标签: NTE4153NT1GVB

NTE4153NT1G详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：20V-额定电流：1A-导通电阻：200mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：0.6Vth(V)-封装类型：SC75-3应用简介：NTE4153NT1G是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和低功率应用。它具有适中的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制12Vgs(±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现对电流的控制和开关状态的转换。较低的导通电阻有助于降低功耗，提高系统效率。NTE4153NT1G采用SC75-3封装，适用于各种电路板和模块。该器件主要应用于低功率领域的电路控制、信号处理、电源开关和其他各种需要低功耗的场合。总之，NTE4153NT1G是一款N沟道MOSFET，适用于电源管理和低功率应用。特别适用于低功率领域的电路控制、信号处理和电源开关等应用模块。