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Si1553CDL-T1-GE3详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A(N沟道),-1.5A(P沟道)-导通电阻：130mΩ@4.5V(N沟道),230mΩ@4.5V(P沟道),160mΩ@2.5V(N沟道),280mΩ@2.5V(P沟道)-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：±0.6~2Vth(V)-封装类型：SC70-6应用简介：Si1553CDL-T1-GE3是一款集成有N和P沟道MOSFET的器件，适用于电源管理和功率放大器等多种应用。它具有正负额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs(±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提高系统的效率。Si1553CDL-T1-GE3采用SC70-6封装，适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等多个领域。由于其正负额定电压和额定电流特性，Si1553CDL-T1-GE3特别适用于需要同时控制正负电压的电路应用。在这些领域中，它能够提供可靠的功率开关控制和电流传输。总之，Si1553CDL-T1-GE3是一款集成有N和P沟道MOSFET的器件，适用于电源管理和功率放大器等多种应用模块。特别适用于需要同时控制正负电压的领域，如电源开关、电机驱动器等。