cbulk是非常重要的一步。只有合理地设置Cbulk的值,才能保证反激变换器的稳定运行和高效性能。 Cbulk 的取值与输入功率有关,通常,对于宽输入电压(85~265VAC),取2~3μF/W;对窄范围输入电压(176~265VAC),取1μF/W 即可,电容充电占空比Dch 一般取0.2 即可。 一般在整流后的最小电压Vinmin_DC 处设计反激变换器,可由Cbulk 计算Vinmin_DC: