标签: NTS4101PT1GVB

型号：NTS4101PT1G丝印：VBK2298品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-3A-RDS(ON)：98mΩ@4.5V，117.6mΩ@2.5V-门源电压范围：12V-门源阈值电压范围：-0.6V~-2V-封装类型：SC70-3应用简介：NTS4101PT1G（丝印：VBK2298）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：详细参数说明：NTS4101PT1G是一款P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为-20V，额定电流为-3A，RDS(ON)为98mΩ@4.5V，117.6mΩ@2.5V，门源电压范围为12V，门源阈值电压范围为-0.6V~-2V，封装类型为SC70-3。应用领域：NTS4101PT1G（VBK2298）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要P沟道功率MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域：1.电源管理模块：NTS4101PT1G可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2.电池管理系统：它适用于电池管理系统中的充放电控制电路，提供高效能和可靠的电池管理。3.低功耗应用：NTS4101PT1G也适用于低功耗应用中的电源开关和信号控制等方面。综上所述，NTS4101PT1G（VBK2298）是一款P沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电池管理系统和低功耗应用等领域模块。它具有低导通电阻和高耐压的特点，适用于需要高功率和高效能的电路。